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公开(公告)号:CN101777565B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200910247550.2
申请日:2009-12-30
申请人: 复旦大学
IPC分类号: H01L27/142 , H01L21/82
CPC分类号: Y02E10/50
摘要: 本发明属于集成电路技术领域,具体公开了一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池。所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管。该低功耗集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该低功耗集成电路的工艺兼容。该低功耗集成电路可以由该太阳能电池供电,从而形成自供电的低功耗集成电路。
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公开(公告)号:CN101719496B
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN200910199879.6
申请日:2009-12-03
申请人: 复旦大学
IPC分类号: H01L27/06 , H01L29/78 , H01L31/042 , H01L21/77 , H01L21/336 , H01L31/18
CPC分类号: Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明属于集成电路技术领域,具体公开了一种集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的集成电路和太阳能电池。所述的集成电路包含金属-氧化物-半导体效应晶体管。该集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该集成电路的工艺兼容。该集成电路可以由该太阳能电池供电,从而形成自供电的集成电路。
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公开(公告)号:CN101777565A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200910247550.2
申请日:2009-12-30
申请人: 复旦大学
IPC分类号: H01L27/142 , H01L21/82
CPC分类号: Y02E10/50
摘要: 本发明属于集成电路技术领域,具体公开了一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池。所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管。该低功耗集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该低功耗集成电路的工艺兼容。该低功耗集成电路可以由该太阳能电池供电,从而形成自供电的低功耗集成电路。
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公开(公告)号:CN101719496A
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200910199879.6
申请日:2009-12-03
申请人: 复旦大学
IPC分类号: H01L27/06 , H01L29/78 , H01L31/042 , H01L21/77 , H01L21/336 , H01L31/18
CPC分类号: Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明属于集成电路技术领域,具体公开了一种集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的集成电路和太阳能电池。所述的集成电路包含金属-氧化物-半导体效应晶体管。该集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该集成电路的工艺兼容。该集成电路可以由该太阳能电池供电,从而形成自供电的集成电路。
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