基于SinGAN算法的光伏组件缺陷检测方法及相关装置

    公开(公告)号:CN116645343A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310575040.8

    申请日:2023-05-19

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 基于SinGAN算法的光伏组件缺陷检测方法及相关装置,包括:获取光伏组件缺陷图像,并进行预处理,将处理好的数据随机分配为训练集与验证集;搭建SinGAN算法中多尺度的生成器和判别器的网络模型;将预处理好的图像数据输入已搭建好的多尺度的生成器和判别器的网络模型中,对该多尺度的生成器和判别器的网络模型进行逐级训练,获得每个GAN的权重数据;利用训练后的网络模型中的判别器对验证集中光伏组件缺陷图像进行检测,得到更高精度的判别器。本发明利用较少的图像数据训练出可以对光伏组件缺陷图像进行检测的判别器检测模型,从而解决了光伏组件缺陷图像数据缺少的问题,并且该识别模型也可以达到一定的精度,从而解决光伏组件缺陷图像难以检测的问题。

    一种太阳能电池参数提取的方法

    公开(公告)号:CN108280287B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN201810056228.0

    申请日:2018-01-20

    Applicant: 长安大学

    Inventor: 徐小波 李瑞雪

    Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池参数提取的算法。其基本特征在于,包含以下步骤:1)根据基尔霍夫电流定律得到理想的单二极管太阳能电池等效电路的电流电压特性方程,建立太阳能电池单二极管模型;2)利用单二极管模型中J~V曲线获得参数(开路电压Voc、短路电路Jsc、并联电阻Rsh和moc)来提取未知参数(理想因子n、反向饱和电流J0、串联电阻Rs);3)通过测量太阳能电池在不同的透过光照下的Jsc、Voc和moc测量值绘画出相应的曲线来确定未知参数Rs、n和J0的值。

    一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路

    公开(公告)号:CN109412397B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201811060751.7

    申请日:2018-09-12

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路,包括:谐波产生电路,用于通过参考电压产生谐波信号Vramp和时钟信号CLK,以及:二次斜波补偿电路,用于根据所述的谐波信号Vramp和时钟信号CLK产生输入电流Islope,该输入电流Islope与外部电流Isense同时流入电阻Rsense,产生电压Vsense,以消除谐波震荡。本发明利用MOS管在导通时的漏源电流与栅源电压的关系,设计的斜波补偿电路可以根据开关的占空比产生一个与占空比成二次方的斜波补偿电流,从而实现斜波补偿目的。该技术可以提高DC‑DC转换器的负载能力,同时在电路实现上具有简单轻便的特点,可以降低补偿电路自身的功耗和所需的芯片面积。

    一种太阳能电池参数提取的方法

    公开(公告)号:CN108880469A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810359475.8

    申请日:2018-04-20

    Applicant: 长安大学

    CPC classification number: H02S50/10

    Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池参数提取的方法,包含以下步骤:1)根据基尔霍夫电流定律得到理想的单二极管太阳能电池等效电路的电流电压特性方程,建立太阳能电池单二极管模型;2)利用半导体测试仪测出太阳能电池的I~V曲线,并结合单二极管模型中I~V曲线获得参数开路电压Voc、短路电路Isc来提取未知参数并联电阻Rsh;3)通过引入临时参数Rso、no并进行多次迭代计算来确定未知参数串联电阻Rs、理想因子n;4)通过上述所求得参数值带入公式变形中求未知参数光电流Iph、反向饱和电流I0。

    GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法

    公开(公告)号:CN103872045B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201410123317.4

    申请日:2014-03-28

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,耗尽型器件栅下保留SiN,器件栅下存在高浓度二维电子气,器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性,将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。

    一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法

    公开(公告)号:CN103915434B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201410122687.6

    申请日:2014-03-28

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,耗尽型器件栅下保留SiN,器件栅下存在高浓度二维电子气,器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性,将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。

    GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法

    公开(公告)号:CN103872045A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410123317.4

    申请日:2014-03-28

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,耗尽型器件栅下保留SiN,器件栅下存在高浓度二维电子气,器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性,将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。

    一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片

    公开(公告)号:CN107884876B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN201711411832.2

    申请日:2017-12-23

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片,包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器,波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组,两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器,并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器;所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接;所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本发明所涉及的器件基于光波导器件,能够集成在同一衬底上,具有较高的集成度,能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。

    基于自注意力机制的光伏预测方法及相关装置

    公开(公告)号:CN116599050A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310572579.8

    申请日:2023-05-19

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 基于自注意力机制的光伏预测方法及相关装置,包括通过对光伏电站的组件进行数据采集,得到不同时间的组件输出电流原始数据;对原始数据进行预处理,得到预处理后的数据集;将预处理后的数据集送入基于自注意力机制的时间卷积网络中,训练并调整神经网络模型超参数,搭建自注意力机制和时间卷积机制的光伏组件输出电流预测模型,再将预处理后的数据集送入预测模型,对光伏组件输出电流进行预测。本发明实现基于自注意力机制的光伏组件输出电流预测神经网络的构建,通过多次自注意力和因果卷积实现对输入序列底层特征到高层特征的逐层提取,从而精确预测光伏组件输出电流。

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