半导体加工用粘合带
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118613896A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202380018415.9

    申请日:2023-01-30

    Abstract: 于本公开中,提供一种半导体加工用粘合带,其具有基材、及配置于上述基材的一个面的能量射线固化性的粘合层,且通过下述试验所求出的于L*a*b*表色系中的色差ΔE*ab为2.0以下。试验:依序具有下述工序(1)~(5)。(1)将上述半导体加工用粘合带的上述粘合层的面贴合于铜箔,而制作层叠体。(2)将上述层叠体于温度25℃±5℃、湿度40%RH以上且60%RH以下、遮蔽能量射线的环境下存放6天。(3)对上述层叠体的上述半导体加工用粘合带照射能量射线,而使上述粘合层固化。(4)自上述层叠体将上述半导体加工用粘合带剥离。(5)求出上述半导体加工用粘合带贴合前的上述铜箔的被粘合面、与上述半导体加工用粘合带剥离后的上述铜箔的被粘合面于L*a*b*表色系中的色差ΔE*ab。

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