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公开(公告)号：CN101780946A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910045496.3
申请日：2009-01-16
申请人： 复旦大学
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/203
摘要： 本发明属薄膜制备技术领域，具体涉及一种ZnSe纳米线薄膜的脉冲激光烧蚀沉积制备方法。本发明利用高功率的脉冲激光烧蚀固体硒化锌(ZnSe)材料，在极短时间内使硒化锌材料表面迅速烧蚀蒸发并形成羽状等离子体。等离子体中包括锌(Zn)和硒(Se)的原子以及离子。硒化锌等离子体具有很高的温度及动能，这使得硒化锌纳米线可以在较低的衬底温度下生长。合成的薄膜有均匀的硒化锌纳米线组成，纳米线的平均大小约为20-30纳米，长度约为500纳米。
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公开(公告)号：CN1986878A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610148157.4
申请日：2006-12-28
申请人： 复旦大学
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/02 , C23C16/448 , C23C16/503 , C23C16/52
摘要： 本发明属薄膜制备技术领域，具体为一种直流放电活性原子束喷射制备氮化钛纳米薄膜的方法。该方法利用一台弧热等离子束源来分解甲烷和氮气，出射离子束由高密度的中性氮原子和甲基构成，强度为1019－1020原子/弧度.秒。出射束粒子达到衬底，使得在低衬底温度(小于200摄氏度)合成氮化碳薄膜。合成的薄膜由致密的为21－50纳米的球形晶粒构成，晶粒主要是β－C3N4、石墨相C3N4和CNx结构。
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公开(公告)号：CN107352518A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710603344.5
申请日：2017-07-22
申请人： 复旦大学
IPC分类号： C01B21/082
CPC分类号： C01B21/0605 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/42 , C01P2004/61 , C01P2004/62
摘要： 本发明属于纳米薄膜制备技术领域，具体为一种等离子体溅射反应沉积制备氮化碳纳米锥的方法。本方法利用一台辉光放电装置来分解前驱气体甲烷、氮气和氢气,出射等离子体由高密度的碳氢活性基团，碳氮活性基团，氮气分子，氮气分子离子，氢原子和碳二分子构成。制备过程包括：采用脉冲激光沉积方法，在光滑衬底材料表面沉积镍膜；采用等离子体溅射反应沉积方法，利用辉光放电装置，将覆盖镍膜的衬底转移到放电室中；将甲烷/氮氢气混合气体通入放电室，启动辉光放电,通过调节放电电流与放电电压，控制沉积g-C3N4纳米锥的锐度。合成的纳米锥由垂直基底的底部直径为200-1000纳米，长径比2:1-5:1的纳米级锥尖阵列构成，锥体主要是石墨相C3N4结构。
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公开(公告)号：CN101746739B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200810203597.4
申请日：2008-11-28
申请人： 复旦大学
IPC分类号： C01B21/082
摘要： 一种氮化碳纳米锥及其制备方法，所述氮化碳纳米锥包含β-C3N4、石墨相C3N4和CNx；其中，x为正整数或小数。其制备方法包含如下步骤：(1)在一个真空腔中的光滑衬底材料表面沉积一层10～100纳米的金属中间层；(2)将所述衬底加热至280～300摄氏度，使其自然冷却；(3)将步骤(2)所得的衬底放置在真空腔内的一个石墨基座上，该石墨基座上方设置一原子束源，将1/20～1/150体积比的甲烷/氮气混合气体通入该原子束源；(4)保持所述原子束源的放电电压在100～300伏之间、原子束源内气压为3～100乇，沉积速率为0.01～0.1微米/分钟，沉积时间为5～45分钟；得到氮化碳纳米锥。
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公开(公告)号：CN107267927A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710444800.6
申请日：2017-06-14
申请人： 复旦大学
CPC分类号： C23C14/28 , C23C14/0605 , C23C14/18 , C23C14/5806
摘要： 本发明属薄膜制备技术领域，具体为一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法。本发明采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上沉积一层Ni/C双层膜，然后通过热退火工艺在管式退火炉中进行后处理得到碳镍纳米棒薄膜材料。利用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备得到致密的Ni/C双层膜，热退火可以实现纳米棒材料的生长成型。合成的碳镍纳米棒薄膜的主要成分为NiCx，顶端伴随一定Ni含量的纳米颗粒。本发明制备成碳镍纳米棒薄膜具有良好的导电性能，具有可见光区高透过率的结构，可以在太阳能电池领域加以应用，成为一种新型透明电极材料。
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公开(公告)号：CN101746739A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810203597.4
申请日：2008-11-28
申请人： 复旦大学
IPC分类号： C01B21/082
摘要： 一种氮化纳米锥及其制备方法，所述氮化纳米锥包含β-C3N4、石墨相C3N4和CNx；其中，x为正整数或小数。其制备方法包含如下步骤：(1)在一个真空腔中的光滑衬底材料表面沉积一层10～100纳米的金属中间层；(2)将所述衬底加热至280～300摄氏度，使其自然冷却；(3)将步骤(2)所得的衬底放置在真空腔内的一个石墨基座上，该石墨基座上方设置一原子束源，将1/20～1/150体积比的甲烷/氮气混合气体通入该原子束源；(4)保持所述原子束源的放电电压在100～300伏之间、原子束源内气压为3～100托，沉积速率为0.01～0.1微米/分钟，沉积时间为5～45分钟；得到氮化纳米锥。
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公开(公告)号：CN100476020C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610148157.4
申请日：2006-12-28
申请人： 复旦大学
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/02 , C23C16/448 , C23C16/503 , C23C16/52
摘要： 本发明属薄膜制备技术领域，具体为一种直流放电活性原子束喷射制备氮化钛纳米薄膜的方法。该方法利用一台弧热等离子束源来分解甲烷和氮气，出射离子束由高密度的中性氮原子和甲基构成，强度为1019-1020原子/弧度.秒。出射束粒子达到衬底，使得在低衬底温度(小于200摄氏度)合成氮化碳薄膜。合成的薄膜由致密的为21-50纳米的球形晶粒构成，晶粒主要是β-C3N4、石墨相C3N4和CNx结构。
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公开(公告)号：CN1964594A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610118104.8
申请日：2006-11-09
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明属薄膜材料制备技术领域，具体为一种用于薄膜材料合成的直流放电原子束源。它由阴极、阳极、阴极基座、阳极法兰、阴极法兰、圆柱形石英玻璃筒和电磁铁组成。阴极法兰和阳极法兰固定于石英玻璃筒上下两端，阴极安插于阴极基座下端，阴极基座贯穿阴极法兰中轴，上下可调。阳极为中空，尖端为原子束引出孔，阳极设于阳极法兰的下沉洞孔中。阴极与阳极间距为0.5－1.5厘米可调。本原子束源放电稳定性好，可产生多种气体的原子束；原子束强度大，弧光放电可达1018－21，辉光放电可达1015－18。而且使用寿命长。可用于薄膜制备，材料表面的氮化、氧化处理，也可以用于原子分子物理研究。
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公开(公告)号：CN201039578Y
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200620048966.3
申请日：2006-12-14
申请人： 复旦大学
IPC分类号： H05H3/02
摘要： 本实用新型属薄膜材料制备技术领域，具体为一种用于薄膜材料合成的直流放电原子束源。它由阴极、阳极、阴极基座、阳极法兰、阴极法兰、圆柱形石英玻璃筒和电磁铁组成。阴极法兰和阳极法兰固定于石英玻璃筒上下两端，阴极安插于阴极基座下端，阴极基座贯穿阴极法兰中轴，上下可调。阳极为中空，尖端为原子束引出孔，阳极设于阳极法兰的下沉洞孔中。阴极与阳极间距为0.5－1.5厘米可调。本原子束源放电稳定性好，可产生多种气体的原子束；原子束强度大，弧光放电可达1018－21，辉光放电可达1015－18。而且使用寿命长。可用于薄膜制备，材料表面的氮化、氧化处理，也可以用于原子分子物理研究。
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