公开(公告)号：CN113594297B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202110849788.3

申请日：2021-07-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄高山 ,  尤淳瑜 ,  张飞 ,  梅永丰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种量子阱及量子点材料能带结构的调控方法，包括以下步骤：步骤1，在衬底上使用真空沉积方法依次生长牺牲层、应力引入层以及量子结构薄膜功能层；步骤2，通过光刻刻蚀牺牲层的开口区域，使用湿法刻蚀或干法刻蚀将应力引入层和量子结构薄膜功能层刻蚀至牺牲层；步骤3，通过开口区域使用化学方法腐蚀部分牺牲层，释放应力引入层和量子结构薄膜功能层，经过预应力释放，应力引入层和量子结构薄膜功能层形成卷曲结构或褶皱结构；步骤4，使用超临界干燥方法，保存具有卷曲结构或褶皱结构的器件。其中，量子结构薄膜功能层为量子阱材料或量子点材料，步骤3中，通过不同的腐蚀参数获得不同的卷曲结构或褶皱结构。

公开(公告)号：CN113594297A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110849788.3

申请日：2021-07-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄高山 ,  尤淳瑜 ,  张飞 ,  梅永丰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种量子阱及量子点材料能带结构的调控方法，包括以下步骤：步骤1，在衬底上使用真空沉积方法依次生长牺牲层、应力引入层以及量子结构薄膜功能层；步骤2，通过光刻刻蚀牺牲层的开口区域，使用湿法刻蚀或干法刻蚀将应力引入层和量子结构薄膜功能层刻蚀至牺牲层；步骤3，通过开口区域使用化学方法腐蚀部分牺牲层，释放应力引入层和量子结构薄膜功能层，经过预应力释放，应力引入层和量子结构薄膜功能层形成卷曲结构或褶皱结构；步骤4，使用超临界干燥方法，保存具有卷曲结构或褶皱结构的器件。其中，量子结构薄膜功能层为量子阱材料或量子点材料，步骤3中，通过不同的腐蚀参数获得不同的卷曲结构或褶皱结构。