公开(公告)号：CN102839062A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210345066.5

申请日：2008-08-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 中村新吾 ,  毛塚健彦

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00

CPC classification number: H01L21/02068 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明是残渣除去液的使用，提供一种选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种化合物在除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣时用于保护Cu表面的使用，其中，(1)是含有具有式：＝N-NH-所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下；(2)是含有具有式：-N＝C(SH)-X-(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下；(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。

公开(公告)号：CN100595893C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN99813592.5

申请日：1999-11-22

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 毛塚健彦 ,  陶山诚 ,  板野充司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C09K13/08

CPC classification number: C09K13/08 ,  C03C15/00 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种含氢氟酸的蚀刻溶液，其特征在于该蚀刻溶液蚀刻硅酸硼玻璃膜(BSG)或磷硅酸硼玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率/蚀刻热氧化物膜(THOX)的蚀刻速率的比值在25℃为10以上。本发明还提供对需要蚀刻的物品进行蚀刻而生产蚀刻制品的方法及由此得到的产品。

公开(公告)号：CN1678961B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN03819876.2

申请日：2003-08-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 板野充司 ,  金村崇 ,  中村新吾 ,  上谷文宏 ,  毛塚健彦

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H05K3/26

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/24 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/42 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  G03F7/428 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明提供一种包含有机酸及有机溶剂中的至少一种，及氟化氢(HF)的，low-k膜用的抗蚀剂剥离液及通孔或电容器清洗液，及使用上述物质的抗蚀剂剥离方法及通孔或电容器的清洗方法。

公开(公告)号：CN1575331A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02821177.4

申请日：2002-10-23

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 板野充司 ,  毛塚健彦

IPC: C11D7/10 ,  C11D7/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D7/32 ,  C11D3/26 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5018 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明涉及一种清洗组合物，其特征为含有(1)从羟基胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐组成的组中选出的至少1种与氟氢酸形成的氟化物盐和二氟化物盐中的至少1种；(2)至少1种具有杂原子的有机溶剂；和(3)水。

公开(公告)号：CN1328696A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN99813592.5

申请日：1999-11-22

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 毛塚健彦 ,  陶山诚 ,  板野充司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C09K13/08

CPC classification number: C09K13/08 ,  C03C15/00 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种含氟化氢(HF)的蚀刻溶液,其蚀刻速率的比值为:硼玻璃膜(BSG)或硼磷玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率/热氧化膜(THOX)的蚀刻速率在25℃为10或更大。

公开(公告)号：CN101657887A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880011921.0

申请日：2008-04-08

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 板野充司 ,  中村新吾 ,  毛塚健彦 ,  渡边大祐

IPC: H01L21/308

CPC classification number: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C09K15/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76814

Abstract: 本发明提供伴随药液蒸发等的组成变化少、药液更换频度少，而且经时的蚀刻速率变化也少，能够均匀蚀刻硅氧化膜的蚀刻液。具体地涉及含有氢氟酸(a)、氟化铵(b)以及氟化氢与沸点比氨高的碱的盐(c)的蚀刻液，氟化铵(b)的浓度为8.2mol/kg以下，氟化铵(b)和氟化氢与沸点比氨高的碱的盐(c)的合计为9.5mol/kg以上，还涉及该蚀刻液的制造方法以及使用该蚀刻液的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN1759472A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006797.0

申请日：2004-03-10

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 陶山诚 ,  毛塚健彦 ,  板野充司

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C11D7/10 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052

Abstract: 腐蚀用或洗涤用溶液的制造方法，所述溶液的特征在于，其含有(1)由选自氨、羟胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐构成的组中的至少一种和氢氟酸形成的氟化物盐及氟化氢盐中的至少一种；(2)具有杂原子的有机溶剂中的至少一种；以及(3)水，所述方法包括：工序1，将氢氟酸水溶液和具有杂原子的有机溶剂中的至少一种混合；和工序2，将工序1得到的混合物和选自氨、羟胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐构成的组中的至少一种或其氟化物盐混合。

公开(公告)号：CN1167110C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN99813593.3

申请日：1999-11-22

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 毛塚健彦 ,  陶山诚 ,  板野充司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C09K13/08

CPC classification number: H01L21/31111 ,  C09K13/08

Abstract: 一种蚀刻溶液，其对热氧化膜(THOX)和硼磷玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率在25℃为100埃/分钟或略低，蚀刻速率的比值：BPSG的蚀刻速率/THOX的蚀刻速率的值为1.5或更小。

公开(公告)号：CN1426452A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN01808514.8

申请日：2001-04-26

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 毛塚健彦 ,  板野充司

IPC: C11D7/10 ,  C11D7/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/423 ,  C11D3/042 ,  C11D3/43 ,  C11D7/10 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063

Abstract: 一种洗涤剂组合物，所述的洗涤剂组合物包含(1)氟盐和二氟化氢盐中的至少一种；(2)含一个或多个杂原子的有机溶剂；和(3)水；一种使用该组合物清洗金属栅、接触孔、通路孔和电容器的方法；一种使用该组合物清除从抗蚀剂衍生来的残余聚合物的方法；一种使用该组合物在CMP之后进行清洁处理的方法。

公开(公告)号：CN102379028B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201080015110.5

申请日：2010-03-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 板野充司 ,  中村新吾 ,  毛塚健彦 ,  江藤友亮

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/31111 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，其通过含有氢氟酸(A)、氟化铵(B)、由具有高于氢氟酸(pKa＝3.17)的pKa的酸(C1)和具有高于氨(pKa＝9.24)的pKa的碱(C2)得到的盐(C)和水(D)，伴随药液的蒸发等组成变化小，药液的交换频率低即可，且即使经过长时间也能够均匀地对硅氧化膜进行蚀刻。