公开(公告)号：CN119503857A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411967988.9

申请日：2024-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张凡 ,  袁薇 ,  曹峻毓

IPC: C01F17/235 ,  C01F17/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种具有大开口碗状形貌的纳米实心二氧化铈及其制备方法，具体为利用溶剂热法制备具有高比表面积及均匀粒径的碗状实心二氧化铈纳米粉体，能够满足新的制备技术对半导体表面平整度的要求，提升CMP工艺的整体性能和效率。本发明制备方法简易，对设备要求低；原材料价格低廉，不需要填加任何表面活性剂，重复性好，能够降低CMP工艺成本。

公开(公告)号：CN119954197A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510080636.X

申请日：2025-01-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张凡 ,  袁薇 ,  曹峻毓

IPC: C01F17/10 ,  C01F17/235 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种以嵌段共聚物为模板制备介孔纳米二氧化铈粉体材料的方法，包括将六水合硝酸铈加入到乙醇和嵌段共聚物的混合物中进行反应，并经碳热还原获得介孔纳米二氧化铈。所得到的二氧化铈材料具有高活性、高分散性、三价铈含量高、尺寸均匀和比表面积大等优点。该制备方法步骤简易，对设备要求低，原材料价格低廉，重复性好，易于放大和工业化生产，从而降低CMP工艺成本。

公开(公告)号：CN119775963A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411943190.0

申请日：2024-12-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张凡 ,  袁薇 ,  侯嫣然

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种掺杂金属离子的超小氧化铈抛光磨料的制备方法及应用。该制备方法是以六水合硝酸铈为前驱体，三辛基氧化膦为配体，掺杂水合金属硝酸盐，以乙醇做为助溶剂，前述物质混合溶解后加入1‑十八烯，通过高温热分解法得到掺杂金属的介孔氧化铈纳米球；再经煅烧获得抛光磨料。本发明提供的一种掺杂金属离子的超小氧化铈抛光磨料的制备方法，制备获得了形貌均一、尺寸可控且可掺杂其他金属离子的氧化铈纳米磨料，并且掺杂金属离子后，使得氧化铈表面活性进一步增强，在掺杂了Gd后样品中三价铈离子含量上升至31.0％，以此磨料制备得到的抛光液，无需加入任何助分散剂，在较低的固含量下就可以实现高达342nm/min的抛光速率。

公开(公告)号：CN119490818A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411649415.1

申请日：2024-11-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张凡 ,  袁薇 ,  刘金华

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明属于抛光材料领域，涉及一种具有核壳结构的氧化铈复合磨粒、其制备方法及应用。具有核壳结构的氧化铈复合磨粒包括实心氧化铈纳米球构成的内核，以及介孔氧化铈纳米材料构成的包覆壳层。氧化铈复合磨粒的内核结构致密，包覆壳层具有丰富的孔结构和较大的比表面积。氧化铈复合磨粒的表层为介孔氧化铈，能够使晶片表面的粗糙度下降。内核提供的内部支撑可以减少介孔氧化铈纳米材料的坍塌，使氧化铈复合磨粒具有较好的耐磨性能。相比单一的氧化铈颗粒，本发明的氧化铈复合磨粒的化学反应活性以及材料去除速率显著提升，可以在超精密表面的抛光过程中显著提高材料去除速率、抛光效率以及表面质量，以满足现代芯片行业的高精度制造工艺的需求。