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公开(公告)号：CN119931499A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510415449.2
申请日：2025-04-03
Applicant: 国网浙江省电力有限公司科技创新中心 , 国网浙江省电力有限公司超高压分公司 , 国家电网有限公司
Inventor： 周国伟 , 邹晖 , 邢佳磊 , 陈欣 , 夏红鑫 , 张志亮 , 姜巍 , 陈铁义 , 时宁 , 彭晨光 , 吴晨曦 , 魏华兵 , 焦晨骅 , 陈川 , 孙林涛 , 计荣荣 , 汪全虎 , 戴鹏飞 , 刘威
IPC: C09D187/00 , C09D127/12 , C08G83/00 , C09K3/18
Abstract: 本发明公开了一种防覆冰超疏超滑纳米涂层材料及其制备方法和应用，涉及纳米涂层技术领域。本发明所提供的防覆冰超疏超滑纳米涂层材料，包括聚合物接枝SiO2颗粒，颗粒中包括硅烷偶联剂改性的纳米SiO2内核、PAMAM中间层以及全氟聚醚外壳，其中PAMAM的引入提高了全氟聚醚在纳米SiO2表面接枝的密度，而全氟聚醚不仅降低了涂层的表面能，而且其分子链末端能够自由活动从而模拟出类似液体般的润滑效果，因此本发明中的涂层不仅能够实现超疏性能，也能够具有超滑的性能。将本发明的涂层材料喷涂于基材表面，即可获得防覆冰超疏超滑纳米涂层，且涂层与基材具有优异结合力。
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公开(公告)号：CN119765964A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411800163.8
申请日：2024-12-09
Applicant: 国网浙江综合能源服务有限公司 , 国网浙江省电力有限公司超高压分公司
Inventor： 聂建波 , 周国伟 , 胡俊华 , 邹晖 , 潘成程 , 焦晨骅 , 邢佳磊 , 卫林林 , 陈欣 , 孙林涛 , 裘鹏 , 汪全虎 , 戴鹏飞 , 程兴民 , 王旋 , 刘威 , 彭晨光 , 陈川 , 沈正元 , 石明磊 , 朱贵池
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387 , H02J3/36
Abstract: 本发明公开了一种柔性直流输电工程子模块I GBT电压电流确定方法及装置，柔性直流输电工程子模块I GBT电压电流确定方法，通过获取待分析换流器的拓扑结构和系统参数，基于电容元件的微分方程，得到半桥子模块中电容的离散化伴随模型；根据当前投入的子模块数量，计算出待分析换流器中半桥子模块的戴维南模型等效电阻，利用上一时刻的电压值、上一时刻的电流值和戴维南模型等效电阻计算出受控电压源；基于离散化伴随模型得到桥臂戴维南等效模型，根据拓扑结构和系统参数，对桥臂戴维南等效模型进行仿真，得到正常状态下I GBT的电压应力和电流应力。通过上述搭建准确的MMC等效的暂态模型，提高了获得的单个子模块I GBT实际工况的电压电流应力的准确性。
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公开(公告)号：CN119514483A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411501447.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 国网浙江省电力有限公司超高压分公司
Inventor： 周国伟 , 胡俊华 , 邹晖 , 潘成程 , 焦晨骅 , 邢佳磊 , 卫林林 , 陈欣 , 孙林涛 , 裘鹏 , 汪全虎 , 戴鹏飞 , 程兴民 , 王旋 , 刘威 , 彭晨光 , 陈川 , 沈正元 , 石明磊 , 朱贵池
IPC: G06F30/398 , G06F30/17 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F119/06 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种考虑温度效应的压接型IGBT仿真建模方法，包括：根据IGBT器件中每一组件的几何形状和材料属性，建立所述IGBT器件的有限元模型；设置物理场之间的耦合关系，并为每一所述物理场建立对应的物理场方程；根据仿真需求，为所述有限元模型设置边界条件；基于所述有限元模型和所述物理场方程进行耦合计算，根据计算结果进行仿真分析；本发明考虑了温度对压接型IGBT器件内封装材料属性的影响，能够提高压接型IGBT器件有限元模型仿真应力分析的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119476196A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411500920.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 国网浙江省电力有限公司超高压分公司
Inventor： 周国伟 , 胡俊华 , 邹晖 , 潘成程 , 焦晨骅 , 邢佳磊 , 卫林林 , 陈欣 , 孙林涛 , 裘鹏 , 汪全虎 , 戴鹏飞 , 程兴民 , 王旋 , 刘威 , 彭晨光 , 陈川 , 沈正元 , 石明磊 , 朱贵池
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种MMC子模块IGBT的电压电流应力确定方法及装置，所述方法包括：对半桥子模块中的电容作离散化处理，构建电容、半桥子模块、桥臂的离散化伴随模型；根据投入的子模块数量确定各个半桥子模块的运行状态，进而计算离散化伴随模型的等效电阻与等效电压源电压；通过仿真计算得到子模块的电容电压和导通电流，得到子模块中IGBT的电压应力与电流应力。本发明能够在保证仿真效率的同时提升仿真精度，适用于大规模的电网系统仿真，有利于对子模块用压接型IGBT器件进行失效机理分析以及状态监测研究。
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公开(公告)号：CN119471277A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411573747.6
申请日：2024-11-06
Applicant: 国网浙江省电力有限公司超高压分公司
Inventor： 周国伟 , 胡俊华 , 邹晖 , 邢佳磊 , 卫林林 , 陈欣 , 孙林涛 , 裘鹏 , 汪全虎 , 戴鹏飞 , 程兴民 , 王旋 , 刘威 , 彭晨光 , 陈川 , 沈正元 , 石明磊 , 朱贵池
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种压接式IGBT器件的结温分布测量系统、设备及存储介质，所述系统包括结温分布测量装置和分别受控于所述结温分布测量装置的等温散热装置、压接封装IGBT装置和时序PCB控制装置，基于预设时序确定时序PCB控制装置的时序控制信号，基于时序控制信号在各个并联芯片的栅极端子施加电压，采用温敏电参数法对所有并联芯片进行时序测温处理，得到每个并联芯片的结温时间序列，并采用时序校准方法对所有并联芯片的结温时间序列进行校正处理，得到压接封装IGBT装置的校准结温分布曲线。本发明实施例提供的一种压接式IGBT器件的结温分布测量系统、设备及存储介质，提高了对压接封装IGBT装置结温分布测量的精度和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118777942A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410180284.0
申请日：2024-02-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司超高压分公司
Abstract: 本申请公开一种饱和电抗器的状态检测方法、装置、设备及存储介质，涉及电器状态检测技术领域，能够实现饱和电抗器的状态检测。具体方案包括：获取饱和电抗器的电器应力曲线，所述电器应力曲线为所述饱和电抗器在不同时间下的电压和电流变化曲线；根据所述电器应力曲线，获取所述饱和电抗器在不同工况下的振动规律；基于所述振动规律，获取当前工况下饱和电抗器的振动声纹信号；对所述振动声纹信号进行特征分析，若所述振动声纹信号中出现异常信号，则确定所述饱和电抗器中的铁心出现松动。
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公开(公告)号：CN119793852A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510077546.5
申请日：2025-01-17
Applicant: 国网浙江省电力有限公司科技创新中心 , 国网浙江省电力有限公司超高压分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及一种透明超滑抗结冰表面及其制备方法，属于表面功能化涂层制备的技术领域。本发明提供的透明超滑抗结冰表面的制备方法，包括以下步骤：在基底表面涂覆光刻胶，再进行纳米压印，得到具有规则纳米结构的基底；对所述具有规则纳米结构的基底进行等离子刻蚀，得到具有纳米复合结构的活化基底；对所述具有纳米复合结构的活化基底表面进行硅烷偶联改性和接枝柔性聚合物分子链，即得所述透明超滑抗结冰表面。本发明先通过纳米压印得到具有规则纳米结构的表面，随后通过等离子体刻蚀，进一步获得纳米级复合粗糙表面，最后将基底进行硅烷化和柔性聚合物分子链接枝，得到了具备透明超滑抗结冰性的表面。
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公开(公告)号：CN117192352A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311172736.2
申请日：2023-09-12
Applicant: 国网浙江省电力有限公司超高压分公司
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明提供了一种有载分接开关运行状态检测方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取目标采样数据；对目标采样数据进行坐标变换处理，获取直流目标采样数据；根据直流目标采样数据，通过参数辨识算法，获取有载分接开关的切换状态及切换时序；根据直流目标采样数据及有载分接开关的分接切换状态，计算有载分接开关的过渡电阻阻值；根据过渡电阻阻值和有载分接开关的切换时序，评价有载分接开关的运行状态。本发明通过检测有载调压机组两端端口的电流电压数据并计算有载分接开关的重要参数，实现了对变压器有载分接开关进行实时状态预估与评测，保障了有载调压机组的安全运行。
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公开(公告)号：CN119619775A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411660058.9
申请日：2024-11-20
Applicant: 国网浙江省电力有限公司超高压分公司
Inventor： 周国伟 , 胡俊华 , 邹晖 , 潘成程 , 焦晨骅 , 邢佳磊 , 卫林林 , 陈欣 , 孙林涛 , 裘鹏 , 汪全虎 , 戴鹏飞 , 程兴民 , 王旋 , 刘威 , 彭晨光 , 陈川 , 沈正元 , 石明磊 , 朱贵池
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT栅极绝缘特性测试的斜坡电路及其应用，该斜坡电路包括斜坡电压产生电路和斜坡电压输出电路；斜坡电压产生电路包括依次串联的第一光电隔离电路、第一IGBT驱动电路、第一三极管电压输出电路和斜坡电压控制电路；斜坡电压输出电路包括依次串联的第二光电隔离电路、第二IGBT驱动电路和第二三极管电压输出电路；斜坡电压产生电路用于接收经电平转换得到的第一低电平信号，并基于第一低电平信号控制IGBT导通产生斜坡电压；斜坡电压输出电路用于接收经电平转换得到的第二低电平信号，并基于第二低电平信号控制第二NPN三极管导通输出斜坡电压。本发明具有整体成本低，电压大小易调节和准确性高的优点，适用于工程应用。
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公开(公告)号：CN119535325A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411581924.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 国网浙江省电力有限公司超高压分公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种用于压接型IGBT电流测量的罗氏线圈精度校核系统及方法，其中，该系统包括若干个并联的导流凸台，该方法采用测量若干个导流凸台与罗氏线圈之间转移阻抗的方式来实现校核。首先，使用信号发生器在第一测试端口施加电压，并测量第二测试端口的电压，根据第一、二测试端口的电压计算散射参数，根据散射参数计算第一测试端口的输入电流，再使用信号发生器测量第三测试端口(罗氏线圈)的电压，根据输入电流和第三测试端口的电压计算转移阻抗，最后将所有导流凸台中第一测试端口与罗氏线圈之间的转移阻抗数据进行分析，评估罗氏线圈的抗干扰能力和测试精度，确保压接型IGBT电流测量结果的可靠性。
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