-
公开(公告)号：CN114713844B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210391117.1
申请日：2022-04-14
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F10/28 , B22F10/366 , B22F10/85 , B22F12/00 , B22F12/41 , B22F12/44 , B22F12/90 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明涉及增材制造技术领域，公开了一种金属选区激光熔化成形方法及系统。金属选区激光熔化成形系统包括：区域光斑光路系统、高斯光斑光路系统与终端控制器；金属选区激光熔化成形方法包括：终端控制器获取待成形零件的三维数字模型；终端控制器对零件的三维数字模型进分层切片，得到分层切片数据；获取零件的打印模式，并进行路径规划，得到激光扫描路径规划数据；基于激光扫描路径规划数据，控制区域光斑光路系统或者控制区域光斑光路系统和高斯光斑光路系统打印零件。本发明选区激光熔化成形系统结构简单，易于控制，搭载区域光斑混合光路系统提高了大截面成形零件的制造效率，
-
公开(公告)号：CN114619049B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210253104.8
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种选区激光熔化成形金属材料的工艺开发方法，包括步骤：在待成形金属粉末球形度在90％以上的基础上，测量D50和D90的值，根据D50或D90的值设定SLM工艺的扫描层厚t；设计关于激光功率P和扫描速度v的二维参数矩阵；成形单道单层试样；观察成形的单道单层试样，筛选出成形形貌良好，成形性连续均匀的试样；利用线切割，沿垂直于扫描方向在筛选出的试样中间部位切开，制备成金相试样，测量并计算孔隙率η；观察孔隙率最低试样内部组织，测量其熔池深度d及熔池尺寸r；根据熔池尺寸r计算出临界扫描间距h′；根据扫描间距h′计算得到扫描间距h，以此确定SLM成形所需的四项工艺参数扫描层厚t、激光功率P、扫描速度v以及扫描间距h。
-
公开(公告)号：CN114713844A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210391117.1
申请日：2022-04-14
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F10/28 , B22F10/366 , B22F10/85 , B22F12/00 , B22F12/41 , B22F12/44 , B22F12/90 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明涉及增材制造技术领域，公开了一种金属选区激光熔化成形方法及系统。金属选区激光熔化成形系统包括：区域光斑光路系统、高斯光斑光路系统与终端控制器；金属选区激光熔化成形方法包括：终端控制器获取待成形零件的三维数字模型；终端控制器对零件的三维数字模型进分层切片，得到分层切片数据；获取零件的打印模式，并进行路径规划，得到激光扫描路径规划数据；基于激光扫描路径规划数据，控制区域光斑光路系统或者控制区域光斑光路系统和高斯光斑光路系统打印零件。本发明选区激光熔化成形系统结构简单，易于控制，搭载区域光斑混合光路系统提高了大截面成形零件的制造效率，降低了多激光装备加工的制造成本。
-
公开(公告)号：CN119857854A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510358688.9
申请日：2025-03-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种文丘里复合气雾化设备，属于金属增材制造技术领域，包括熔炼室和雾化室；雾化室包括导流嘴、文丘里管和雾化喷盘，导流嘴连通熔炼室和文丘里管；文丘里管用于通过接入气源以使喉段形成稳定气压，并对喉段内的金属熔体进行预破碎，且在预破碎后喷出喉段内的金属熔体以形成气液混合射流；雾化喷盘位于气液混合射流的上方且用于朝气液混合射流喷出超音速气流以使气液混合射流中的金属熔体雾化。本发明的文丘里复合气雾化设备解决现有设备无法有效控制导流嘴出口处的气压以及无法进一步减小金属熔体的初始特征尺寸的问题，达到提高雾化作业的稳定性和高效性，有利于获得更高质量和更小粒径的雾化粉末。
-
公开(公告)号：CN113936754B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111217184.3
申请日：2021-10-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于增材制造技术领域，公开了一种单胞结构、多胞结构、梯度板状晶格结构及构建方法，单胞结构包括三个第一长方体板及六个第二长方体板，三个第一长方体板正交于O点，将立体空间分为八个区域，八个区域组成一个虚拟长方体；六个第二长方体板分别与虚拟长方体的六个对角面重合，并与三个第一长方体相交于O点。多胞结构由若干个不同密度的单胞结构沿三维空间内的左右、前后及上下三个方向中的任一方向按预定顺序组合装配而成；本申请的单胞结构、多胞结构、梯度板状晶格结构及构建方法，设计方法简单，可实现性强，相较于其他梯度点阵晶格结构在施加载荷时表现出均匀稳定的塑形变形，具有优异的能量吸收能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116882210A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311142431.7
申请日：2023-09-06
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F17/16 , G06F18/22 , B22F10/80 , B22F10/38 , B22F10/20 , B33Y50/00 , G06F113/10
Abstract: 本申请公开了一种多孔晶格结构的工艺开发方法、装置、设备及存储介质，涉及增材制造技术领域。该工艺开发方法包括：获取制备多孔晶格结构的目标材料特性和结构信息；根据目标材料特性，确定轮廓激光功率和轮廓扫描速度的第一参数基准值；基于第一参数基准值，构建对应的二因子参数矩阵；根据结构信息，确定对应的轮廓偏置参数；基于二因子参数矩阵和轮廓偏置参数，增材制造成形多孔晶格结构的第一试验样品，并检测第一试验样品的表面粗糙度；根据表面粗糙度，确定多孔晶格结构的最优轮廓参数值，并将最优轮廓参数值作为多孔晶格结构的优化工艺参数包。本申请优化了多孔晶格结构的工艺参数，进而提高了多孔晶格结构的表面质量。
-
公开(公告)号：CN116550967A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310500651.6
申请日：2023-05-05
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F1/00 , C22C21/00 , C22C21/02 , B22F9/08 , C23C24/10 , B22F7/06 , B22F10/60 , B22F10/28 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种铝硅系合金零部件的修复粉末及其制备方法与修复方法，涉及激光熔覆表面修复技术领域。所述铝硅系合金零部件的修复粉末包括表层粉末材料和中间层粉末材料；其中，所述表层粉末材料的成分为Al‑Mn‑Sc，所述中间层粉末材料的成分为待修复的铝硅系合金零部件与所述表层粉末材料的成分比值为0.5～2.0。由此本发明提高了修复处的强度性能，并避免了铝硅系合金零部件的表面与修复材料之间的过渡区域出现开裂、裂纹等问题影响修复处的强度性能。
-
公开(公告)号：CN115007878A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210720510.0
申请日：2022-06-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种增材制造方法及具有尖角特征的构件，涉及金属增材制造技术领域。方法包括：在待成型面上形成粉末层，粉末层具有尖角易翘区域；控制激光束在尖角易翘区域内沿尖角易翘区域的中轴线扫描，以使中轴线处的粉末熔融形成主叶脉冷却结构；分别控制激光束在尖角易翘区域的中轴线一侧区域内沿与中轴线相交的方向扫描多次，且多次扫描路径之间间隔开，以形成细叶脉冷却结构，得到尖角易翘区域的叶脉形支撑结构；控制激光束扫描熔融粉末层中除叶脉形支撑结构所在区域之外的粉末，以填充叶脉形支撑结构，得到成型层。实现了降低粉末床选区激光熔化技术制造构件的残余应力，降低构件翘曲的风险，提高生产构件的成型效率、尺寸精度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN114619049A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210253104.8
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种选区激光熔化成形金属材料的工艺开发方法，包括步骤：在待成形金属粉末球形度在90％以上的基础上，测量D50和D90的值，根据D50或D90的值设定SLM工艺的扫描层厚t；设计关于激光功率P和扫描速度v的二维参数矩阵；成形单道单层试样；观察成形的单道单层试样，筛选出成形形貌良好，成形性连续均匀的试样；利用线切割，沿垂直于扫描方向在筛选出的试样中间部位切开，制备成金相试样，测量并计算孔隙率η；观察孔隙率最低试样内部组织，测量其熔池深度d及熔池尺寸r；根据熔池尺寸r计算出临界扫描间距h′；根据扫描间距h′计算得到扫描间距h，以此确定SLM成形所需的四项工艺参数扫描层厚t、激光功率P、扫描速度v以及扫描间距h。
-
公开(公告)号：CN116861709A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311127292.0
申请日：2023-09-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种工艺开发方法、装置、设备及可读存储介质，涉及增材制造技术领域。所述工艺开发方法包括以下步骤：获取目标材料的各待开发工艺参数的第一参数基准值；基于所述第一参数基准值，通过正交试验，获得各所述待开发工艺参数的主次顺序和第一初选参数值；将所述第一初选参数值作为第二参数基准值，基于所述主次顺序和第二参数基准值，生成对应的参数多赫勒矩阵；按照所述参数多赫勒矩阵，增材制造成形所述目标材料的第一试验样品后，检测所述第一试验样品的目标性能的第一性能值；根据所述第一性能值，确定各所述待开发工艺参数的最优参数值。本申请提高了增材制造对于不同材料的工艺开发效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.021 seconds)
