一种局部溶解性激活辅助聚合物超声波键合方法

    公开(公告)号:CN101537709B

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN200910301831.1

    申请日:2009-04-24

    IPC分类号: B29C65/08

    摘要: 本发明公开了一种局部溶解性激活辅助聚合物超声波键合方法,属于聚合物器件制造领域,用于聚合物器件的键合封装。其特征是该技术利用超声波局部产热特性,结合某些溶液(如乙醇、异丙醇)对有机材料的温变溶解特性,实现了低于聚合物器件材料临界振幅的超声波非熔融键合封装。本发明的效果和益处是:利用此方法进行超声键合时,材料接触界面的温度不会超过其熔融温度,可以避免因局部过热引起的气泡现象和因熔融液流延难以控制引起的器件功能结构形貌的变化,而且极大地改善了现有的针对聚合物器件键合封装技术在生产效率、制作质量等方面存在的问题。

    一种用于聚合物微流控芯片微通道超声波键合的微结构

    公开(公告)号:CN101544350A

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200910010024.4

    申请日:2009-01-05

    IPC分类号: B81C5/00 B81C3/00 B29C65/08

    摘要: 本发明公开了一种聚合物微流控芯片微通道超声波键合的微结构,属于聚合物MEMS制造领域,用于聚合物微流控芯片微通道的封接。其特征是该微结构由微导能结构和微通道组成,键合过程发生的界面为与微导能结构直接接触的平面,通过微导能结构在超声波键合过程中受热软化润湿将上下片粘接在一起,整个键合过程不产生导能结构熔融物质的流延。本发明的有效效果是解决了其它方式在键合微流控芯片的过程中,由于热影响区域大,导致芯片微通道易发生形变或熔融液体流延易于造成微通道的堵塞,或者对不带有导能结构的芯片直接进行大面的键合时,产生的能量不能集中无法实现联接和密封等问题,提高了聚合物微流控芯片超声波键合的键合质量。

    一种基于温度补偿的无导能筋聚合物超声波键合方法

    公开(公告)号:CN101607688B

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200910303436.7

    申请日:2009-06-19

    IPC分类号: B29C65/08 B81C3/00

    摘要: 本发明公开了一种基于温度补偿的无导能筋聚合物超声波键合方法,属于聚合物MEMS制造领域,用于聚合物微器件的键合封装。其特征是该技术利用低振幅下超声波产生局部表面热的特性,结合温控装置加热进行温度补偿,实现了低于聚合物临界振幅的超声波聚合物器件大面键合封装。本发明的效果和益处是:利用此方法进行超声焊接时,不需要制作专门的导能筋结构,减少了器件制作工序,降低了制作难度;由于超声振幅大大低于器件的临界振幅,所以材料接触界面的最高温度在其玻璃转化温度左右,避免了过热易引起的气泡现象和器件结构形貌的变化。

    一种基于温度补偿的无导能筋聚合物超声波键合方法

    公开(公告)号:CN101607688A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200910303436.7

    申请日:2009-06-19

    IPC分类号: B81C3/00

    摘要: 本发明公开了一种基于温度补偿的无导能筋聚合物超声波键合方法,属于聚合物MEMS制造领域,用于聚合物微器件的键合封装。其特征是该技术利用低振幅下超声波产生局部表面热的特性,结合温控装置加热进行温度补偿,实现了低于聚合物临界振幅的超声波聚合物器件大面键合封装。本发明的效果和益处是:利用此方法进行超声焊接时,不需要制作专门的导能筋结构,减少了器件制作工序,降低了制作难度;由于超声振幅大大低于器件的临界振幅,所以材料接触界面的最高温度在其玻璃转化温度左右,避免了过热易引起的气泡现象和器件结构形貌的变化。

    一种局部溶解性激活辅助聚合物超声波键合方法

    公开(公告)号:CN101537709A

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200910301831.1

    申请日:2009-04-24

    IPC分类号: B29C65/08

    摘要: 本发明公开了一种局部溶解性激活辅助聚合物超声波键合方法,属于聚合物器件制造领域,用于聚合物器件的键合封装。其特征是该技术利用超声波局部产热特性,结合某些溶液(如乙醇、异丙醇)对有机材料的温变溶解特性,实现了低于聚合物器件材料临界振幅的超声波非熔融键合封装。本发明的效果和益处是:利用此方法进行超声键合时,材料接触界面的温度不会超过其熔融温度,可以避免因局部过热引起的气泡现象和因熔融液流延难以控制引起的器件功能结构形貌的变化,而且极大地改善了现有的针对聚合物器件键合封装技术在生产效率、制作质量等方面存在的问题。

    一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法

    公开(公告)号:CN101613077A

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200910304439.2

    申请日:2009-07-16

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 传统硅工艺制作复杂微结构,在第二次甩胶光刻时易出现堆胶和脱胶问题,使得硅基上微结构的制作无法顺利进行。本发明公开了一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法,属于硅工艺制造领域,用于实现硅片上复杂微结构的制作。该方法利用掩蔽层生长以及套刻技术,将多个掩模版的图形逐层转移到硅片上,在硅微结构腐蚀前,将整个工艺所涉及的光刻步骤全部完成,避免了由于硅微结构的存在引起的堆胶和脱胶问题,实现了硅片上微复杂结构的制作。本发明的效果和益处是能够解决传统硅工艺中微复杂结构难以制备的问题,并且该方法与传统硅工艺具有较好的兼容性,操作灵活,简单。