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公开(公告)号：CN110873978A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201911242670.3
申请日：2019-12-06
申请人： 天津卓达科技发展有限公司 , 深圳市卓翼科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1333
摘要： 本发明涉及一种彩色滤光片及液晶显示装置，包括第一基板及第二基板，第一基板包括第一衬底、第一光阻层及彩色滤光层，第一光阻层设于第一衬底上，第一光阻层开设有多条平行且间隔设置的滤光槽，彩色滤光层包括多个滤光单元，各滤光单元一一对应设于各滤光槽中。第二基板包括第二衬底及第二光阻层，第二光阻层设于第二衬底上且第二光阻层设有多个平行且间隔设置的条状镂空图案；第二基板的第二光阻层所在面与第一基板的第一光阻层所在面连接，且条状镂空图案与滤光槽垂直相交设置。上述彩色滤光片不仅降低了光阻层的制作和装配的难度，而且通过第一光阻层和第二光阻层的配合能够减少液晶显示装置的漏光现象，并提高其显示对比度。
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公开(公告)号：CN110436422A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910802193.5
申请日：2019-08-28
申请人： 深圳市卓翼科技股份有限公司 , 天津卓达科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种量子点核的制备方法，包括步骤：提供量子点核的晶种，获取所述晶种的吸收波长，根据所述晶种的吸收波长确定所述晶种的初始粒径；获取目标量子点核的目标吸收波长，根据所述目标吸收波长和所述初始粒径，确定由所述晶种制备目标量子点核所需前驱体的补充物质的量；按照所述补充物质的量将所述前驱体加入晶种中反应，得到量子点核。该方法制得的量子点核的吸收波长可控、重复性高，该制备方法对于扩大生产后同样适用，保证了生产的稳定性。
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公开(公告)号：CN110408398A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910831820.8
申请日：2019-09-04
申请人： 深圳市卓翼科技股份有限公司 , 天津卓达科技发展有限公司
摘要： 本发明创造属于纳米材料技术领域，公开了一种ZnSe量子点及其制备方法，在反应温度下，将锌源溶液、硒源溶液注入溶剂中形成晶核，然后注入配体溶液进行降温，随后持续加入锌源溶液和硒源溶液，反应得到ZnSe量子点。本发明还公开了一种核壳结构的ZnSe/ZnS量子点及其制备方法。与现有技术相比，本发明制备的ZnSe、ZnSe/ZnS量子点具有无重金属、蓝紫光范围发射、窄半峰宽、高荧光效率、斯托克斯位移低使得其能量损耗更低等优点。制备方法未使用易燃易爆物质，对环境友好，制备方法简单，成本低，能够进行大批量ZnSe量子点及ZnSe/ZnS量子点的制备。
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公开(公告)号：CN211528862U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201922170987.2
申请日：2019-12-06
申请人： 天津卓达科技发展有限公司 , 深圳市卓翼科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1333
摘要： 本实用新型涉及一种彩色滤光片及液晶显示装置，包括第一基板及第二基板，第一基板包括第一衬底、第一光阻层及彩色滤光层，第一光阻层设于第一衬底上，第一光阻层开设有多条平行且间隔设置的滤光槽，彩色滤光层包括多个滤光单元，各滤光单元一一对应设于各滤光槽中。第二基板包括第二衬底及第二光阻层，第二光阻层设于第二衬底上且第二光阻层设有多个平行且间隔设置的条状镂空图案；第二基板的第二光阻层所在面与第一基板的第一光阻层所在面连接，且条状镂空图案与滤光槽垂直相交设置。上述彩色滤光片不仅降低了光阻层的制作和装配的难度，而且通过第一光阻层和第二光阻层的配合能够减少液晶显示装置的漏光现象，并提高其显示对比度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN110373177A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910535771.3
申请日：2019-06-19
申请人： 深圳市卓翼科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种量子点及其制备方法。上述量子点包括核层和壳层，核层的材料的组成元素包括磷元素、铟元素、锌元素及硫元素，核层的半径为2nm～6nm，壳层的厚度为8nm～16nm，壳层包括包覆在核层上的内壳层及包覆在内壳层上的外壳层，内壳层的材料选自ZnSeS及ZnSe中的一种，外壳层的材料为ZnS。上述量子点的半峰宽在40nm左右，量子产率高达78％。
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公开(公告)号：CN110707201B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910940517.1
申请日：2019-09-30
申请人： 深圳市卓翼科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种量子点发光装置，包括基板、LED芯片、隔热层、量子点层及保护层。LED芯片设于基板上，LED芯片为紫外光LED芯片。隔热层设于LED芯片的外表面。量子点层设于隔热层上。量子点层包含有相互独立的红色量子点单元、橙色量子点单元、黄色量子点单元、绿色量子点单元、青色量子点单元及蓝色量子点单元。保护层设于量子点层上并同时包覆量子点层、隔热层及LED芯片。该量子点发光装置发出的白光的显色指数较高、蓝光强度较低，光谱范围广、色温适宜，更加贴近自然光。此外，量子点发光装置的发光效率与使用寿命较高。
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公开(公告)号：CN112126430A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011039735.7
申请日：2020-09-28
申请人： 天津卓达科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种磷化铟核壳结构量子点及其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：制备铟前体溶液和磷前体溶液；将铟前体溶液调节到第一温度并加入磷前体溶液混合，形成含有磷化铟纳米晶核的第一混合溶液；第一温度为60～120℃；将第一混合溶液升温至第二温度并保温30～50min；第二温度为200～300℃；于第二温度保温之后降温至第三温度，加入脂肪酸、脂肪胺、非配位溶剂及氧化锌前驱体，形成第二混合溶液；第三温度为40～100℃；及将第二混合溶液升温至第四温度并保温20～30min，第四温度为250～320℃，形成氧化锌壳层包覆的磷化铟核壳结构量子点。如此通过控制前躯体、温度、反应时间等，使制得的磷化铟核壳结构量子点的半峰宽较小、量子效率较高。
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公开(公告)号：CN112079863A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010852082.8
申请日：2020-08-21
申请人： 天津卓达科技发展有限公司
IPC分类号： C07F7/24 , C07C257/12 , C09K11/06 , H01L51/54
摘要： 本发明涉及一种甲脒基钙钛矿及其制备方法和应用。该甲脒基钙钛矿的制备方法，包括如下步骤：将金属卤化物、甲脒基卤化物、二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合，制备溶液A；其中，金属卤化物中金属选自Pb、Sn、Mn、Bi、Ge、Cu或Sb；将甲苯、油酸和油胺混合，制备溶液B；将溶液A滴加到溶液B中，形成纳米晶体。上述甲脒基钙钛矿的制备方法工艺简单，可在常温下进行，且反应一步法合成，本发明通过选择溶液A和溶液B中特定种类的溶剂，制得具有一维纳米棒的特定形貌的甲脒基钙钛矿；进一步检测可知，甲脒基钙钛矿为单斜晶相结构。该甲脒基钙钛矿发射出蓝光光谱，且发光稳定，发光效率高，将蓝光光致发光效率从传统的30％提高到了70％。
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公开(公告)号：CN111106103A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN202010043343.1
申请日：2020-01-15
申请人： 天津卓达科技发展有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/64 , F21S8/02 , F21V23/00 , F21V19/00 , F21V5/04 , F21V9/40 , F21V9/30 , F21V29/70
摘要： 本发明涉及一种LED发光装置及照明设备，其中的LED发光装置包括：电路板；主光源，设于所述电路板上，所述主光源为白光LED；及辅助增强光源，设于所述电路板上且与所述主光源位于同侧，所述辅助增强光源包括蓝光LED芯片及设于所述蓝光LED芯片的出光方向上的量子点膜片。该照明设备及其LED发光装置，采用白光LED作为主光源，并设置辅助增强光源，通过量子点膜片将蓝光LED芯片发出的蓝光进行转化，如此在不转化主光源的情况下将蓝光转化后的光线与主光源结合，进而提高了主光源的显色指数，使得LED发光装置发出的光线在不同波长光下的色彩表现力显著提高。
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公开(公告)号：CN111073632A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911250008.2
申请日：2019-12-09
申请人： 天津卓达科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种复合量子点及其制备方法和量子点膜，其中的复合量子点，括量子点负载微球核层、二氧化硅壳层及链状烷基有机配体，量子点负载微球核层包括聚合物介孔微球及负载于聚合物介孔微球的介孔结构中的量子点，二氧化硅壳层包覆于量子点负载微球核层上，链状烷基有机配体结合在二氧化硅壳层的表面。如此量子点负载于聚合物介孔微球的介孔结构中，相当于经过了聚合物介孔微球的封装包覆，进一步包覆二氧化硅壳层，且二氧化硅壳层的表面还结合有链状烷基有机配体，使得抗水氧稳定性和耐高温性明显增强，还有效地切断了外部腐蚀物质与介孔结构内的量子点之间的直接接触，使得量子点能在苛刻的溶剂中和高温环境中有较好的稳定性性能。
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