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发明公开
一种二氧化锡量子点的制备方法、气体传感器及其制备方法无效

公开(公告)号：CN110726759A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201911055260.8

申请日：2019-10-31

Applicant: 大连海事大学

Inventor： 刘剑桥 , 翟朝霞 , 金国华 , 吕佳蓉 , 薛微婷 , 金浩 , 孙舒岚

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种二氧化锡量子点的制备方法、气体传感器及其制备方法，一种二氧化锡量子点的制备方法，包括以下步骤：在反应容器中依次加入CH4N2S、H2O和SnCl2·2H2O，在室温下搅拌15～30h，得到SnO2量子点溶液；将得到的SnO2量子点溶液在125～225℃下进行2～20h的水热法处理。一种气体传感器的制备方法，包括以下步骤：将水热处理后的SnO2量子点溶液加热浓缩至原溶液的15％～25％，得到浓缩溶液；将浓缩溶液旋涂在附着银电极的氧化铝基体上，并进行烘干；至少一次重复旋涂步骤，得到涂覆有SnO2量子点的气体传感器。本发明制备的SnO2量子点简单、无毒且粒径可控，制作的气体传感器使用方便且成本低廉。

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