公开(公告)号：CN101373736B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200810135255.3

申请日：2003-09-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 门昌辉 ,  青森繁 ,  山元良高

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/498 ,  H01L27/12 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层(20)的步骤；以及利用金属导电层(20)作掩模刻蚀金属扩散阻挡膜(14)的步骤。