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公开(公告)号：CN106024716A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610179034.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/42392 , B82Y10/00 , H01L21/82345 , H01L21/84 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1203 , H01L29/0673 , H01L29/1079 , H01L29/401 , H01L29/495 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L21/8238
Abstract: 在一个方面中，提供了一种形成具有多个晶体管的CMOS器件的方法，多个晶体管具有不同的Vt，该方法包括：在晶片上形成纳米线和焊盘，其中纳米线被悬置在晶片的氧化物层上方的变化高度处；以及通过如下方式形成至少部分地围绕每个纳米线的一部分的晶体管的栅极堆叠：i)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上沉积保形栅极电介质；ii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形栅极电介质上沉积保形功函数金属，其中基于纳米线在氧化物层上方悬置的变化的高度而改变沉积在纳米线周围的保形功函数金属的量；以及iii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形功函数金属上沉积保形多晶硅层。
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公开(公告)号：CN101894842A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010174630.2
申请日：2010-05-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/78696 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: 提供基于纳米线的器件。在一个方面，提供了一种场效应晶体管(FET)反相器。该FET反相器包括垂直定向在叠置体中的多个器件层，每个器件层具有源极区、漏极区以及连接源极区与漏极区的多个纳米线沟道，其中一个或多个器件层的源极区和漏极区掺杂有n型杂质，并且一个或多个其他器件层的源极区和漏极区掺杂有p型杂质；围绕纳米线沟道的每个器件层共用的栅极；与掺杂有n型杂质的一个或多个器件层的源极区的第一接触；与掺杂有p型杂质的一个或多个器件层的源极区的第二接触；以及每个器件层的漏极区共用的第三接触。还提供了用于制造FET反相器的技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990415A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610151526.9
申请日：2016-03-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/775 , H01L21/335 , H01L29/06 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/0217 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0673 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/42376 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/78618 , B82Y10/00 , H01L29/0676
Abstract: 本申请涉及一种纳米线场效应晶体管(FET)器件及其制造方法。该纳米线FET器件包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区中的每一个均在块体半导体衬底的上表面上形成。栅极区被插入第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，并且直接地位于块体半导体衬底的上表面上。仅仅在栅极区中形成多条纳米线。所述纳米线被悬置于半导体衬底上方并限定纳米线FET器件的栅极沟道。栅极结构包括在栅极区中形成的栅极电极，以使得所述栅极电极接触每条纳米线的整个表面。
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公开(公告)号：CN101894842B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201010174630.2
申请日：2010-05-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/78696 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: 提供基于纳米线的器件。在一个方面，提供了一种场效应晶体管(FET)反相器。该FET反相器包括垂直定向在叠置体中的多个器件层，每个器件层具有源极区、漏极区以及连接源极区与漏极区的多个纳米线沟道，其中一个或多个器件层的源极区和漏极区掺杂有n型杂质，并且一个或多个其他器件层的源极区和漏极区掺杂有p型杂质；围绕纳米线沟道的每个器件层共用的栅极；与掺杂有n型杂质的一个或多个器件层的源极区的第一接触；与掺杂有p型杂质的一个或多个器件层的源极区的第二接触；以及每个器件层的漏极区共用的第三接触。还提供了用于制造FET反相器的技术。
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公开(公告)号：CN105984840A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610143130.X
申请日：2016-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L39/025 , B05D5/12 , H01L39/223 , H01L39/2467 , H01L39/2493 , B81C1/00095
Abstract: 本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括：对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线。
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公开(公告)号：CN106024716B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610179034.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/42392 , B82Y10/00 , H01L21/82345 , H01L21/84 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/1203 , H01L29/0673 , H01L29/1079 , H01L29/401 , H01L29/495 , H01L29/66439 , H01L29/775
Abstract: 在一个方面中，提供了一种形成具有多个晶体管的CMOS器件的方法，多个晶体管具有不同的Vt，该方法包括：在晶片上形成纳米线和焊盘，其中纳米线被悬置在晶片的氧化物层上方的变化高度处；以及通过如下方式形成至少部分地围绕每个纳米线的一部分的晶体管的栅极堆叠：i)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上沉积保形栅极电介质；ii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形栅极电介质上沉积保形功函数金属，其中基于纳米线在氧化物层上方悬置的变化的高度而改变沉积在纳米线周围的保形功函数金属的量；以及iii)在纳米线周围并在纳米线下方的晶片上的保形功函数金属上沉积保形多晶硅层。
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公开(公告)号：CN105984840B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201610143130.X
申请日：2016-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L39/025 , B05D5/12 , H01L39/223 , H01L39/2467 , H01L39/2493
Abstract: 本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括：对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线。
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