公开(公告)号：CN103855032A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310629482.2

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S.·巴斯克 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  P·克尔比尔 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法和用于半导体器件的装置。该方法包括：在块体衬底上的埋入氧化物层上形成拉伸SSOI层；在SSOI层中形成多个翅片；去除翅片的一部分；将翅片的剩余部分退火以松弛翅片的拉伸应变；和合并翅片的剩余部分。

公开(公告)号：CN103855032B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310629482.2

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S.·巴斯克 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  P·克尔比尔 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法和用于半导体器件的装置。该方法包括：在块体衬底上的埋入氧化物层上形成拉伸SSOI层；在SSOI层中形成多个翅片；去除翅片的一部分；将翅片的剩余部分退火以松弛翅片的拉伸应变；和合并翅片的剩余部分。