-
公开(公告)号：CN110603647A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880028471.X
申请日：2018-06-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/8238
Abstract: 提供了包括多层栅极隔离的FinFET器件，以及制造FinFET器件的方法，其中在形成栅极隔离时，利用多层栅极隔离来防止或最小化垂直半导体鳍的腐蚀。例如，一种用于制造半导体器件的方法，包括：在FinFET器件的垂直半导体鳍的一部分上形成伪栅极结构；以及在伪栅极结构上形成多层栅极隔离。多层栅极隔离包括第一电介质层和第二电介质层，其中第一电介质层相对于垂直半导体鳍和第二电介质层具有蚀刻选择性。在一个实施例中，第一电介质层包括碳氮氧化硅(SiOCN)，第二电介质层包括碳氮化硼硅(SiBCN)。
Search Results
1
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
