公开(公告)号：CN103978406A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410197096.5

申请日：2014-05-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张振宇 ,  王博 ,  张念民 ,  徐朝阁

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  B24B37/20

CPC classification number: B24B1/00 ,  B24B37/00

Abstract: 一种铌酸锂晶体高效超光滑化学机械抛光方法，属于非线性光学晶体超精密加工技术领域。其特征是样品为铌酸锂晶片，采用固结磨料研磨、保持环硬抛光垫抛光、保持环软抛光垫化学机械抛光相结合的加工方法，硬抛光垫为合成革或聚氨酯抛光垫，软抛光垫为无纺布或绒毛抛光垫。化学机械抛光液的pH值为10.2-10.6，含有氧化铈、氧化硅、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化钡、高锰酸钾、双氧水、柠檬酸、醋酸、草酸中的四种。固结磨料研磨时间为15-25min，硬抛光垫抛光时间为50-70min，化学机械抛光时间为3-6min。化学机械抛光的材料去除率为420-460nm/min，抛光后铌酸锂的平面度为3.8-5.5μm，表面粗糙度Ra为0.35-0.5nm，PV值为3.8-6nm。本发明的效果和益处是实现了非线性光学晶体高效超光滑抛光方法。

公开(公告)号：CN102658529A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210141014.6

申请日：2012-05-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张振宇 ,  李方元 ,  张念民 ,  郭东明

IPC: B24D18/00

Abstract: 一种超细磨粒纳米磨削制备纳米颗粒方法，属于硬脆及软脆半导体纳米磨削制备纳米颗粒技术领域，特别涉及硬脆及软脆半导体的超精密加工方法。其特征是采用纳米硬度≤15 GPa的硬脆及软脆半导体为工件，无化学液超精密加工获得纳米颗粒方法。采用#10000-#300000的超细金刚石磨粒作为磨料，金刚石的浓度≥200，用陶瓷结合剂制备成超细金刚石砂轮。纳米磨削中主轴进给量为1-100 μm/min，采用去离子水作为磨削液，完成延性域面磨削超精密加工方法。本发明采用纯机械超精密加工方法，无化学反应及环境污染的绿色物理方法制备纳米颗粒。本发明的效果和益处是实现了纳米硬度≤15 GPa的硬脆及软脆半导体的无化学液超精密加工获得纳米颗粒的效果。

公开(公告)号：CN102621169B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201210104895.4

申请日：2012-04-11

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张振宇 ,  霍艳霞 ,  张念民 ,  郭东明

IPC: G01N23/04

Abstract: 一种II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像方法，属于II-VI族软脆晶体超精密加工及透射电镜样品定点原子成像技术领域。其特征是采用II-VI族软脆晶体超精密加工样品作为透射电镜制备目标，超精密加工图案贯穿样品表面宽度。透射电镜样品制备时第一面和第二面结束时分别采用0.5μm和1μm的抛光薄膜。离子减薄时采用液氮冷却，低角度及低能量轰击的方法进行离子减薄。定点成像时双倾台β的角度为±22°之间。定点成像的对象是定点位置与胶连接完好的碎片或定点减薄位置。定点原子成像的曝光时间≤0.15秒。本发明的效果和益处是实现了II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点高清晰原子成像效果。

公开(公告)号：CN102816911A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210306177.5

申请日：2012-08-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张振宇 ,  张念民 ,  李方元 ,  郭东明

IPC: C21D7/02 ,  C22F1/00

Abstract: 一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法，属于II-VI族软脆晶体纳米加工制造技术领域，特别涉及II-VI族软脆晶体的光电子器件制造的方法。其特征是采用表面粗糙度Ra≤1.5纳米的II-VI族软脆单晶体为样品，在≤1牛载荷下，用纳米压痕和纳米划痕制备单向、连续和无晶界纳米孪晶方法。压头为Berkovich三棱锥、圆锥和三棱直角锥，划针为圆锥形划针。制备的纳米孪晶结构为厚度在15-100纳米的大孪晶和小于15纳米的小孪晶交替分布模式。形成的纳米孪晶结构硬度可达80 GPa，为原单晶体的100倍，并具有良好的塑性，可承受300次的循环加载。本发明的效果和益处是实现了机械变形制备II-VI族软脆晶体超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法。

公开(公告)号：CN102621169A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210104895.4

申请日：2012-04-11

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张振宇 ,  霍艳霞 ,  张念民 ,  郭东明

IPC: G01N23/04

Abstract: 一种II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像方法，属于II-VI族软脆晶体超精密加工及透射电镜样品定点原子成像技术领域。其特征是采用II-VI族软脆晶体超精密加工样品作为透射电镜制备目标，超精密加工图案贯穿样品表面宽度。透射电镜样品制备时第一面和第二面结束时分别采用0.5μm和1μm的抛光薄膜。离子减薄时采用液氮冷却，低角度及低能量轰击的方法进行离子减薄。定点成像时双倾台β的角度为±22°之间。定点成像的对象是定点位置与胶连接完好的碎片或定点减薄位置。定点原子成像的曝光时间≤0.15秒。本发明的效果和益处是实现了II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点高清晰原子成像效果。