公开(公告)号：CN108431953A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680070960.2

申请日：2016-12-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·韦尼加尔拉 ,  金成东 ,  B·多里斯 ,  B·A·安德森

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11273 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种制造垂直场效应晶体管的方法，包括在衬底(100)中形成第一凹槽(170)；从第一凹槽(170)的第一底部表面(190)外延生长第一漏极(400)；从形成在衬底(100)中的第二凹槽(175)的第二底部表面(195)外延生长第二漏极(600)；在第一漏极(400)和第二漏极(600)上外延生长沟道材料(700)；在沟道材料(700)中形成沟槽(740)以在第一漏极(400)上形成一个或多个鳍状物沟道(750)以及在第二漏极(600)上形成一个或多个鳍状物沟道(750)，其中在第一漏极(400)上方的沟槽(740)延伸到第一漏极(400)的表面，并且在第二漏极(600)上方的沟槽(740)延伸至第二漏极(600)的表面；在一个或多个鳍状物沟道(750)中的每一个上形成栅极结构(1030)；以及在与第一漏极(400)和第二漏极(500)相关联的每个鳍状物沟道(750)上生长源极(1520，1540)。

公开(公告)号：CN108431953B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201680070960.2

申请日：2016-12-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·韦尼加尔拉 ,  金成东 ,  B·多里斯 ,  B·A·安德森

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种制造垂直场效应晶体管的方法，包括在衬底(100)中形成第一凹槽(170)；从第一凹槽(170)的第一底部表面(190)外延生长第一漏极(400)；从形成在衬底(100)中的第二凹槽(175)的第二底部表面(195)外延生长第二漏极(600)；在第一漏极(400)和第二漏极(600)上外延生长沟道材料(700)；在沟道材料(700)中形成沟槽(740)以在第一漏极(400)上形成一个或多个鳍状物沟道(750)以及在第二漏极(600)上形成一个或多个鳍状物沟道(750)，其中在第一漏极(400)上方的沟槽(740)延伸到第一漏极(400)的表面，并且在第二漏极(600)上方的沟槽(740)延伸至第二漏极(600)的表面；在一个或多个鳍状物沟道(750)中的每一个上形成栅极结构(1030)；以及在与第一漏极(400)和第二漏极(500)相关联的每个鳍状物沟道(750)上生长源极(1520，1540)。