公开(公告)号：CN101465378B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200810188422.0

申请日：2008-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A·阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种半导体器件和其制造方法，该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底(1)上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3)，形成在该体区(3)内的N-型源区(6)，形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8)，形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12)，形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区(3)的底部接触并在该阱区(2)内沿平行于该半导体衬底(1)表面的方向延伸到该漏区(8)下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

公开(公告)号：CN102856386B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210337336.8

申请日：2008-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A.阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种半导体器件和其制造方法,该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底（1）上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3),形成在该体区(3)内的N-型源区(6),形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8),形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12),形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区（3）的底部接触并在该阱区（2）内沿平行于该半导体衬底（1）表面的方向延伸到该漏区（8）下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

公开(公告)号：CN102290446A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110165559.6

申请日：2011-06-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A.阿伯托 ,  成濑一史

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明公开了半导体设备及其制造方法。根据本发明的半导体设备包括：形成在半导体层上的第二传导类型的第一扩散区；形成在第一扩散区中的第一传导类型的第二扩散区；形成在第二扩散区中的第二传导类型的第一高浓度扩散区和第一传导类型的第二高浓度扩散区；第一扩散区中的与第二扩散区分隔开给定距离的第二传导类型的第三高浓度扩散区；以及形成在第一高浓度扩散区和第三高浓度扩散区上方并且处于二者之间的栅极电极，其间插入有栅极绝缘膜，其中所述栅极电极被形成为与第一高浓度扩散区重叠，并且所述栅极电极在相同电位下与第一高浓度扩散区和第二高浓度扩散区电连接。

公开(公告)号：CN102290446B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201110165559.6

申请日：2011-06-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A.阿伯托 ,  成濑一史

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明公开了半导体设备及其制造方法。根据本发明的半导体设备包括：形成在半导体层上的第二传导类型的第一扩散区；形成在第一扩散区中的第一传导类型的第二扩散区；形成在第二扩散区中的第二传导类型的第一高浓度扩散区和第一传导类型的第二高浓度扩散区；第一扩散区中的与第二扩散区分隔开给定距离的第二传导类型的第三高浓度扩散区；以及形成在第一高浓度扩散区和第三高浓度扩散区上方并且处于二者之间的栅极电极，其间插入有栅极绝缘膜，其中所述栅极电极被形成为与第一高浓度扩散区重叠，并且所述栅极电极在相同电位下与第一高浓度扩散区和第二高浓度扩散区电连接。

公开(公告)号：CN102856386A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210337336.8

申请日：2008-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A.阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种半导体器件和其制造方法,该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底（1）上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3),形成在该体区(3)内的N-型源区(6),形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8),形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12),形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区（3）的底部接触并在该阱区（2）内沿平行于该半导体衬底（1）表面的方向延伸到该漏区（8）下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

公开(公告)号：CN101465378A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810188422.0

申请日：2008-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  A·阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种半导体器件和其制造方法，该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P－型半导体衬底(1)上的N－型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P－型体区(3)，形成在该体区(3)内的N－型源区(6)，形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N－型漏区(8)，形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12)，形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区(3)的底部接触并在该阱区(2)内沿平行于该半导体衬底(1)表面的方向延伸到该漏区(8)下方的区域的P－型掩埋扩散区(4)。