公开(公告)号：CN1685460A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03823411.4

申请日：2003-07-30

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李建弘 ,  黄瑄珪 ,  郑守桓

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J21/105 ,  H01J9/025

Abstract: 通过使用阳极氧化工艺来制造一种具有三极管结构的电场发射器件。该器件包括支撑衬底、用作该器件的阴极的底部电极层、具有多个第一亚微米孔的栅极绝缘层、具有连接到第一亚微米孔的多个第二亚微米孔的栅电极层、具有连接到第二亚微米孔的多个第三亚微米孔的阳极绝缘层、用作该器件阳极并用于密闭地密封该器件的顶部电极层、以及在第一亚微米孔中形成的多个发射器。发射器形成为与该器件的电极尽可能地紧密接触，这导致降低器件的驱动电压。

公开(公告)号：CN100541700C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN03823411.4

申请日：2003-07-30

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李建弘 ,  黄瑄珪 ,  郑守桓 ,  李应周

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J21/105 ,  H01J9/025

Abstract: 通过使用阳极氧化工艺来制造一种具有三极管结构的电场发射器件。该器件包括支撑衬底、用作该器件的阴极的底部电极层、具有多个第一亚微米孔的栅极绝缘层、具有连接到第一亚微米孔的多个第二亚微米孔的栅电极层、具有连接到第二亚微米孔的多个第三亚微米孔的阳极绝缘层、用作该器件阳极并用于密闭地密封该器件的顶部电极层、以及在第一亚微米孔中形成的多个发射器。发射器形成为与该器件的电极尽可能地紧密接触，这导致降低器件的驱动电压。

公开(公告)号：CN100481299C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200380108868.3

申请日：2003-12-26

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李建弘 ,  黄瑄珪 ,  李玉珠

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J2201/304 ,  H01J2329/00

Abstract: 提供了一种具有集成三极管(triode)结构的场致发射显示器(FED)。可以制造该FED，而无需使用复杂的封装处理，并且具有相当程度缩减的阱直径和相当程度缩减的阴极到阳极间距。在该FED中，前后面板使用阳极绝缘层作为中间体，形成单独的腔体。还提供了一种使用阳极氧化来制造所述FED的方法。

公开(公告)号：CN1739178A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200380108868.3

申请日：2003-12-26

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李建弘 ,  黄瑄珪 ,  李玉珠

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J2201/304 ,  H01J2329/00

Abstract: 提供了一种具有集成三极管(triode)结构的场致发射显示器(FED)。可以制造该FED，而无需使用复杂的封装处理，并且具有相当程度缩减的阱直径和相当程度缩减的阴极到阳极间距。在该FED中，前后面板使用阳极绝缘层作为中间体，形成单独的腔体。还提供了一种使用阳极氧化来制造所述FED的方法。