一种频谱检测系统、方法、计算机设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117871949A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410037327.X

    申请日:2024-01-10

    Inventor: 张博轩 袁晔 张赞

    Abstract: 本发明提供了一种频谱检测系统、方法、计算机设备及存储介质,属于频谱检测技术领域,其系统包括天线阵列、数模转换器和计算单元。天线阵列包括多个具有不同频率响应特性的天线,多个天线用于对待检测信号频谱独立采样;数模转换器用于接收多个采样后的信号,并将多个信号转化为强度向量;计算单元用于使用频谱计算重构算法对接收到的强度向量进行数据处理,得到待检测信号的离散化频谱。本发明通过具有不同频率响应特性的天线阵列直接在频率域对待检测信号进行采样,计算重建过程也在频谱域完成,其检测带宽只与天线阵列中各天线的频率响应特性有关,不受ADC采样率和计算单元运算速度的限制,减小了系统对高性能ADC和计算单元的依赖。

    一种无线传感器网络定位方法及系统

    公开(公告)号:CN117769007A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311855695.7

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种无线传感器网络定位方法及系统,属于无线传感器网络定位技术领域,获取多个无线传感器网络到达时间差和到达角的测量值,根据测量值,构建无线传感器网络多个目标节点的位置的最大似然估计方程,将其作为适应度函数,采用改进的大猩猩部队优化算法进行寻优,获得适应度函数的最优解,即获得最大似然估计方程的最优解,确定多个目标节点的位置。对原大猩猩部队优化算法中的探索阶段引入收缩控制因子,扩大搜索空间,降低搜索盲目性,提高全局优化性能;在开发阶段引入正弦余弦交互融合策略,提高算法的收敛能力和速度;通过对大猩猩个体差异进行识别,减小大猩猩与银背大猩猩之间的差异,提高最优解的质量,提高了定位精度。

    采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN105448374A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510784821.3

    申请日:2015-11-16

    Applicant: 长安大学

    CPC classification number: G21H1/06

    Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法,目的在于:提高能量转换效率和封装密度,提高集成度和实用性,本发明的电池所采用的技术方案为:包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层,第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶,相邻台阶之间设有沟槽,沟槽底部延伸至P型SiC外延层,若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽,凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极,N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同,N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源;相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极,P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。

    一种相机的空间位姿估计方法

    公开(公告)号:CN116862984B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202310839460.2

    申请日:2023-07-10

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明提供了一种相机的空间位姿估计方法,属于相机位姿估计技术领域,包括:将相机拍摄的图像的特征点与相机拍摄的图像的像素点所对应的真实世界的点进行匹配,得到一组匹配特征点;在相机坐标系下,构建第一角度图模型;在现实世界坐标系下,构建第二角度图模型;将第一角度图模型和第二角度图模型中的对应边的值相减,获得角度差分图;与其他特征点的相连边数最少的特征点;根据正确匹配的特征点之间的位置关系,利用LHM算法估计相机的空间位姿。该方法能够获取精准的相机位姿。

    一种CMOS摄像头可见光通信的数据保密传输方法

    公开(公告)号:CN111835419B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202010677055.1

    申请日:2020-07-14

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 一种CMOS摄像头可见光通信的数据保密传输方法,包括以下步骤:发送数据时,将原数据码和错码进行间隔编码;接收数据时,根据间隔错码长度对CMOS摄像头的快门时间进行调整,使CMOS摄像头在成像时进行相应时间长度的光积分,拍摄得到明暗条纹图像,并通过图像处理技术从图像的明暗条纹中提取出原始数据信息;如果拍摄时的快门时间不正确,得到的图像中明暗条纹与原始数据不同,在不知道间隔错码特征信息的情况下无法获得原始数据。通过本发明方法,只有在已知加密规则的情况下才能接收到正确的原始数据,反之,则无法获得原始数据。该方式简单有效,保证了数据传输的安全性和完整性。

    一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路

    公开(公告)号:CN109412397B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201811060751.7

    申请日:2018-09-12

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路,包括:谐波产生电路,用于通过参考电压产生谐波信号Vramp和时钟信号CLK,以及:二次斜波补偿电路,用于根据所述的谐波信号Vramp和时钟信号CLK产生输入电流Islope,该输入电流Islope与外部电流Isense同时流入电阻Rsense,产生电压Vsense,以消除谐波震荡。本发明利用MOS管在导通时的漏源电流与栅源电压的关系,设计的斜波补偿电路可以根据开关的占空比产生一个与占空比成二次方的斜波补偿电流,从而实现斜波补偿目的。该技术可以提高DC‑DC转换器的负载能力,同时在电路实现上具有简单轻便的特点,可以降低补偿电路自身的功耗和所需的芯片面积。

    一种多环路复合型开关式电池充电转换器电路

    公开(公告)号:CN105553023B

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201610040808.1

    申请日:2016-01-21

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种多环路复合型开关式电池充电转换器电路,包括多环路反馈复合型误差放大单元、恒压充电单元、电压低钳位单元和恒流充电单元,本发明的多环路反馈复合型误差放大单元合并了恒流充电、恒压充电和输入电压低钳位三个控制环路单元,可以有效地解决转态过程连续性不平顺问题;采用输入电压低钳位设计使得充电电压降低时不至于降到太低导致停止充电,本发明先合多环路再补偿的设计可大大减少电路的占用面积。

    采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN105448375B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201510786191.3

    申请日:2015-11-16

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法,目的在于:提高能量转换效率和封装密度,有利于集成,实用性强,设计新颖合理,方便实现,本发明的电池所采用的技术方案为:包括由SiC基片构成的衬底和设置在所述衬底上部的N型SiC外延层,N型外延层上刻蚀形成多个台阶,在台阶顶部的中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区,在台阶底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区,所述N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的N型欧姆接触电极,所述P型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的P型欧姆接触电极;所述台阶顶部除去N型欧姆接触电极的区域设置有α放射源。

    一种多环路复合型开关式电池充电转换器电路

    公开(公告)号:CN105553023A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201610040808.1

    申请日:2016-01-21

    Applicant: 长安大学

    CPC classification number: H02J7/0052 H02J2007/0059

    Abstract: 本发明公开了一种多环路复合型开关式电池充电转换器电路,包括多环路反馈复合型误差放大单元、恒压充电单元、电压低钳位单元和恒流充电单元,本发明的多环路反馈复合型误差放大单元合并了恒流充电、恒压充电和输入电压低钳位三个控制环路单元,可以有效地解决转态过程连续性不平顺问题;采用输入电压低钳位设计使得充电电压降低时不至于降到太低导致停止充电,本发明先合多环路再补偿的设计可大大减少电路的占用面积。

    采用α放射源的碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN105448376A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510786195.1

    申请日:2015-11-16

    Applicant: 长安大学

    CPC classification number: G21H1/06

    Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法,目的在于:提升输出功率和能量转化效率,提高封装密度,本发明的电池所采用的技术方案为:包括由SiC基片构成的衬底,衬底上部设置有N型SiC外延层,所述N型SiC外延层上设有若干个台阶,相邻台阶之间设有沟槽,所述若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽,凹槽内设置有N型SiC欧姆接触掺杂区,N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极,所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同,所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源;所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。

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