-
公开(公告)号：CN117208898A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311232285.7
申请日：2023-09-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种双键硫掺杂碳材料及其制备方法，涉及碳材料技术领域。通过将碳硫化合物和碳材料混合进行硫化反应得到双键硫掺杂碳材料，碳材料具有含孤对σ电子的官能团，碳硫化合物包括碳硫双键化合物和/或硫叶立德化合物。碳硫双键化合物含有碳硫双键，硫叶立德化合物中的碳原子与硫原子之间的键带有双键的性质，以上的碳硫键可断裂并取代碳材料中含孤对σ电子的官能团。由以上制备方法制备得到的双键硫掺杂碳材料硫含量为10At％以上，具有优异的导电性和结构稳定性，保留了碳材料丰富的活性位点和快速的离子传输通道，能将化学能转化成电能，应用于催化、能源储存等领域，而且合成方法简单、普适性强、效率高、可大规模生产。
-
公开(公告)号：CN115440931A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211112623.9
申请日：2022-09-13
Applicant: 季华实验室
IPC: H01M4/133 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/42
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池电极极片及其制备方法，属于锂离子电池领域领域。本发明通过将成膜剂与活性物质混合，涂覆到电极极片上，然后进行碳化处理，构筑不含有机粘结剂的碳包覆颗粒电极片结构。将碳化过程引入到电极极片制备过程中，将有机粘结剂通过高温碳化，在极片上形成碳包覆层及化学键合，碳包覆层同时作为粘结剂和导电剂，改善电极极片的界面稳定性和电子传输性，在充放电过程中电极体积变化下还能保持良好的电子和离子传输性，提高电极的结构稳定性，降低膨胀率，提高电池的首次库伦效率，改善循环稳定性、倍率性能和低温性能。所述电极极片可应用于二次电池负极电极，具有较大的市场潜力。
-
公开(公告)号：CN115417403A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210964532.1
申请日：2022-08-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种二维氧化铁石墨烯复合材料及其制备方法，属于半导体材料领域。本发明以所述氯化铁‑石墨层间化合物为原料，通过微波加热制备得到二维氧化铁石墨烯复合材料。微波加热能实现超速加热，使金属卤化物分解成金属氧化物的氧化反应可以在瞬间发生，又因受限于相邻的石墨烯层，氧化铁被局限在石墨烯层间生长，继而获得二维氧化铁，最终得到结构稳定，具有强导电性，高振实密度等优点的二维氧化铁石墨烯复合材料，可广泛应用于应用于化学催化、生物医药、电化学储能、导电材料、半导体材料等领域。此外，还可以通过液相超声法或者CO2超临界法将所述二维氧化铁石墨烯复合材料进一步剥离成薄层二维氧化铁石墨烯复合材料。
-
公开(公告)号：CN118763170A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411202614.8
申请日：2024-08-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种极片热处理方法，属于极片热处理技术领域。本发明通过将接触式定型件覆盖在待热处理极片的表面，使接触式定型件覆盖住待热处理极片中的活性层，并进行定型，使接触式定型件和待热处理极片形成一个整体再进行后续的热压成型处理，完成热压定型处理后，将接触式定型件从极片表面分离出来，如此可以防止极片活性层中的活性物质因为热压定型处理的高温高压条件下和热压成型设备发生粘连或者出现脱落等问题，有利于获得平整度和压实密度较好的完整一体化极片，从而提高极片的电化学性能，尤其是首次库伦效率、循环稳定性及倍率。
-
公开(公告)号：CN115818712B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211132506.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种与磷酸混合呈松散状态的氧化铌及其制备方法，属于化工领域，步骤包括：用铌酸和第一碱溶液通过化学共沉淀法得到第一沉淀物，其中，往化学共沉淀法的反应体系添加助剂，以促进所述第一沉淀物颗粒长大，且促进晶体生长方向发生变化和/或晶体结构发生变化，煅烧后得到的氧化铌纯度高，符合玻璃原料使用要求，且吸附性能好，容易与磷酸混合，混合后能保持不分层且呈松散易分散状态20分钟以上，为生产光学玻璃的磷酸与氧化铌混合物和其它原料混合工序提供足够混合的时间，使氧化铌吸收磷酸后易于分散并和其它原料混合均匀，保证铌元素在玻璃中分布均匀，避免铌元素浓度偏析，有利于提高光学玻璃性能和成品率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117878235A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311856379.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H01M4/04 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/134 , H01M4/1395
Abstract: 本发明公开了一种极片及其制备方法，属于电池电极片技术领域。本发明极片的制备方法包括以下步骤：通过干法混合将活性物质和粘结剂混合得到粘性混合物，所述粘性混合物形成膜片，所述膜片和集流体压合得到初始极片；所述初始极片进行碳化得到所述极片。本发明将干法制备和碳化热处理技术相结合制备极片，可以形成连接活性物质和集流体的碳包覆层，碳包覆层同时起到粘结剂和导电剂的作用，既加强了颗粒和颗粒之间的约束力，降低活性物质发生体积膨胀的风险，还能提供快速的离子传输通道，此外无需添加导电剂，可以提高高活性物质在极片中的占比，有利于制备得到高活性物质含量的极片，从而提高电池的能量密度。
-
公开(公告)号：CN117943550A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311506537.0
申请日：2023-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种金属基石墨复合材料及其制备方法，属于金属石墨复合材料领域。通过将石墨层间化合物、催化剂和金属还原剂混合，进行还原反应得到中间产物；对中间产物进行除杂得到金属基石墨复合材料；其中，石墨层间化合物含有插层剂，插层剂含有金属化合物。石墨层间化合物不易出现团聚，而且石墨层间化合物中的插层剂在石墨层间分布较为均匀，利用金属还原剂对插层剂中的金属化合物进行原位还原可以使金属基石墨层间复合材料中的金属源分布得更加均匀。此外，催化剂尤其是金属钠催化剂能够在较低的温度条件下促使金属还原剂的插入，而且金属还原剂也可以在较低的温度下完成对插层剂的还原得到金属源，不会因温度过高导致金属粒过度长大。
-
公开(公告)号：CN116936750A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311199688.6
申请日：2023-09-18
Applicant: 季华实验室
IPC: H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池负极片及其制备方法、负极片浆料、锂离子电池，属于锂离子电池领域。发明锂离子电池负极片的制备方法包括以下步骤：用有机物质将去除了表面的氧化物的活性物质进行包覆得到改性活性物质；对所述改性活性物质加热定型得到定型改性活性物质；将所述定型改性活性物质和成膜剂混合得到负极片浆料，将所述负极片浆料涂覆到集流体表面得到初始负极片；对所述初始负极片进行碳化得到所述锂离子电池负极片。本发明的锂离子电池负极片具有具有稳定均匀的碳包覆层，具有较好的电子和离子传输性，可使锂离子电池获得较高的首次库伦效率且具有优异的循环、倍率和低温性能。
-
公开(公告)号：CN115818712A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211132506.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种与磷酸混合呈松散状态的氧化铌及其制备方法，属于化工领域，步骤包括：用铌酸和第一碱溶液通过化学共沉淀法得到第一沉淀物，其中，往化学共沉淀法的反应体系添加助剂，以促进所述第一沉淀物颗粒长大，且促进晶体生长方向发生变化和/或晶体结构发生变化，煅烧后得到的氧化铌纯度高，符合玻璃原料使用要求，且吸附性能好，容易与磷酸混合，混合后能保持不分层且呈松散易分散状态20分钟以上，为生产光学玻璃的磷酸与氧化铌混合物和其它原料混合工序提供足够混合的时间，使氧化铌吸收磷酸后易于分散并和其它原料混合均匀，保证铌元素在玻璃中分布均匀，避免铌元素浓度偏析，有利于提高光学玻璃性能和成品率。
-
公开(公告)号：CN119018936A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411403520.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 季华实验室
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明公开了一种碳掺杂2H相二硫化钼及其制备方法，属于二维纳米材料技术领域。本发明将三氧化钼和硫化剂混合研磨，在二硫化碳和氩气气氛中煅烧得到碳元素差在哪的硫氧化钼复合材料，所述碳元素掺杂的硫氧化钼复合材料标记为MoOS‑C；然后用硫粉硫化所述MoOS‑C得到碳掺杂2H相二硫化钼。由此制备得到的碳掺杂2H相二硫化钼具有较大的层间距和块体结构，有利于获得较快的离子传输效率、较好的导电性能和结构稳定性，而且合成方法简单高效，得到的产物一致性好，有利于大规模生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.016 seconds)
