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公开(公告)号：CN111485132A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010281401.4
申请日：2020-04-10
申请人： 宁波博威合金板带有限公司
摘要： 本发明公开的一种综合性能优异的铜合金带材，其特征在于该铜合金的重量百分比组成包括：Ni：2.5wt％～4.0wt％，Co：0.2wt％～1.2wt％，Si：0.4wt％～1.4wt％，Ag：0.01wt％～0.2wt％，余量为Cu。本发明综合性能优异的铜合金带材其屈服强度达850MPa以上、弹性模量达120GPa以上、导电率达45％IACS以上，在具有高的屈服强度的同时，该板带材具有良好的折弯性能，Badway 90°折弯R/t≤2.5不开裂(R为折弯半径、t为带材厚度)，是生产制造电子接插件、连接器、电子零部件与引线框架的理想材料。
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公开(公告)号：CN115896534A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211505786.3
申请日：2022-11-29
申请人： 宁波博威合金板带有限公司 , 宁波博威合金材料股份有限公司
IPC分类号： C22C9/02 , C22C9/06 , C22C9/00 , C21D9/52 , C22F1/08 , C22C1/02 , H01L23/495 , B21C37/02 , B21B1/46
摘要： 本发明公开的含铬铜合金带材的质量百分比组成包括Ni：0.2wt%～1.3wt%、Sn：0.3wt%～1.3wt%、Cr：0.1wt%～1.2wt%、Ti：0.1wt%～1.0wt%，余量为Cu和不可避免的杂质，其制备的工艺流程为：配料→熔铸→热轧→铣面→粗轧→固溶与淬火处理→中轧→一级时效处理→清洗→预精轧→二级时效处理→清洗→精轧→拉弯矫直。本发明铜合金带材的抗拉强度在550MPa以上、导电率在50%IACS以上、badway 90°折弯R/t≤1.0、150℃保温1000小时后的应力松弛率≤15%，在保持高的抗拉强度与良好的导电率的同时，具有优异的折弯性能与耐应力松弛性能，更能满足新一代冲压型封装用铜合金带材的性能要求。
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公开(公告)号：CN113913642B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202111128970.6
申请日：2021-09-26
申请人： 宁波博威合金板带有限公司 , 宁波博威合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜合金带材，其特征在于，该铜合金的质量百分比组成为Cr：0.1wt％～1.2wt％、X：0.01wt％～0.1wt％、M：0.1wt％～1.0wt％，余量为Cu和不可避免的杂质；其中，X选自Si、Ti中的至少一种，M选自Zn、Sn、Ag中的至少一种。本发明的铜合金带材，其抗拉强度达550MPa以上、导电率达70％IACS以上、内应力在35MPa以下，在保持高的抗拉强度与良好的导电率的同时，具有较低内应力，更能满足新一代超大规模集成化芯片蚀刻型引线框架的小型化、多功能化、温升小、散热快的发展趋势与性能要求。
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公开(公告)号：CN112501472A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011354528.0
申请日：2020-11-26
申请人： 宁波博威合金板带有限公司 , 宁波博威新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种高性能铜合金带材，其特征在于该铜合金带材的质量百分比组成为Ni：1.0～3.2wt％，Co：0.1～2.5wt％，Si：0.6～1.4wt％，Sn：0.01～0.2wt％，余量为Cu。本发明在铜中添加Ni、Co、Si、Sn等元素，Ni2Si与Co2Si沉淀强化、Sn在位错周围形成柯垂尔气团强化，两者结合能够实现铜合金带材的屈服强度为960MPa以上、导电率为42％IACS以上、Badway 90°折弯R/t≤3.0不开裂，满足芯片基座(Socket)、引线框架、5G通信基站与服务器、高性能消费电子等用连接器弹性端子的发展要求。
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公开(公告)号：CN117305651A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311134945.8
申请日：2023-09-05
申请人： 宁波博威合金板带有限公司 , 宁波博威合金材料股份有限公司 , 宁波博威新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种综合性能优异的极大规模集成电路芯片封装用引线框架铜合金带材，该铜合金带材的重量百分比组成为：Ni：2.0wt％～5.0wt％，Co：0.01wt％～1.0wt％，Si：0.6wt％～1.4wt％，Sn：0.01wt％～1.0wt％，余量为Cu及不可避免的杂质。本发明铜合金带材由于Ni2Si、Co2Si、(Ni1‑xCox)2Si、沉淀相的耦合协同强化及Sn元素的固溶强化，再加上加工硬化及Sn原子在位错周围形成的柯氏气团对位错的阻碍作用，使本发明铜合金带材的屈服强度提高；由于Ni、Co、Si等溶质原子的完全析出，本发明铜合金带材具有可观的导电性能，同时改善折弯性能，适用于生产制造极大规模集成电路芯片封装用引线框架。
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公开(公告)号：CN115386767A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210986101.5
申请日：2022-08-17
申请人： 宁波博威合金板带有限公司 , 宁波博威合金材料股份有限公司 , 宁波博威新材料有限公司
摘要： 本发明公开的超大规模集成电路芯片封装用引线框架铜合金带材的重量百分比组成为：Ni：2.0wt%～4.0wt%，Co：0.001wt%～1.0wt%，Si：0.3wt%～1.2wt%，Nb：0.001wt%～0.3wt%，余量为Cu。本发明铜合金带材的屈服强度≥850MPa、导电率≥45%IACS、175℃保温1000小时应力松弛≤20%、Badway 90°折弯R/t≤2.0不开裂、650℃保温1h后硬度值为180HV以上。本发明铜合金带材是生产制造超大规模集成电路芯片封装用引线框架的理想材料。本发明为超大规模集成电路芯片封装用引线框架的多功能化、高密插脚、窄间距、长时间工作不失效提供了一种综合性能优异的铜合金带材及其制备方法。
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公开(公告)号：CN112501472B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202011354528.0
申请日：2020-11-26
申请人： 宁波博威合金板带有限公司 , 宁波博威新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种高性能铜合金带材，其特征在于该铜合金带材的质量百分比组成为Ni：1.0～3.2wt％，Co：0.1～2.5wt％，Si：0.6～1.4wt％，Sn：0.01～0.2wt％，余量为Cu。本发明在铜中添加Ni、Co、Si、Sn等元素，Ni2Si与Co2Si沉淀强化、Sn在位错周围形成柯垂尔气团强化，两者结合能够实现铜合金带材的屈服强度为960MPa以上、导电率为42％IACS以上、Badway 90°折弯R/t≤3.0不开裂，满足芯片基座(Socket)、引线框架、5G通信基站与服务器、高性能消费电子等用连接器弹性端子的发展要求。
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公开(公告)号：CN115386767B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210986101.5
申请日：2022-08-17
申请人： 宁波博威合金板带有限公司 , 宁波博威合金材料股份有限公司 , 宁波博威新材料有限公司
摘要： 本发明公开的超大规模集成电路芯片封装用引线框架铜合金带材的重量百分比组成为：Ni：2.0wt%～4.0wt%，Co：0.001wt%～1.0wt%，Si：0.3wt%～1.2wt%，Nb：0.001wt%～0.3wt%，余量为Cu。本发明铜合金带材的屈服强度≥850MPa、导电率≥45%IACS、175℃保温1000小时应力松弛≤20%、Badway 90°折弯R/t≤2.0不开裂、650℃保温1h后硬度值为180HV以上。本发明铜合金带材是生产制造超大规模集成电路芯片封装用引线框架的理想材料。本发明为超大规模集成电路芯片封装用引线框架的多功能化、高密插脚、窄间距、长时间工作不失效提供了一种综合性能优异的铜合金带材及其制备方法。
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公开(公告)号：CN113913642A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111128970.6
申请日：2021-09-26
申请人： 宁波博威合金板带有限公司 , 宁波博威合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜合金带材，其特征在于，该铜合金的质量百分比组成为Cr：0.1wt％～1.2wt％、X：0.01wt％～0.1wt％、M：0.1wt％～1.0wt％，余量为Cu和不可避免的杂质；其中，X选自Si、Ti中的至少一种，M选自Zn、Sn、Ag中的至少一种。本发明的铜合金带材，其抗拉强度达550MPa以上、导电率达70％IACS以上、内应力在35MPa以下，在保持高的抗拉强度与良好的导电率的同时，具有较低内应力，更能满足新一代超大规模集成化芯片蚀刻型引线框架的小型化、多功能化、温升小、散热快的发展趋势与性能要求。
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公开(公告)号：CN111485132B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010281401.4
申请日：2020-04-10
申请人： 宁波博威合金板带有限公司
摘要： 本发明公开的一种综合性能优异的铜合金带材，其特征在于该铜合金的重量百分比组成包括：Ni：2.5wt％～4.0wt％，Co：0.2wt％～1.2wt％，Si：0.4wt％～1.4wt％，Ag：0.01wt％～0.2wt％，余量为Cu。本发明综合性能优异的铜合金带材其屈服强度达850MPa以上、弹性模量达120GPa以上、导电率达45％IACS以上，在具有高的屈服强度的同时，该板带材具有良好的折弯性能，Badway 90°折弯R/t≤2.5不开裂(R为折弯半径、t为带材厚度)，是生产制造电子接插件、连接器、电子零部件与引线框架的理想材料。
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