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公开(公告)号:CN100481299C
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200380108868.3
申请日:2003-12-26
Applicant: 学校法人浦项工科大学校
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J31/127 , H01J2201/304 , H01J2329/00
Abstract: 提供了一种具有集成三极管(triode)结构的场致发射显示器(FED)。可以制造该FED,而无需使用复杂的封装处理,并且具有相当程度缩减的阱直径和相当程度缩减的阴极到阳极间距。在该FED中,前后面板使用阳极绝缘层作为中间体,形成单独的腔体。还提供了一种使用阳极氧化来制造所述FED的方法。
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公开(公告)号:CN1739178A
公开(公告)日:2006-02-22
申请号:CN200380108868.3
申请日:2003-12-26
Applicant: 学校法人浦项工科大学校
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J31/127 , H01J2201/304 , H01J2329/00
Abstract: 提供了一种具有集成三极管(triode)结构的场致发射显示器(FED)。可以制造该FED,而无需使用复杂的封装处理,并且具有相当程度缩减的阱直径和相当程度缩减的阴极到阳极间距。在该FED中,前后面板使用阳极绝缘层作为中间体,形成单独的腔体。还提供了一种使用阳极氧化来制造所述FED的方法。
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