公开(公告)号：CN101465378B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200810188422.0

申请日：2008-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A·阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种半导体器件和其制造方法，该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底(1)上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3)，形成在该体区(3)内的N-型源区(6)，形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8)，形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12)，形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区(3)的底部接触并在该阱区(2)内沿平行于该半导体衬底(1)表面的方向延伸到该漏区(8)下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

公开(公告)号：CN102856386B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210337336.8

申请日：2008-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A.阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种半导体器件和其制造方法,该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底（1）上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3),形成在该体区(3)内的N-型源区(6),形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8),形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12),形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区（3）的底部接触并在该阱区（2）内沿平行于该半导体衬底（1）表面的方向延伸到该漏区（8）下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

公开(公告)号：CN102856386A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210337336.8

申请日：2008-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A.阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种半导体器件和其制造方法,该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底（1）上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3),形成在该体区(3)内的N-型源区(6),形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8),形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12),形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区（3）的底部接触并在该阱区（2）内沿平行于该半导体衬底（1）表面的方向延伸到该漏区（8）下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

公开(公告)号：CN101465378A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810188422.0

申请日：2008-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A·阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种半导体器件和其制造方法，该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P－型半导体衬底(1)上的N－型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P－型体区(3)，形成在该体区(3)内的N－型源区(6)，形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N－型漏区(8)，形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12)，形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区(3)的底部接触并在该阱区(2)内沿平行于该半导体衬底(1)表面的方向延伸到该漏区(8)下方的区域的P－型掩埋扩散区(4)。