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公开(公告)号：CN100479119C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580004977.X
申请日：2005-02-16
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/786
Abstract: 在薄膜晶体管(1)的制造方法中，将表面要形成栅极氧化膜(4)的被处理基板(2)浸渍到含有活性氧化种的氧化性溶液中，将被处理基板(2)上的多晶硅(51)直接氧化，由此形成栅极氧化膜(4)；通过进行这种氧化膜形成工序，使二氧化硅膜(41)在被处理基板(2)方向上生长，同时形成二氧化硅膜(42)。由此，能够保持多晶硅(51)与栅极氧化膜(4)的界面的洁净，能够均匀地形成绝缘耐受性等特性优异的高品质的栅极氧化膜(4)。因此，能够提供具备绝缘耐受性等性能优异的、在低温下可以形成的、高品质的氧化膜的薄膜晶体管(1)。
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公开(公告)号：CN102792362B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080065109.3
申请日：2010-11-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 图像显示装置(2)基于与各LED对应将输入图像分割为多个的区域来控制背光源的亮度。该图像显示装置(2)所具备的子画面控制部(10)以各子画面的各边与对应的区域的各边重叠的方式变更由作为设定信息的子画面设定数据Ds确定的多画面输入图像Dv包含的子画面输入图像Dv1～Dv3的位置和大小。如此，与子画面对应的区域的数量减少，因此不发生显示上的故障，点亮的LED数量减少，功耗变低。
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公开(公告)号：CN101816011A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880109897.4
申请日：2008-09-26
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 学校法人庆应义塾
IPC: G06K19/077 , G06K19/07
CPC classification number: G11C17/10 , G11C5/04 , G11C7/1006 , G11C2207/107 , H01L23/48 , H01L25/16 , H01L31/03921 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 在玻璃构成的衬底(102)上的预定区域中构成pn结型的太阳电池。从光照射部照射的光在透过衬底(102)之后向n型半导体层(124)照射。从太阳电池产生对应于照射光的量的电动势。在太阳电池的上层侧形成控制电路(60)、掩模ROM(70)、发送电路(80)、和天线(90)。半导体存储装置(100)的表面的整个面被绝缘膜(150)覆盖，切断外气的侵入。该绝缘膜(150)代表性地有物理化学上稳定的玻璃或二氧化硅构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1918701A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004977.X
申请日：2005-02-16
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/786
Abstract: 在薄膜晶体管(1)的制造方法中，将表面要形成栅极氧化膜(4)的被处理基板(2)浸渍到含有活性氧化种的氧化性溶液中，将被处理基板(2)上的多晶硅(51)直接氧化，由此形成栅极氧化膜(4)；通过进行这种氧化膜形成工序，使二氧化硅膜(41)在被处理基板(2)方向上生长，同时形成二氧化硅膜(42)。由此，能够保持多晶硅(51)与栅极氧化膜(4)的界面的洁净，能够均匀地形成绝缘耐受性等特性优异的高品质的栅极氧化膜(4)。因此，能够提供具备绝缘耐受性等性能优异的、在低温下可以形成的、高品质的氧化膜的薄膜晶体管(1)。
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公开(公告)号：CN101816011B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200880109897.4
申请日：2008-09-26
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 学校法人庆应义塾
IPC: G06K19/077 , G06K19/07
CPC classification number: G11C17/10 , G11C5/04 , G11C7/1006 , G11C2207/107 , H01L23/48 , H01L25/16 , H01L31/03921 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 在玻璃构成的衬底(102)上的预定区域中构成pn结型的太阳电池。从光照射部照射的光在透过衬底(102)之后向n型半导体层(124)照射。从太阳电池产生对应于照射光的量的电动势。在太阳电池的上层侧形成控制电路(60)、掩模ROM(70)、发送电路(80)、和天线(90)。半导体存储装置(100)的表面的整个面被绝缘膜(150)覆盖，切断外气的侵入。该绝缘膜(150)代表性地有物理化学上稳定的玻璃或二氧化硅构成。
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公开(公告)号：CN102792362A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201080065109.3
申请日：2010-11-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 图像显示装置(2)基于与各LED对应将输入图像分割为多个的区域来控制背光源的亮度。该图像显示装置(2)所具备的子画面控制部(10)以各子画面的各边与对应的区域的各边重叠的方式变更由作为设定信息的子画面设定数据Ds确定的多画面输入图像Dv包含的子画面输入图像Dv1～Dv3的位置和大小。如此，与子画面对应的区域的数量减少，因此不发生显示上的故障，点亮的LED数量减少，功耗变低。
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公开(公告)号：CN100507880C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410103274.X
申请日：2004-11-12
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H04N19/423
Abstract: 本发明利用较低的时钟频率防止功耗的增大，适应更大的图象尺寸和动态图象处理的增大。通过系统总线(6)连接图象输入部件(1)、图象显示部件(2)、存储部件(3)、通信部件(4)、系统控制部件(5)，从图象输入部件(1)输入的非压缩图象数据，由内装或邻接于图象输入部件(1)设置的图象压缩部件(1a)进行压缩后，经由系统总线(6)传送到存储部件(3)。此外，存储部件(3)积累的压缩图象数据，经由系统总线(6)传送到图象解压缩部件(2a)，由图象解压缩部件(2a)进行数据解压缩，由图象显示部件(2)进行再生显示。
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公开(公告)号：CN1645448A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410103274.X
申请日：2004-11-12
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H04N19/423
Abstract: 本发明利用较低的时钟频率防止功耗的增大，适应更大的图象尺寸和动态图象处理的增大。通过系统总线(6)连接图象输入部件(1)、图象显示部件(2)、存储部件(3)、通信部件(4)、系统控制部件(5)，从图象输入部件(1)输入的非压缩图象数据，由内装或邻接于图象输入部件(1)设置的图象压缩部件(1a)进行压缩后，经由系统总线(6)传送到存储部件(3)。此外，存储部件(3)积累的压缩图象数据，经由系统总线(6)传送到图象解压缩部件(2a)，由图象解压缩部件(2a)进行数据解压缩，由图象显示部件(2)进行再生显示。
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