公开(公告)号：CN102428518A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201080021467.4

申请日：2010-04-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·W·阿布拉哈姆 ,  胡国菡 ,  J·Z·孙 ,  D·C·沃莱吉

IPC: G11C11/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 给出了磁阻结构、设备、存储器及用于形成它们的方法。例如，磁阻结构包括铁磁层、耦合到该铁磁层的亚铁磁层、压定层和非磁性间隔层。该磁阻结构的自由侧包括铁磁层和亚铁磁层。非磁性间隔层至少部分地位于自由侧和压定层之间。铁磁层的饱和磁化与亚铁磁层的饱和磁化相反。非磁性间隔层可以包括隧道势垒层(诸如由氧化镁(MgO)构成的隧道势垒层)或非磁性金属层。

公开(公告)号：CN106025064B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610169066.2

申请日：2016-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 胡国菡 ,  D.C.沃利奇

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁性材料，包括在相对的铁层之间的钴层。所述铁层包括铁并且是体心立方(BCC)，所述钴层包括钴并且是BCC或非晶态，且所述磁性材料具有垂直磁各向异性(PMA)。

公开(公告)号：CN103503067B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280020050.5

申请日：2012-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 胡国菡 ,  J·J·诺瓦克 ,  P·L·特罗伊罗德 ,  D·C·沃莱吉

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁隧道结（MTJ），包括：具有可变磁化方向的磁性自由层；与所述自由层相邻的绝缘隧道势垒层；具有不可变磁化方向的磁性固定层，所述固定层被设置为与所述隧道势垒层相邻以使得所述隧道势垒层位于所述自由层与所述固定层之间，其中所述自由层和所述固定层具有垂直磁各向异性；以及下述中的一者或多者：复合固定层，所述复合固定层包括防尘层、隔离物层和基准层；合成反铁磁性（SAF）固定层结构，所述SAF固定层结构包括位于所述固定层与第二固定磁性层之间的SAF隔离物；以及偶极层，其中所述自由层位于所述偶极层和所述隧道势垒层之间。

公开(公告)号：CN116997966A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280021560.8

申请日：2022-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·沃莱吉 ,  胡国菡

IPC: G11C11/16

Abstract: 提供了一种修改的双磁性隧道结(mDMTJ)结构，其包括窄基底和对自旋扩散层(即，非磁性的自旋导电金属层)的使用，该自旋扩散层针对隧道势垒层提供低电阻面积乘积(RA)，该隧道势垒层与自旋扩散层形成界面。

公开(公告)号：CN106025064A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610169066.2

申请日：2016-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 胡国菡 ,  D.C.沃利奇

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁性材料，包括在相对的铁层之间的钴层。所述铁层包括铁并且是体心立方(BCC)，所述钴层包括钴并且是BCC或非晶态，且所述磁性材料具有垂直磁各向异性(PMA)。

公开(公告)号：CN103858169B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280049570.9

申请日：2012-09-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 胡国菡 ,  陆宇

IPC: G11C11/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  G11C2213/78 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁阻随机存取存储器系统，包括：第一磁隧道结器件，其耦合到第一位线；第二磁隧道结器件，其耦合到第二位线；选择晶体管，其耦合到所述第一和第二位线；以及字线，其耦合到所述选择晶体管。

公开(公告)号：CN118435729A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280075677.4

申请日：2022-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  孙赞红 ,  胡国菡 ,  S·扎雷

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 提供了一种存储器结构，即磁阻随机存取存储器(MRAM)结构，其包括接种区，该接种区至少包括位于化学模板层下方的隧道势垒籽晶层，该隧道势垒籽晶层比位于化学模板层上的磁性隧道结(MTJ)结构更宽。再沉积的金属材料位于所述籽晶区域的隧道势垒籽晶层的至少侧壁上，以便对所述结构的该区域进行分流。该存储器结构具有减小的电阻，具有最小的隧道磁阻(TMR)损失代价。

公开(公告)号：CN103872242B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310629760.4

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·沃莱吉 ,  胡国菡

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

Abstract: 一种热自旋扭矩传输磁阻随机存取存储器MRAM）装置包括磁隧道结和隧道结编程电路。磁隧道结包括具有固定磁极性的参考层、隧道势垒层以及在隧道势垒层与参考层的相对侧上的自由层。自由层包括具有第一居里温度的第一层和具有不同于第一居里温度的第二居里温度的第二层。隧道结编程电路配置成施加通过磁隧道结的电流以在磁隧道结中产生写入温度且向磁隧道结的自由层进行写入。

公开(公告)号：CN103872242A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310629760.4

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·沃莱吉 ,  胡国菡

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

Abstract: 一种热自旋扭矩传输磁阻随机存取存储器（MRAM）装置包括磁隧道结和隧道结编程电路。磁隧道结包括具有固定磁极性的参考层、隧道势垒层以及在隧道势垒层与参考层的相对侧上的自由层。自由层包括具有第一居里温度的第一层和具有不同于第一居里温度的第二居里温度的第二层。隧道结编程电路配置成施加通过磁隧道结的电流以在磁隧道结中产生写入温度且向磁隧道结的自由层进行写入。

公开(公告)号：CN103858169A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280049570.9

申请日：2012-09-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 胡国菡 ,  陆宇

IPC: G11C11/00

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  G11C2213/78 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁阻随机存取存储器系统，包括：第一磁隧道结器件，其耦合到第一位线；第二磁隧道结器件，其耦合到第二位线；选择晶体管，其耦合到所述第一和第二位线；以及字线，其耦合到所述选择晶体管。