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公开(公告)号：CN114242594B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111524853.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件上后栅单扩散隔断工艺方法，其用于形成单扩散隔断空腔的虚设伪栅极的刻蚀是在GAA器件的有源金属栅极制备完成后才进行，由于源/漏区会向两侧的鳍结构施加应力；而在沟道释放后，有源伪栅极对应的鳍结构中只剩下了沟道层，因而源/漏区的应力会集中到沟道层上，使得沟道层的应力得到增强。并且由于此时虚设伪栅极及其对应的鳍结构还未进行处理，其也会向GAA器件的沟道层传递应力，使得GAA器件的沟道层的应力达到最大；同时，由于在进行虚设伪栅极的刻蚀前，GAA器件的沟道层已经被有源金属栅极包裹，其对沟道层的应力产生禁锢作用，使得在后续虚设伪栅极刻蚀后，GAA器件的沟道层的应力因弛豫带来的影响降到最低。
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公开(公告)号：CN116314306A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211566349.2
申请日：2022-12-07
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种围栅隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬底上包括：第一外延区、第二外延区、第一沟道区、第二沟道区以及第三沟道区；第一外延层形成于第一外延区；第二外延层形成于第二外延区；若干第一沟道层沿远离衬底的方向上堆叠，且相邻两第一沟道层之间通过沟道空腔间隔；其中，第一沟道层包括第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部；内侧墙；填充于第一沟道区和第三沟道区的沟道空腔中；第二沟道层、栅介质层以及控制栅；均形成于第二沟道区中；其中，第一沟道部中掺杂有第一离子，第二沟道层中掺杂有第二离子；第一离子和第二离子的类型不同；以解决如何增大围栅隧穿场效应晶体管的开态电流的问题。
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公开(公告)号：CN114783877A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210198169.7
申请日：2022-03-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件上源漏可控限制外延的方法，包括：在衬底上形成沿第一方向排列的若干鳍结构，在所述若干鳍结构上形成沿第二方向排列的若干假栅结构，且每个假栅结构横跨所述若干鳍结构中的每个鳍结构；刻蚀所述鳍结构形成若干源/漏空腔；在相邻鳍结构之间形成沿所述第一方向排列的第一隔离层，以隔离相邻鳍结构之间的源/漏空腔；在所述源/漏空腔中外延源/漏层；去除所述第一隔离层。使得所述源/漏层的厚度可以限制在应力释放的临界厚度内，以实现减少因失配错位导致的应力弛豫现象；当然地，通过对所述源/漏层厚度的限制，可以限制源/漏层于栅极之间的的接触面的面积，从而限制寄生电容。
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公开(公告)号：CN113964265A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111158194.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结的制备方法及半导体工艺集成系统，盖方法在制备第一超导金属层后在真空环境下对第一超导金属层表面的自然氧化层进行活性氢还原表面处理，减少或去除第一超导金属层表面的自然氧化层；并且在真空条件下在第一超导金属层表面制备绝缘介质层，由于从活性氢还原表面处理开始的所有操作均在真空条件下进行，因而在减少或去除在第一超导金属层的表面形成的自然氧化层后能够防止第一超导金属层的表面进一步生成新的自然氧化层，从而达到了真正地减少甚至去除第一超导金属层的表面形成的自然氧化层的效果。使得约瑟夫森结的绝缘介质层的厚度更可控，进一步提高了瑟夫森结的阻值的可控度。
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公开(公告)号：CN113394269A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110648672.3
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/49 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法，源漏接触金属的工艺方法，包括：在基底上制作目标鳍片；在所述目标鳍片外外延锗硅材料，形成包围所述目标鳍片的目标锗硅外延层；所述目标锗硅外延层包括位于所述目标鳍片两侧的第一连接角与第二连接角；刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层；所述第一锗硅部分包括所述第一连接角，所述第二锗硅部分包括所述第二连接角；在所述锗硅体层外沉积一层硅化物层；形成所述硅化物层与金属的接触连接。
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公开(公告)号：CN117790315A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311822609.2
申请日：2023-12-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种含有pn结隔离结构的围栅晶体管的制备方法，包括：提供一衬底、交替堆叠于衬底上的若干沟道层与若干牺牲层、假栅结构以及内侧墙；分别在第二区域覆盖第一掩膜层，并以第一掩膜层为掩膜，在衬底的第一区域注入第一离子；并在第一区域覆盖第二掩膜层，并以第二掩膜层为掩膜，在第二区域注入第二离子，以分别在第一区域与第二区域形成第一源区与第一漏区；分别在第一源区与第一漏区的表面外延第二源区与第二漏区；第二源区和第二漏区中注入的离子类型与第一漏区中注入的离子类型相同；去除假栅结构；释放若干牺牲层；并形成界面氧化层、高K介质层、金属栅层、源极金属层，栅极金属层、漏极金属层、层间介质层以及若干金属接触层。
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公开(公告)号：CN113889436B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111070720.1
申请日：2021-09-13
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种环栅结构源漏的外延制备方法以及环栅结构，其中的方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个鳍片，沿沟道方向，相邻的两个鳍片之间具有凹槽；在所述衬底上淀积非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，以使所述非晶硅层结晶形成单晶硅层；以所述单晶硅层的表面为起始表面，外延生长锗硅材料，形成锗硅体层；在所述锗硅体层形成环栅结构的源/漏区；通过在凹槽淀积非晶硅层，然后将非晶硅层经过退火处理结晶成单晶硅层，以单晶硅层为起始表面生长锗硅体层的方法，能够制备出无位错高质量的硅锗体层，为沟道提供足够的应力，提升环栅器件的空穴迁移率，进而提高环栅器件的开启电流。
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公开(公告)号：CN116666220A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310543733.9
申请日：2023-05-15
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种内侧墙沟槽的制备方法，包括：提供一待刻蚀对象；待刻蚀对象包括：衬底以及形成于衬底上的沿远离衬底方向上间隔堆叠的若干沟道层与若干牺牲层；对待刻蚀对象沿第一方向进行刻蚀，直至衬底的表层，以形成源漏空腔；同时对待刻蚀对象中的牺牲层沿第二方向进行刻蚀，以形成内侧墙空腔；其中，第一方向表征了若干沟道层与若干牺牲层堆叠的方向；第二方向垂直于第一方向；其中，对牺牲层沿第二方向进行刻蚀时，刻蚀速率为：0.05nm/s‑0.3nm/s。本发明提供的技术方案，解决了沟道层过久暴露在刻蚀环境中造成刻蚀损伤的问题，进而实现了器件电学性能的提升，同时避免了后续的源漏SiGe外延工艺可能产生的不利影响。
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公开(公告)号：CN114999920A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210682332.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种内侧墙制作方法，该方法包括：提供一衬底；衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；刻蚀牺牲层、沟道层和衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；形成沿第二方向排列的若干假栅结构；刻蚀每个鳍结构形成若干源/漏空腔；刻蚀每个鳍结构中牺牲层的沿第二方向上的两端，形成内墙空腔；以牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内墙；电介质材料填充于内墙空腔中；在源/漏空腔中外延源/漏层。本发明提供的技术方案通过在牺牲层的表面选择性生长电介质材料，解决了刻蚀附带损伤无法避免的问题，从而减少了附带损伤。
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公开(公告)号：CN114639606A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210199870.0
申请日：2022-03-01
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
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