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公开(公告)号：CN101853894B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010146780.2
申请日：2010-04-14
Applicant: 大连海事大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法，所述的探测器包括玻璃基底、导电薄膜，所述的玻璃基底是石英玻璃基底，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO2纳米线异质结阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极。所述的制备方法，包括在导电薄膜上制备NiO-TiO2纳米线异质结阵列并在NiO-TiO2纳米线异质结阵列上制备P型欧姆电极和在导电薄膜上制作N型欧姆电极。本发明的核心结构由TiO2纳米线阵列和NiO纳米线阵列通过线-线对接构成纳米线异质结阵列结构，具有外量子效率和灵敏度高、响应速度快、暗电流小、体积小巧等诸多优点。
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公开(公告)号：CN107037266A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611106364.3
申请日：2016-12-05
Applicant: 大连海事大学
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/2605
Abstract: 本发明公开了一种MOS电容三频率测量方法，包括以下步骤：建立MOS电容的五元素等效电路模型；采用两元素并联模型对MOS电容在三个频率下进行C‑V特性测量；根据五元素等效电路模型以及上述C‑V特性测量数据提取MOS电容的六个辅助特征方程；根据辅助特征方程求解得到MOS电容的电容值。对比现有技术中的双频C‑V结合I‑V的MOS电容测量方法，本发明具有几乎同样高的电容测量精度。本发明只需要测量C‑V数据、不需要测量I‑V数据，解决了批量测量时硬件和软件上频繁切换C‑V和I‑V测量的问题，更是解决了很多仪器没有I‑V测量功能而无法使用现有专利技术的问题。因而，本发明是有效的、并且测量效率大大提高。
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公开(公告)号：CN106154684A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610839074.3
申请日：2016-09-21
Applicant: 大连海事大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1337 , G02F1/1343 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/29 , G02F1/133753 , G02F1/1339 , G02F1/1343
Abstract: 本发明是一种展曲取向液晶透镜，包括：第一基板、第二基板、液晶层、隔垫物、第一配向膜、第二配向膜、第一电极层以及第二电极层；所述第一基板、第二基板分别设置于所述液晶层的上、下两端，所述第一基板、所述第二基板上方分别覆盖有所述第一电极层和所述第二电极层，所述隔垫物设置于所述液晶层的外围，所述第一电极层设置的圆形结构使得加载在液晶层上的电场呈圆对称，沿径向不同位置处液晶分子呈梯度折射率分布变化，以便实现透镜功能；所述第一配向膜涂覆在所述第一基板与所述液晶层之间，所述第二配向膜涂覆在所述第二电极层与所述液晶层之间。所述第一配向膜与所述第二配向膜平行同向配向，使液晶分子成展曲排列状态。本发明实现有效提高液晶透镜的响应速度。
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公开(公告)号：CN103234466A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310109257.6
申请日：2013-03-30
Applicant: 大连海事大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明涉及一种油膜厚度测量装置及方法，特别涉及稳态及非稳态条件下油膜厚度测量装置及方法，属于润滑油技术领域。一种油膜厚度测量装置，包括载荷加载机构、旋转动力机构和载荷测量机构，所述载荷加载机构包括电机及设于电机上的偏心轮，偏心轮下方设有加载板，所述加载板的一端固定于载荷加载机构中的下弹簧片上，另一端为自由端。本发明所述装置可测量稳态和非稳态条件下的润滑油膜厚度，适用于润滑理论和技术的科学研究领域。
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公开(公告)号：CN110534631A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910838827.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 大连海事大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本发明提供一种LED结合钙钛矿量子点微晶玻璃的显示用宽色域背光源，用于为显示器提供光源，背光源包括LED和钙钛矿量子点微晶玻璃，钙钛矿量子点微晶玻璃包括红光、绿光和蓝光钙钛矿量子点微晶玻璃；钙钛矿量子点微晶玻璃材料为CsPbX3(X＝Cl,Br,I)，或CsPb(ClxBr1-x)3，或CsPb(BrxI1-x)3；背光源光谱包含蓝光LED的自身蓝光成分，蓝光LED激发CsPbBr3或CsPb(BrxI1-x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽绿光成分，蓝光LED激发CsPbI3或CsPb(BrxI1-x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽红光成分；背光源光谱也可以是包含低于量子点的吸收截止波长的短波长LED激发蓝光CsPb(ClxBr1-x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽蓝光成分，短波长或蓝光LED激发CsPbBr3或CsPb(BrxI1-x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽绿光成分、短波长或者蓝光LED激发CsPbI3或CsPb(BrxI1-x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽红光成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105954600B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610522936.X
申请日：2016-07-05
Applicant: 大连海事大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供一种基于五元素模型的MOS电容测量方法，包括：建立MOS电容的五元素等效电路模型；对MOS电容采用两元素并联模型在两个不同频率下进行C‑V测量并且进行I‑V测量；根据所述五元素等效电路模型以及测量结果提取所述MOS电容的辅助特征方程；根据所述辅助特征方程求解得到所述MOS电容的电容值。本发明方法应用于无色散电介质的MOS结构中，得到的合理的MOS电容并且不随选取的两个频率而变化(即无色散)，其他四个元素也都有合理的数值解，显示出基于五元素模型的MOS电容测量方法的合理性和自洽性。
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公开(公告)号：CN103063582A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210578787.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 大连海事大学
IPC: G01N21/25 , G01N21/21 , G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种检测有机胺的液晶化学传感器的敏感取向膜及其制备方法，属于化学传感检测技术领域。一种检测有机胺的液晶化学传感器的敏感取向膜的制备方法，是在氨基化的基板上采用癸二酰氯自组装后再进行水解，制作具有羧基基团的有机胺敏感膜。该方法制作工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN110534631B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910838827.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 大连海事大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本发明提供一种LED结合钙钛矿量子点微晶玻璃的显示用宽色域背光源，用于为显示器提供光源，背光源包括LED和钙钛矿量子点微晶玻璃，钙钛矿量子点微晶玻璃包括红光、绿光和蓝光钙钛矿量子点微晶玻璃；钙钛矿量子点微晶玻璃材料为CsPbX3(X＝Cl,Br,I)，或CsPb(ClxBr1‑x)3，或CsPb(BrxI1‑x)3；背光源光谱包含蓝光LED的自身蓝光成分，蓝光LED激发CsPbBr3或CsPb(BrxI1‑x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽绿光成分，蓝光LED激发CsPbI3或CsPb(BrxI1‑x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽红光成分；背光源光谱也可以是包含低于量子点的吸收截止波长的短波长LED激发蓝光CsPb(ClxBr1‑x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽蓝光成分，短波长或蓝光LED激发CsPbBr3或CsPb(BrxI1‑x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽绿光成分、短波长或者蓝光LED激发CsPbI3或CsPb(BrxI1‑x)3量子点微晶玻璃产生的窄线宽红光成分。
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公开(公告)号：CN110275363A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910540493.0
申请日：2019-06-21
Applicant: 大连海事大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1343
Abstract: 本发明公开了一种低像差模式电极液晶透镜，包括依次布置第一基板、第一电极层、高电阻层、第一配向层、液晶层、衬垫层、第二配向层、第二电极层、第二基板，所述第一电极层上设有圆形图案电极；与所述圆形图案电极对应的所述高电阻层的方阻值由所述圆形图案电极的中心向边缘递增。通过调节圆形图案电极对应的高电阻层边缘到中心高电阻层的厚度或者通过调节圆形图案电极对应的高电阻层边缘到中心高电阻层的掺杂离子浓度，得到对应区域方阻值的线性变化分布，从而控制液晶透镜的梯度折射率分布，得到良好的光程差分布以及成像效果，实现液晶透镜的低像差。
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公开(公告)号：CN105954600A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610522936.X
申请日：2016-07-05
Applicant: 大连海事大学
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/2605
Abstract: 本发明提供一种基于五元素模型的MOS电容测量方法，包括：建立MOS电容的五元素等效电路模型；对MOS电容采用两元素并联模型在两个不同频率下进行C‑V测量并且进行I‑V测量；根据所述五元素等效电路模型以及测量结果提取所述MOS电容的辅助特征方程；根据所述辅助特征方程求解得到所述MOS电容的电容值。本发明方法应用于无色散电介质的MOS结构中，得到的合理的MOS电容并且不随选取的两个频率而变化(即无色散)，其他四个元素也都有合理的数值解，显示出基于五元素模型的MOS电容测量方法的合理性和自洽性。
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