公开(公告)号：CN102660285A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210117957.5

申请日：2012-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 何志江 ,  区琼荣 ,  梁荣庆 ,  何龙 ,  李泽斌 ,  吴忠航 ,  高欢忠 ,  成卫海

IPC: C09K11/80

Abstract: 本发明属于光源技术领域，具体为一种灯用荧光粉的表面形貌修饰方法。本发明利用氢氟酸和硝酸的混合酸溶液对荧光粉表面进行反应性刻蚀从而改变其表面形貌，具体步骤包括：氢氟酸与硝酸混合溶液对荧光粉表面进行刻蚀，然后将荧光粉从混合溶液中过滤析出，再分别经过去离子水和酒精清洗，最后烘干分散。经过本发明处理的荧光粉表面光滑、无棱角，从而改善了荧光粉的分散性和透明性。该荧光粉用于制备白光LED，可降低背散射率，提高光取出率，即提高器件的外量子效率，并且还可以节省荧光粉用量。

公开(公告)号：CN102347205A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110196808.8

申请日：2011-07-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴忠航 ,  昌锡江 ,  何龙 ,  李泽斌 ,  梁荣庆

IPC: H01J63/08

Abstract: 本发明属于低温等离子体技术领域,具体为一种基于石英管引导的表面波等离子体光源。本发明采用石英管引导微波，通过表面波原理激发和电离石英管内工作气体产生等离子体,由等离子体的辐射光谱作为光源。该光源包括和由微型固态微波发生器、矩形波导和耦合器组成微波系统，以及由石英管、导电透明薄膜和工作气体组成的发光系统。本发明设备简单,结构紧凑，成本适中,效率较高，并可针对应用要求选择不同的工作气体产生相应光谱辐射，用于各种目的。该系统只要选择适当气体成分，也可作为照明光源，并实现一种无汞化的绿色照明的。光源系统各部分可以做成模块化，替换方便，且具有很高的稳定性。

公开(公告)号：CN102610765A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210098267.X

申请日：2012-04-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 区琼荣 ,  梁荣庆 ,  何龙 ,  高欢忠

IPC: H01L51/56

Abstract: 本发明属于导电薄膜技术领域，具体为一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法。本发明通过射频或微波放电激发方式在真空室中产生大体积含氧、或含氯、或含氟强电负性元素的等离子体，把镀有ITO薄膜的玻璃片置于浸没在等离子体中的金属基片台上；将高电压负脉冲加在基片台上，使ITO薄膜与等离子体之间形成负电压鞘层，氧离子在鞘层内被电场加速向ITO表面运动，高能氧离子注入到ITO表面并留在ITO表层内，提高ITO薄膜表面O/(Sn+In)原子比例，从而提高ITO表面功函数。由本发明修饰的ITO薄膜应用作有机电致发光器件（OLED）阳极，可大幅降低器件驱动电压，改善器件电流稳定性，提高光效和亮度，延长器件寿命。

公开(公告)号：CN102287688A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110202978.2

申请日：2011-07-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 区琼荣 ,  梁荣庆 ,  何志江 ,  何龙 ,  李泽斌 ,  吴忠航 ,  高欢忠 ,  成卫海

IPC: F21S8/00 ,  F21V29/00 ,  F21V31/00 ,  F21W131/103 ,  F21Y101/02

Abstract: 本发明属于LED光源技术领域，具体为一种热管式灯杆与LED光源一体结构的路灯装置。本发明包括兼作散热功能的热管式副灯杆、热沉、LED光源模块和透明保护壳；热管式副灯杆中空且两端封闭，内装常温下处于液态的工质，热沉位于热管式副灯杆的一端，热沉与液态工质直接接触；LED光源贴装于热沉下方，透明保护壳罩在LED光源外，起防尘防水作用；热管式副灯杆另一端固定于主灯杆上，热管式副灯杆的固定端高于连接LED光源一端。通过热沉导热和热管式副灯杆散热，能有效解决了大功率LED散热问题，节省了散热器材料，具有结构简单、低成本、易装卸、易维护、重量轻、寿命长等特点。

公开(公告)号：CN102254997A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110197335.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李泽斌 ,  区琼荣 ,  何龙 ,  吴忠航 ,  梁荣庆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L21/363 ,  H01L21/425

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于半导体发光材料制备技术领域，具体为一种利用等离子体浸没离子注入技术制备p型ZnO薄膜的方法。本发明是采用等离子体浸没离子注入技术辅以N-Al共掺的方法，将二者的优势结合起来，制备出性能优异的p型ZnO薄膜：一方面等离子体浸没离子注入可以提高受主元素N的固溶度和对要注入的离子进行选择行注入；另一方面Al可以提高N的固溶度和形成稳定的N-Al-N复合体从而固定注入的N，并且Al的加入可以同时提高n型ZnO和p型ZnO的电学特性，这为制备优质的同质ZnOp-n结提供了一种切实可行的的方法，从而为同质ZnOp-n结在LED,LD等方面的应用奠定重要的基础。