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公开(公告)号：CN101226768A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810001518.1
申请日：2008-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C7/14 , G11C11/16 , G11C2207/2254
Abstract: 本发明涉及一种确定在制造的存储器阵列中的参考单元的初始状态的方法，所述方法包括：通过比较通过所述参考单元的电流与流动通过数据单元对的平均电流来进行所述参考单元的第一读操作，并存储所述第一读操作的结果；反转所述数据单元对中的一个数据单元的值；进行所述参考单元的第二读操作，并存储所述第二读操作的结果；反转所述数据单元对中的另一个数据单元的值；进行所述参考单元的第三读操作，并存储所述第三读操作的结果。进行所述第一、第二以及第三操作的所述结果的择多比较操作，其中所述择多比较操作的结果为所述参考单元的所述初始状态。
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公开(公告)号：CN102696018A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201180005487.7
申请日：2011-01-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1048 , H03M13/13
Abstract: 一种读取并校正存储装置内的数据的方法，包括：使用与数据字的每个数据位对应的多个参考基元读取每个数据位；对读取的数据位执行错误检测；以及当检测到错误时使用纠错码(ECC)校正读取的数据位，并且把每个对应的参考基元写为其原始存储状态。
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公开(公告)号：CN117813932A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280052333.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种通过形成晶体管阵列而形成的自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器设备，其中，所述阵列的列包括与所述列中的每个晶体管的源极触点接触的源极线，形成接触所述行的所述晶体管的所述漏极触点的自旋轨道扭矩(SOT)线，并且形成单位单元阵列，每个单位单元包括布置在所述SOT线上方并与所述SOT线电接触的自旋轨道扭矩(SOT)磁阻随机存取存储器(MRAM)单元堆叠，其中所述SOT‑MRAM单元堆叠包含自由层、隧道结层和参考层、在所述SOT‑MRAM单元堆叠上方且与所述SOT‑MRAM单元堆叠电接触的二极管结构，设置在所述二极管结构上方并与所述二极管结构电接触的上部电极。
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公开(公告)号：CN102696018B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201180005487.7
申请日：2011-01-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1048 , H03M13/13
Abstract: 一种读取并校正存储装置内的数据的方法，包括：使用与数据字的每个数据位对应的多个参考基元读取每个数据位；对读取的数据位执行错误检测；以及当检测到错误时使用纠错码(ECC)校正读取的数据位，并且把每个对应的参考基元写为其原始存储状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102483947A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037630.6
申请日：2010-08-04
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·K·德布罗斯
IPC: G11C5/08
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C8/10 , G11C8/14 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 一种包括磁性赛道存储器的高密度存储体系结构及操作方法。该体系结构包括多个磁性存储结构；与每个结构相关联的传感器；引发激活多个结构当中的单个结构以便进行位读取或位存储操作的轨道选择信号的第一解码器；施加第一信号以便在第一位置处形成与要存储在该结构中的值相关联的新存储磁畴的位驱动器；以及施加使每个形成的磁畴向该结构的第二位置前进的第二信号的第二解码器。传感器读取存储在该结构的第二位置处的磁畴处的位值。随后，形成与刚读取的值相关联的新磁畴，以便在读取操作结束时使该结构返回到它的原始状态。
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公开(公告)号：CN101159162A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710161677.3
申请日：2007-09-28
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C7/18 , G11C7/12 , G11C2207/002
Abstract: 本发明公开了一种改进的大型存储器系统(更具体地说，改进的存储器系统)的实施例，所述系统包括存储单元阵列，所述存储单元易受极小的位置相关的功率变化的影响并可选地允许双向随机存取数百万的位。具体地说，系统架构向阵列中的每个存储单元提供了读写路径中一致的位线电阻量，其与位置无关，以便使到各单元的功率提供的变化最小化，并由此允许优化的单元分布。所述系统架构还允许电流沿两个方向中的任一方向通过所述单元，以使元件的电迁移最小化，并由此延长存储单元的寿命。
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公开(公告)号：CN102483947B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080037630.6
申请日：2010-08-04
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·K·德布罗斯
IPC: G11C5/08
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C8/10 , G11C8/14 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 一种包括磁性赛道存储器的高密度存储体系结构及操作方法。该体系结构包括多个磁性存储结构；与每个结构相关联的传感器；引发激活多个结构当中的单个结构以便进行位读取或位存储操作的轨道选择信号的第一解码器；施加第一信号以便在第一位置处形成与要存储在该结构中的值相关联的新存储磁畴的位驱动器；以及施加使每个形成的磁畴向该结构的第二位置前进的第二信号的第二解码器。传感器读取存储在该结构的第二位置处的磁畴处的位值。随后，形成与刚读取的值相关联的新磁畴，以便在读取操作结束时使该结构返回到它的原始状态。
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公开(公告)号：CN101226768B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810001518.1
申请日：2008-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C7/14 , G11C11/16 , G11C2207/2254
Abstract: 本发明涉及一种确定在制造的存储器阵列中的参考单元的初始状态的方法，所述方法包括：通过比较通过所述参考单元的电流与流动通过数据单元对的平均电流来进行所述参考单元的第一读操作，并存储所述第一读操作的结果；反转所述数据单元对中的一个数据单元的值；进行所述参考单元的第二读操作，并存储所述第二读操作的结果；反转所述数据单元对中的另一个数据单元的值；进行所述参考单元的第三读操作，并存储所述第三读操作的结果。进行所述第一、第二以及第三操作的所述结果的择多比较操作，其中所述择多比较操作的结果为所述参考单元的所述初始状态。
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公开(公告)号：CN101159162B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710161677.3
申请日：2007-09-28
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G11C7/18 , G11C7/12 , G11C2207/002
Abstract: 本发明公开了一种改进的大型存储器系统(更具体地说，改进的存储器系统)的实施例，所述系统包括存储单元阵列，所述存储单元易受极小的位置相关的功率变化的影响并可选地允许双向随机存取数百万的位。具体地说，系统架构向阵列中的每个存储单元提供了读写路径中一致的位线电阻量，其与位置无关，以便使到各单元的功率提供的变化最小化，并由此允许优化的单元分布。所述系统架构还允许电流沿两个方向中的任一方向通过所述单元，以使元件的电迁移最小化，并由此延长存储单元的寿命。
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