一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统

    公开(公告)号:CN117851770A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311681297.8

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 本发明公开了一种分析IGBT损耗和结温的方法及系统,涉及功率半导体器件技术领域,包括在包括IGBT和二极管的器件中,采集IGBT特征数据和二极管特征数据构建数据手册,从数据手册中提取IGBT和二极管的特性曲线参数并进行拟合;基于特性曲线参数拟合结果,计算器件的总损耗;对器件的热网络进行等效,构建IGBT和二极管等效热网络模型,并根据热网络模型分析器件最高结温。本发明所述方法通过提取IGBT和二极管的特性曲线参数,提高了器件损耗结温估计的精准度;通过基于特性曲线参数,计算器件的导通损耗和开断损耗,提高了系统整体效率和器件损耗结温估计的可靠性;通过构建IGBT和二极管等效热网络模型,有助于提高器件的稳定性和可靠性。

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