公开(公告)号：CN108133885A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711086556.7

申请日：2017-11-07

Applicant: 宁波大学

Inventor： 徐安丽 ,  王刚 ,  陈达 ,  郭庆磊 ,  张楠 ,  李久荣 ,  向鹏程 ,  杨思维 ,  丁古巧

IPC: H01L21/285

Abstract: 一种制备石墨烯肖特基结的方法，包括下列步骤：(1)提供一锗衬底；(2)在该锗衬底的特定区域上旋涂形成PMMA薄膜层；(3)将该锗衬底进行第一阶段保温，排除空气、增强PMMA薄膜层中PMMA活性；(4)进行第二阶段生长，使锗衬底上的特定区域的PMMA薄膜层中PMMA的碳原子分解出来并沉积于锗衬底表面形成石墨烯；(5)使锗衬底冷却降至室温；(6)在锗衬底上长有石墨烯的特定区域和没有石墨烯的区域上分别生长一层金作为电极。本发明的有益效果为：通过在锗衬底上直接生长石墨烯，避免了转移过程，不会破坏石墨烯的优异性能，从而得到稳定的石墨烯肖特基结器件结构；免转移的制作石墨烯肖特基器件有利于降低制备成本。