公开(公告)号：CN119836427A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380058483.8

申请日：2023-08-10

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高野真也 ,  久保田大贵 ,  中野希望 ,  片冈真奈美 ,  山口史彦 ,  野村孝史 ,  木村真理 ,  松井元志 ,  森本一树

IPC: C07F7/18 ,  C09K3/18 ,  G02B1/11 ,  G02B1/18 ,  G02B5/30 ,  G09F9/00

Abstract: 本发明提供以下式(1)所示的化合物。[式中，R1为包含1个以上的不直接键合羟基或水解性基团的Si原子的1价基团，X1为包含碳原子数11以上的亚烷基的2价的有机基团，RSi为包含键合有羟基或水解性基团的Si原子的1价基团。]R1‑X1‑RSi(1)。

公开(公告)号：CN119630632A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380054137.2

申请日：2023-07-10

Applicant: 大金工业株式会社 ,  国立大学法人京都工艺纤维大学

Inventor： 高野真也 ,  野村孝史 ,  今野勉 ,  山田重之

IPC: C07C41/18 ,  C07C43/17

Abstract: 本发明涉及一种烯烃改性含氟化合物的制造方法，其中，使式(1A)所示的化合物或式(1B)所示的化合物与式(2)所示的化合物在自由基引发剂的存在下反应。式中，各符号如说明书所述。R1A－CFY1－X1…(1A)，X1－CFY1－R1B－CFY1－X1…(1B)，R23Si－(CH2)n1－CR4＝CR5R6…(2)。

公开(公告)号：CN114729117B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202080080491.9

申请日：2020-11-19

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 松井元志 ,  池内秀幸 ,  内藤真人 ,  小泽香织 ,  前平健 ,  野村孝史 ,  三桥尚志 ,  高野真也

IPC: C08G65/336 ,  C07F7/18 ,  C08L71/00 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明提供一种式(1a)或式(1b)所示的含氟代聚醚基的硅烷化合物。式中，各符号的含义与说明书的记载相同。RF1α‑XA‑RSiβ(1a)RSiγ‑XA‑RF2‑XA‑RSiγ(1b)。

公开(公告)号：CN117043228A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280023179.5

申请日：2022-03-09

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 松井元志 ,  野村孝史 ,  高野真也 ,  本多有佳里 ,  渡边裕介 ,  片冈真奈美 ,  后藤章广

IPC: C08G65/336

Abstract: 本发明提供一种式(A1)或(A2)所示的含氟代聚醚基的硅烷化合物[式中，各符号的含义与说明书中的记载相同。]。#imgabs0#

公开(公告)号：CN110431145B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201880018453.3

申请日：2018-03-15

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  能势雅聪 ,  野村孝史 ,  高野真也 ,  内藤真人 ,  小泽香织 ,  渡边裕介 ,  P·胡普菲尔德

IPC: C07F7/18 ,  C08G65/336 ,  C09D5/16 ,  C09D171/00 ,  C09K3/18

公开(公告)号：CN110248983A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009939.0

申请日：2018-02-02

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  高野真也 ,  内藤真人 ,  能势雅聪 ,  渡边裕介

IPC: C08G65/336 ,  C09D5/16 ,  C09D183/12 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明提供一种以式(1a)或以式(1b)表示的含有全氟(聚)醚基的硅烷化合物。(Rf-PFPE)β-X-(CRakRblRcm)α…(1a)(RcmRblRakC)α-X-PFPE-X-(CRakRblRcm)α…(1b)[式中，各记号的含义与说明书中的记载相同。]。

公开(公告)号：CN119698451A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380058448.6

申请日：2023-08-10

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 片冈真奈美 ,  内藤真人 ,  久保田大贵 ,  高野真也 ,  松井元志 ,  山口史彦 ,  野村孝史

IPC: C09K3/18 ,  C07F7/18 ,  C08L83/00 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18

Abstract: 本发明提供一种含有(成分A)包含长链烷基结构的硅烷偶联剂和(成分B)包含硅氧烷结构的硅烷偶联剂的组合物。

公开(公告)号：CN119110820A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202380037064.6

申请日：2023-05-24

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 山下恒雄 ,  久保田大贵 ,  三桥尚志 ,  高野真也

IPC: C08G65/32

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在比现有技术更低压的情况下且以高收率制造在两末端具有活性基团的含有氟聚醚基的化合物的方法。本发明的含有氟聚醚基的化合物的制造方法包括将式(1)所示的化合物在反应介质的存在下与还原剂发生作用，由此得到式(2)所示的化合物的步骤，上述反应介质含有含氟醇。R1‑CO‑XA‑RF2‑XA‑CO‑R2(1)R1‑CH2‑XA‑RF2‑XA‑CH2‑R2(2)。

公开(公告)号：CN117062854A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280023635.6

申请日：2022-03-09

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 池内秀幸 ,  高野真也 ,  野村孝史

IPC: C08G65/336

Abstract: 本发明涉及一种提供一种后述式(A1)或(A2)所示的含有氟代聚醚基的硅烷化合物。各符号如说明书的记载。RF1‑X1‑CRSi2(OR11)···(A1)(R11O)RSi2C‑X1‑RF2‑X1‑CRSi2(OR11)···(A2)。

公开(公告)号：CN111670207B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201980011171.5

申请日：2019-01-31

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  内藤真人 ,  渡边裕介 ,  小泽香织 ,  高野真也 ,  P·胡普菲尔德

IPC: C08G65/336 ,  C03C17/32 ,  C08G65/00 ,  H04M1/02

Abstract: 一种电子设备，其至少在部分表面具有式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)或(C2)中的任一式所示的含氟代(聚)醚基的硅烷化合物形成的表面处理层。式中，PFPE在每次出现时分别独立地为式：－(OC6F12)a－(OC5F10)b－(OC4F8)c－(OC3XF6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－所示且至少具有1个支链结构的基团、或者为式：－(R16－R17)j1－所示的基团。各符号的含义与说明书中的记载相同。