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公开(公告)号：CN111636074A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010527423.4
申请日：2020-06-10
Applicant: 大连大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化碳电化学还原用铜电极的制备及其应用，该电极制备方法包括：基底的处理、基底的高温氧化、前驱体铜盐溶液与碱性沉淀剂、还原剂和添加剂以一定比例进行混合后通过水热法沉积铜，结合电化学恒电位还原、浓盐酸洗，制备得到铜电极。本发明通过化学氧化反应在基底上生长出具有纳米线结构的Cu氧化物，然后通过水热反应在其表面生长薄层纳米颗粒，水热反应过程中引入了表面活性剂及还原剂，通过表面活性剂对基底金属表面的定向吸附，可调控金属氧化物的生长取向，通过水热反应沉积引入还原剂，将基底层的纳米线部分还原形成空穴铜，并在其表面沉积高比表面的纳米铜颗粒，增大铜电极的活性比表面积，并增大边、角活性位点的比例。
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公开(公告)号：CN111636074B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010527423.4
申请日：2020-06-10
Applicant: 大连大学
IPC: C25B11/032 , C25B11/091 , C23C18/38 , C25B1/23 , C25B3/26
Abstract: 本发明涉及一种二氧化碳电化学还原用铜电极的制备及其应用，该电极制备方法包括：基底的处理、基底的高温氧化、前驱体铜盐溶液与碱性沉淀剂、还原剂和添加剂以一定比例进行混合后通过水热法沉积铜，结合电化学恒电位还原、浓盐酸洗，制备得到铜电极。本发明通过化学氧化反应在基底上生长出具有纳米线结构的Cu氧化物，然后通过水热反应在其表面生长薄层纳米颗粒，水热反应过程中引入了表面活性剂及还原剂，通过表面活性剂对基底金属表面的定向吸附，可调控金属氧化物的生长取向，通过水热反应沉积引入还原剂，将基底层的纳米线部分还原形成空穴铜，并在其表面沉积高比表面的纳米铜颗粒，增大铜电极的活性比表面积，并增大边、角活性位点的比例。
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公开(公告)号：CN111676482B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010540150.7
申请日：2020-06-13
Applicant: 大连大学
IPC: C25B1/00 , C25B3/26 , C25B11/091 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D9/04 , B01J35/02 , B01J35/00 , B01J23/72
Abstract: 本发明涉及一种二氧化碳电化学还原用电极及其应用，所述催化剂为有序核壳催化剂；所述电极制备方法包括：基底的前处理、将基底层浸入一定量的氢氧化钠与氧化物的混合物中，化学氧化法制备CuOx纳米线/Cu基底；将铜盐中加入还原剂、添加剂以一定比例进行混合，利用变电流密度进行Cu沉积，洗涤、干燥，烘干后，将其置于CO2饱和的电解液中恒电位进行还原，洗涤，干燥；将制备的气体扩散电极浓度为36％～38％的浓盐酸溶液中浸泡，制备得到电极。本发明利用空位铜具有更多的活性面积和缺陷位及各组分间耦合协同作用，提高碳氢化合物的选择性及活性；利用Cu+与各金属间相互作用，将CO2电还原限定在功能结构域内，避免催化剂在CO2还原过程流失，提高催化剂的稳定性。
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公开(公告)号：CN111676482A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010540150.7
申请日：2020-06-13
Applicant: 大连大学
IPC: C25B1/00 , C25B3/04 , C25B11/06 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D9/04 , B01J35/02 , B01J35/00 , B01J23/72
Abstract: 本发明涉及一种二氧化碳电化学还原用电极及其应用，所述催化剂为有序核壳催化剂；所述电极制备方法包括：基底的前处理、将基底层浸入一定量的氢氧化钠与氧化物的混合物中，化学氧化法制备CuOx纳米线/Cu基底；将铜盐中加入还原剂、添加剂以一定比例进行混合，利用变电流密度进行Cu沉积，洗涤、干燥，烘干后，将其置于CO2饱和的电解液中恒电位进行还原，洗涤，干燥；将制备的气体扩散电极浓度为36％～38％的浓盐酸溶液中浸泡，制备得到电极。本发明利用空位铜具有更多的活性面积和缺陷位及各组分间耦合协同作用，提高碳氢化合物的选择性及活性；利用Cu+与各金属间相互作用，将CO2电还原限定在功能结构域内，避免催化剂在CO2还原过程流失，提高催化剂的稳定性。
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