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发明公开
一种三孪晶硅及其制备方法无效

公开(公告)号：CN103255476A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310144811.4

申请日：2013-04-24

Applicant: 宁夏东方钽业股份有限公司

Inventor： 张学锋 , 梁斌 , 刘健 , 石晓军 , 李明阳 , 邱英 , 金勇

IPC: C30B29/06 , C30B15/00

Abstract: 本发明涉及光伏发电用的硅材料，尤其是一种三孪晶硅及其制备方法。其特点是：是由三个底面均为扇形的第一单晶硅柱体、第二单晶硅柱体和第三单晶硅柱体通过各自的侧面以孪晶晶界两两结合组成的圆柱体。本发明的三孪晶硅就是利用孪晶结构将晶面束缚在孪晶晶界上。这样的结构对原材料的要求降低、允许较高的生长速度、切片厚度可以降低到90μm以下、可以连续添料生长，在硅材料上总体成本降低30%左右。

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