公开(公告)号：CN120035173A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510186036.1

申请日：2025-02-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 望智文 ,  徐航 ,  郭剑斌 ,  廖朋 ,  孙清清

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/17 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开一种鳍式沟道和平面沟道混合式碳化硅MOSFET及其制备方法。该器件包括：碳化硅衬底；N型漂移区，形成在碳化硅衬底上；沟道层，形成在N型漂移区上，沟道层包括平面沟道和鳍式沟道，且鳍式沟道位于平面沟道上；底部P型基区，形成在平面沟道上部的两侧区域，与鳍式沟道保持一定距离；底部N+区，形成在底部P型基区的上部；顶部P型基区，形成在鳍式沟道上；顶部N+区，形成在顶部P型基区上；栅介质层，形成在鳍式沟道两侧，覆盖顶部N+区、顶部P型基区和鳍式沟道的侧壁和平面沟道表面；多晶硅栅，形成在栅介质层上；氧化物层，覆盖多晶硅栅；源极欧姆接触，与底部N+区表面和顶部的N+区表面相接触。有效提升器件电流通道密度、降低导通电阻。