-
公开(公告)号：CN119767764A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411961817.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H10D62/10 , H10D64/27 , H10D30/66 , H10D30/01 , H10D62/832
Abstract: 本发明提供一种高可靠性碳化硅沟槽型超结MOSFET器件，包括：漏极、第一掺杂类型衬底、第一掺杂类型漂移区、第二掺杂类型超结区结构、氧化柱结构、第二掺杂类型阱区、栅极沟槽、虚栅沟槽、第一掺杂类型接触区、第二掺杂类型源区和源极。本发明具有优异的高电压承受能力和低导通电阻，能在高压、大功率应用中提供高效的开关性能。超结结构的设计降低了导通损耗，提高了工作效率。
Search Results
1
records
(took 0.009 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
