公开(公告)号：CN109804478A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201780060421.5

申请日：2017-08-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·阿林斯帕赫 ,  D·沃尔莱德格 ,  A·安纽泽阿塔 ,  梁时熏

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 自旋转移矩磁隧道结包括具有固定磁层(11)和自由磁层(13)的层堆叠，以及其间的绝缘阻挡层(12)。每个磁层具有面外磁化取向。该结被配置为允许从两个磁层之一产生的自旋极化电流流向另一个，以引发自由层的磁化取向的不对称切换。切换偏离中心朝向堆叠的边缘。结可以允许从两个磁层中的一个到另一个偏离中心朝向堆叠边缘偏心的自旋极化电流，以启动非对称切换。还提供了相关的设备和操作方法。

公开(公告)号：CN109804478B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201780060421.5

申请日：2017-08-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·阿林斯帕赫 ,  D·沃尔莱德格 ,  A·安纽泽阿塔 ,  梁时熏

IPC: H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 自旋转移矩磁隧道结包括具有固定磁层(11)和自由磁层(13)的层堆叠，以及其间的绝缘阻挡层(12)。每个磁层具有面外磁化取向。该结被配置为允许从两个磁层之一产生的自旋极化电流流向另一个，以引发自由层的磁化取向的不对称切换。切换偏离中心朝向堆叠的边缘。结可以允许从两个磁层中的一个到另一个偏离中心朝向堆叠边缘偏心的自旋极化电流，以启动非对称切换。还提供了相关的设备和操作方法。

公开(公告)号：CN117813932A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280052333.1

申请日：2022-07-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·沃尔莱德格 ,  P·哈什米 ,  J·K·德布罗斯

IPC: H10B61/00 ,  G11C11/16 ,  H10N50/10

Abstract: 一种通过形成晶体管阵列而形成的自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器设备，其中，所述阵列的列包括与所述列中的每个晶体管的源极触点接触的源极线，形成接触所述行的所述晶体管的所述漏极触点的自旋轨道扭矩(SOT)线，并且形成单位单元阵列，每个单位单元包括布置在所述SOT线上方并与所述SOT线电接触的自旋轨道扭矩(SOT)磁阻随机存取存储器(MRAM)单元堆叠，其中所述SOT‑MRAM单元堆叠包含自由层、隧道结层和参考层、在所述SOT‑MRAM单元堆叠上方且与所述SOT‑MRAM单元堆叠电接触的二极管结构，设置在所述二极管结构上方并与所述二极管结构电接触的上部电极。

公开(公告)号：CN110945588B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201880048474.X

申请日：2018-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·沃尔莱德格 ,  J·K·德伯罗斯 ,  J·Z·孙

IPC: G11C11/16

Abstract: 提供了改进的自旋霍尔MRAM设计，其使得能够使用用于每个MTJ的单独的自旋霍尔线一起写入沿着给定字线的所有位。在一个方面，磁存储器单元包括：自旋霍尔线，其专用于磁存储器单元；MTJ，设置在自旋霍尔线上，其中MTJ包括通过隧道势垒与自由磁性层分离的固定磁性层；以及一对选择晶体管，其连接到自旋霍尔线的相对端。还提供了一种MRAM器件及其操作方法。

公开(公告)号：CN110945588A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880048474.X

申请日：2018-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·沃尔莱德格 ,  J·K·德伯罗斯 ,  J·Z·孙

IPC: G11C11/16

Abstract: 提供了改进的自旋霍尔MRAM设计，其使得能够使用用于每个MTJ的单独的自旋霍尔线一起写入沿着给定字线的所有位。在一个方面，磁存储器单元包括：自旋霍尔线，其专用于磁存储器单元；MTJ，设置在自旋霍尔线上，其中MTJ包括通过隧道势垒与自由磁性层分离的固定磁性层；以及一对选择晶体管，其连接到自旋霍尔线的相对端。还提供了一种MRAM器件及其操作方法。