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公开(公告)号：CN114914318A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210474885.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/109 , C30B29/32 , C30B29/16 , C30B1/02
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体为钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜及其制备方法和应用。本发明的异质结二维薄膜的制备方法包括：利用溶胶凝胶法制备四方相钛酸钡薄膜；利用溶胶凝胶法制备介孔二氧化钛溶胶溶液；用旋涂法制备钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜；高温焙烧以除去杂质并晶化；制得的钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜具有优异光响应性，可用于构建高性能紫外光电探测器件。本发明制备方法简便安全、成本低、产量高；构建的紫外光电探测器件在310 nm的入射光照时的响应度可达8.53*10‑3 AW‑1，探测率达5.8*1010 Jones，是mTO紫外光电探测器的17倍。
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公开(公告)号：CN112893861A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110058924.7
申请日：2021-01-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，具体为一种高功函数金属核壳纳米线及其制备方法和应用。本发明制备方法包括高功函数壳层材料包覆，壳层材料掺杂等；通过高功函数壳层材料来提高纳米线的功函数；通过水合肼还原反应，实现在纳米线表面均匀的壳层材料包覆；通过引入铜掺杂改善镍壳层表面氧化带来的导电性下降问题；通过PVP钝化和反应条件控制，保证壳层材料较高的结晶度和电性能。制备得到的银‑镍铜核壳纳米线材料，其功函数显著提高，有助于解决光电器件和柔性电子器件构筑时的功函数失配问题；耐热性能显著提升，并改善电学性能；透明导电性接近银纳米线水平，并与溶液成膜工艺相适应，因而能满足光电器件和柔性电子器件的性能需求。
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公开(公告)号：CN111261325A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010042695.5
申请日：2020-01-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电学器件技术领域，具体为一种仿生透明柔性电极。本发明电极包括：树叶经处理得到的网状结构，以及在网状结构上涂覆的导电物质MXene层；其中，网络状结构为由树叶叶脉经碱液腐蚀形成的叶脉网状透明结构；所述导电物质MXene为Ti2CTx或Ti3C2Tx，均匀涂覆于上述叶脉网状透明结构表面，形成电极。本发明电极的特点：该网络结构有很高的电导率；该网络对紫外-可见光有很高的透过性；该导电网络有很好的弯曲柔韧性，是一种高透过、高导电性、高柔韧性的网状电极结构。
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公开(公告)号：CN116200801B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202310100468.7
申请日：2023-02-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横纵比低和无法用于平面光电器件的问题，制备工艺简单、效率高；获得的单晶具有高品质、高横纵比等特点，在室温下发射对称的荧光峰，具有优异光电性能；可广泛用于光电探测领域。
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公开(公告)号：CN114790614B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210494073.5
申请日：2022-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: D04H1/728 , D04H1/4382 , D01D5/00 , D01F8/18
Abstract: 本发明属于无机半导体纳米纤维薄膜制备技术领域，具体为钛酸钡@二氧化钛复合纳米纤维薄膜的静电纺丝制备方法。本发明方法包括：利用溶胶凝胶法制备钛酸钡纺丝前驱液；利用溶胶凝胶法制备二氧化钛纺丝前驱液；利用静电纺丝工艺混纺制备钛酸钡/二氧化钛复合纳米纤维薄膜；并经原位热处理、高温焙烧除去表面活性剂剂与杂质，并晶化钛酸钡纳米纤维和二氧化钛纳米纤维。本发明实现一步法制备高性能柔性复合纳米纤维薄膜，制备方法简便、低成本且环境友好，为构建高性能柔性紫外光电探测器提供了材料基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613222A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310523530.3
申请日：2023-05-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18 , H10B69/00
Abstract: 本发明属于无机材料器件技术领域，具体为具有光电探测和记忆存储功能的双功能器件及其制备方法。本发明双功能器件包括通过空间限域法在玻璃/ITO衬底表面制备的单晶Cs3Sb2I9材料层，以及顶层的Ag和Au电极；其中，所述单晶Cs3Sb2I9材料层叠合在玻璃/ITO衬底上；所述Ag电极层叠合在Cs3Sb2I9上；所述Au电极层叠合在Ag电极上；通过双层顶电极和上下不对称电极结构实现单一器件的光电探测和记忆存储的双重功能，记为ITO/Cs3Sb2I9/Ag/Au双功能器件。本发明器件在后摩尔时代器件的高度集成中具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN110257003A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910529991.5
申请日：2019-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: C09J183/04 , C09J9/02 , C09J11/08 , C09J7/10
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，具体为自粘性可转移透明柔性导电胶膜及其制备方法和应用。本发明制备方法包括：聚四氟基底的预处理，作为PDMS胶膜衬底，在PDMS胶膜表面制备银纳米线网络，转移透明柔性导电胶膜转移等。所制备的胶膜材料良好地继承了银纳米线网络的透明导电性，厚度可在1~10微米间调控，与现有透明导电材料相比具有以下优势：(1)对电极接触材料的形状、粗糙度、亲疏水性高度适应；(2)具有自粘性，对接触材料表面损伤小，易于二次转移分离，同时保证良好的物理接触和电接触；(3)具有低裂纹敏感性，不易因接触材料微裂纹缺陷形成电极渗漏，导致器件短路。因而可广泛应用于各种柔性电子设备和微纳器件的构筑中。
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公开(公告)号：CN108878553A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810624362.6
申请日：2018-06-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域，具体为一种纤维状可穿戴紫外光电探测器及其制备方法。该紫外探测器包括：纤维状碳纳米管电极，钛线电极，n型TiO2，p型CnZnS。其中p型CuZnS透明导电薄膜材料均匀保形覆盖于n型TiO2纳米管阵列上，碳纳米管电极螺旋状缠绕于p型材料之上，形成纤维状器件结构。本发明形成p‑CuZnS/n‑TiO2型紫外光探测器，有效促进光生载流子的分离，并提高响应速度，降低暗电流；p型材料沿纳米管结构均匀生长于n型材料表面，在保持紫外光透过率的同时增大p‑n结接触面积；碳纳米管和钛线作为p‑n结电极所形成的纤维状器件结构，最终实现光生载流子的有效收集和可穿戴的紫外探测应用。
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公开(公告)号：CN118338746A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410276610.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种铜基卤化物修饰的二维钙钛矿光电探测器及其制备方法。本发明提供的二维钙钛矿光电探测器从下至上依次为导电基底、空穴传输层、铜基卤化物修饰层、钙钛矿光吸收层、电子传输层、金属电极；本发明通过引入铜基卤化物修饰层对二维钙钛矿光吸收层的界面接触及体内缺陷进行有效钝化，制得的二维钙钛矿多晶薄膜表面平整，晶界减少，晶粒尺寸增大；该光电探测器在自供电条件下的灵敏度和响应速度都得到明显提高，光暗电流比达到40000以上，响应度超过0.4A/W，探测率超过7.0×1012Jones，响应速度提升至2.0μs。在同类型光电探测器中具有优异性能，在高分辨图像传感等光电探测领域有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN116200801A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310100468.7
申请日：2023-02-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横纵比低和无法用于平面光电器件的问题，制备工艺简单、效率高；获得的单晶具有高品质、高横纵比等特点，在室温下发射对称的荧光峰，具有优异光电性能；可广泛用于光电探测领域。
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