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公开(公告)号：CN118338746A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410276610.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种铜基卤化物修饰的二维钙钛矿光电探测器及其制备方法。本发明提供的二维钙钛矿光电探测器从下至上依次为导电基底、空穴传输层、铜基卤化物修饰层、钙钛矿光吸收层、电子传输层、金属电极；本发明通过引入铜基卤化物修饰层对二维钙钛矿光吸收层的界面接触及体内缺陷进行有效钝化，制得的二维钙钛矿多晶薄膜表面平整，晶界减少，晶粒尺寸增大；该光电探测器在自供电条件下的灵敏度和响应速度都得到明显提高，光暗电流比达到40000以上，响应度超过0.4A/W，探测率超过7.0×1012Jones，响应速度提升至2.0μs。在同类型光电探测器中具有优异性能，在高分辨图像传感等光电探测领域有广阔应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116200801A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310100468.7
申请日：2023-02-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横纵比低和无法用于平面光电器件的问题，制备工艺简单、效率高；获得的单晶具有高品质、高横纵比等特点，在室温下发射对称的荧光峰，具有优异光电性能；可广泛用于光电探测领域。
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公开(公告)号：CN116200801B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202310100468.7
申请日：2023-02-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横纵比低和无法用于平面光电器件的问题，制备工艺简单、效率高；获得的单晶具有高品质、高横纵比等特点，在室温下发射对称的荧光峰，具有优异光电性能；可广泛用于光电探测领域。
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公开(公告)号：CN119923169A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411848801.3
申请日：2024-12-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域，具体为一种通过非手性阳离子提升钙钛矿薄膜圆偏振光探测性能的方法。本发明提供了一种非手性‑手性双阳离子策略来改善手性钙钛矿中的分子间力和平面外八面体倾斜，获得的手性二维钙钛矿薄膜的吸收各向异性因子提升7倍以上，并且基于此制备了含有空穴传输层和电子传输层的垂直结构圆偏振光电探测器。该圆偏振光电探测器在自供电条件下的光电流各向异性因子达到0.72，高于目前已报道的手性二维钙钛矿基自供电圆偏振光电探测器。该器件实现了高吸收各向异性和高光电流各向异性的平衡，在信息加密等领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN114914318B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210474885.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/109 , C30B29/32 , C30B29/16 , C30B1/02
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体为钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜及其制备方法和应用。本发明的异质结二维薄膜的制备方法包括：利用溶胶凝胶法制备四方相钛酸钡薄膜；利用溶胶凝胶法制备介孔二氧化钛溶胶溶液；用旋涂法制备钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜；高温焙烧以除去杂质并晶化；制得的钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜具有优异光响应性，可用于构建高性能紫外光电探测器件。本发明制备方法简便安全、成本低、产量高；构建的紫外光电探测器件在310 nm的入射光照时的响应度可达8.53*10‑3 AW‑1，探测率达5.8*1010 Jones，是mTO紫外光电探测器的17倍。
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公开(公告)号：CN114914318A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210474885.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/109 , C30B29/32 , C30B29/16 , C30B1/02
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体为钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜及其制备方法和应用。本发明的异质结二维薄膜的制备方法包括：利用溶胶凝胶法制备四方相钛酸钡薄膜；利用溶胶凝胶法制备介孔二氧化钛溶胶溶液；用旋涂法制备钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜；高温焙烧以除去杂质并晶化；制得的钛酸钡@介孔二氧化钛异质结二维薄膜具有优异光响应性，可用于构建高性能紫外光电探测器件。本发明制备方法简便安全、成本低、产量高；构建的紫外光电探测器件在310 nm的入射光照时的响应度可达8.53*10‑3 AW‑1，探测率达5.8*1010 Jones，是mTO紫外光电探测器的17倍。
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