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公开(公告)号：CN111446308A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010386946.1
申请日：2020-05-09
申请人： 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/78 , B23K26/38
摘要： 本发明提供了一种太阳电池及激光切片方法，属于光伏技术领域。它包括电池本体，所述的电池本体前表面至少设有一条无发射极区域，具体方法是用激光在电池本体具有p-n结一面，在后续的激光切片位置将有p-n上面的磷硅玻璃或硼硅玻璃划开，接着用湿法腐蚀、干法刻蚀或机械刻蚀的方式将开膜区域的p-n结构去除，形成无发射极区域,并制成电池，之后用激光沿着正面无发射极区域切割，或者沿着正面无发射极区域对应的电池背面的区域切割,将电池本体裂开。本发明可以消除激光切割对p-n结的损伤，显著地减弱由于激光切割导致的太阳电池填充因子下降。
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公开(公告)号：CN111430506A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010315150.7
申请日：2020-04-21
申请人： 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/028
摘要： 本发明提供了一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法，属于光伏技术领域。它将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。本发明提出采用氧化铝钝化硅片表面边缘，同时氧化铝薄膜不会覆盖电池主栅的方法来降低电池激光切割面的载流子复合速率的方法。
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公开(公告)号：CN211828782U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020763214.5
申请日：2020-05-09
申请人： 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/78 , B23K26/38
摘要： 本实用新型提供了一种太阳电池，属于光伏技术领域。它包括电池本体，所述的电池本体前表面至少设有一条无发射极区域。所述的电池本体(1)包括p型硅基底(3)，p型硅基底前表面从里到外依次设有PERC磷扩散发射极(4)和PERC电池减反射膜(5)，p型硅基底后表面从里到外依次设有第一PERC电池背面钝化层(6)和第二PERC电池背面钝化层(7)，所述的无发射极区域(2)贯穿PERC磷扩散发射极(4)和PERC电池减反射膜(5)。本实用新型可以消除激光切割对p-n结的损伤，显著地减弱由于激光切割导致的太阳电池填充因子下降。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN110648939A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911074421.8
申请日：2019-11-06
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种检测太阳能电池片钝化不均匀的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1.挑选成品电池片或经过金属化工序后的过程电池片，在点电压测试系统进行测试；S2.使用光照系统对各太阳能电池片进行照射,光照强度为0.01至1W/cm2，光照时间为0.01-10秒，连续地照射一次，或者，间隔地进行多次照射，得到各电池片在光照下的明暗信息；S3.对每一片电池片上的N个不同位置进行开路电压的测量，得到每一个电池片的N个开路电压，N为大于等于2的自然数；与步骤S2得到该片电池片的明暗信息，结合起来判断电池片为钝化不均匀，根据判定结果，对电池片进行分选。本发明可使钝化均匀的电池片进入下一步组件封装流程，提高了组件的良率。
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公开(公告)号：CN110648936A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910939073.X
申请日：2019-09-30
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种基于光致发光系统检测太阳能电池明暗片的方法，包括以下步骤：S1.使用光致测试系统对成品电池片的样品进行测试；S2.收集测试过程中所述样品的光致发光结果图及光致发光激发亮度值；S3.根据光致发光激发亮度值与样品电压值的对应关系式计算样品上各点的电压值；S4.根据所述光致发光结果图选出亮度差最大的两个点，并比较两个点之间的电压差异是否大于预设值，若是，则判断所述样品为明暗片。本发明通过在电池端筛选出不合格电池片，极大的降低了组件端进行返工处理的成本和消耗。
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公开(公告)号：CN110648937A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911011946.7
申请日：2019-10-23
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种太阳电池电压分布测量方法，其特征在于：包含如下步骤：S1:根据一片太阳电池的切片数量N，采用M组电压探针，每组电压探针均包括上探针和下探针且测量时每片切片电池上至少有一组电压探针，电压探针的上探针和下探针分别接触切片电池的正面电极和背面电极；独立采集各组电压探针收集到各切片电池的开路电压，得到M个开路电压值；其中N≤M≤100；S2:比较M个开路电压值中的任意两个，如满足设定的条件时判断该些切片电池的电压分布不均匀。本发明还提供一种太阳电池电压分布测量装置。本发明通过对组成组件的单元电池即：切片电池的内部电压进行测量，在电池端即筛选出电压分布均匀的电池片，提高了组件端产品的良率。
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公开(公告)号：CN110648939B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201911074421.8
申请日：2019-11-06
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种检测太阳能电池片钝化不均匀的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1.挑选成品电池片或经过金属化工序后的过程电池片，在点电压测试系统进行测试；S2.使用光照系统对各太阳能电池片进行照射,光照强度为0.01至1W/cm2，光照时间为0.01‑10秒，连续地照射一次，或者，间隔地进行多次照射，得到各电池片在光照下的明暗信息；S3.对每一片电池片上的N个不同位置进行开路电压的测量，得到每一个电池片的N个开路电压，N为大于等于2的自然数；与步骤S2得到该片电池片的明暗信息，结合起来判断电池片为钝化不均匀，根据判定结果，对电池片进行分选。本发明可使钝化均匀的电池片进入下一步组件封装流程，提高了组件的良率。
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公开(公告)号：CN110299422B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910578339.2
申请日：2019-06-28
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种激光硼掺杂选择性发射极TOPCon结构电池及其制备方法，方法包括以下步骤：对N型硅片进行清洗制绒；在硼扩散中，推进形成高硼表面浓度的P++层，不进行氧化过程；采用激光对栅线区域进行掺杂推进；经过清洗，放回扩散炉进行氧化形成选择性发射极；去除背面的BSG和P+层，在背面制备隧穿氧化层和掺杂薄膜硅层；去掉正面绕镀产生的多晶硅和步骤Ⅱ得到的BSG，双面沉积钝化层和SiNx减反膜；丝网印刷双面电极。本发明的制备方法不仅可以提高电池的开路电压，而且可以提高电池的填充因子，最终提高TOPCon太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN112687754A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011578609.9
申请日：2020-12-28
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种边缘掺杂的晶体硅太阳电池结构及制备方法，在太阳电池的每一个激光切割边缘界面上设置有重掺杂区，以降低到达边缘界面的少数载流子浓度，从而抑制边缘的复合。在边缘重掺杂区的表面可进一步设置钝化膜以增强表面钝化，形成边缘界面的场钝化及化学钝化，降低边缘的复合电流密度，提高电池开路电压。
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公开(公告)号：CN112103368A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910473109.X
申请日：2019-05-31
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/268
摘要： 本发明公开了一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，包括以下步骤：在硅片衬底的表面生长一层氧化硅层；在氧化硅层上沉积多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜为原位掺杂的多晶硅薄膜或本征多晶硅薄膜，若为本征多晶硅薄膜时，在本征多晶硅薄膜上引入掺杂源；采用激光辐照多晶硅薄膜。对于原位掺杂的多晶硅薄膜，采用激光辐照多晶硅薄膜，以激活掺杂原子。若对于需外部引入掺杂源的多晶硅薄膜，采用激光辐照，将掺杂剂推入多晶硅薄膜以实现掺杂。本发明可以实现多晶硅薄膜掺杂的低温化，本发明可以实现多晶硅薄膜的局域掺杂。
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