一种压力传感器温度补偿方法和计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN112949212B

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202110386532.3

    申请日:2021-04-12

    Abstract: 本发明公开了一种压力传感器温度补偿方法,包括以下步骤:(1)获取不同输出电压下压力偏差与温度变化之间的对应关系,并作为训练样本;(2)利用训练样本,得到DCQPSO‑MKRVM模型;(3)将训练样本输入DCQPSO‑MKRVM模型,得到相应压力传感器的压力偏差估计模型;(4)将估计后的压力偏差值结合对应电压下的理论压力值计算,完成压力传感器的温度补偿,获得不同温度下压力传感器真实的压力‑电压响应曲线。本发明还公开了一种包括压力传感器温度补偿方法的计算机可读存储介质。利用本发明,可有效的提高估计精度,并提高了估计之后的温度补偿精度,同时保留了压力传感器本身的输出特性,保证了压力传感器稳定可靠的工作。

    一种功率半导体器件栅氧化层状态监测系统及其使用方法

    公开(公告)号:CN113419156A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110661982.9

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 一种功率半导体器件栅氧化层状态监测系统,包括依次连接的电源、恒温箱、测量设备,所述测量设备通过控制器控制,所述恒温箱内置功率器件,所述电源用于施加电场;所述恒温箱用于控制功率器件的偏置温度;所述控制器用于控制电源对功率器件栅氧化层施加电场的时间与强弱;所述测量设备利用常数电流法测量功率器件的阈值电压并传送给控制器存储。本发明还包括一种功率半导体器件栅氧化层状态监测系统的使用方法。本发明可实现在线监测,监测过程不影响功率器件的工作,可直接用于功率器件的栅氧化层状态监测并在此基础上进一步用作功率器件的寿命评估。

    一种压力传感器温度补偿方法和计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN112949212A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110386532.3

    申请日:2021-04-12

    Abstract: 本发明公开了一种压力传感器温度补偿方法,包括以下步骤:(1)获取不同输出电压下压力偏差与温度变化之间的对应关系,并作为训练样本;(2)利用训练样本,得到DCQPSO‑MKRVM模型;(3)将训练样本输入DCQPSO‑MKRVM模型,得到相应压力传感器的压力偏差估计模型;(4)将估计后的压力偏差值结合对应电压下的理论压力值计算,完成压力传感器的温度补偿,获得不同温度下压力传感器真实的压力‑电压响应曲线。本发明还公开了一种包括压力传感器温度补偿方法的计算机可读存储介质。利用本发明,可有效的提高估计精度,并提高了估计之后的温度补偿精度,同时保留了压力传感器本身的输出特性,保证了压力传感器稳定可靠的工作。

    一种基于米勒平台持续时间的IGBT结温监测系统和方法

    公开(公告)号:CN112858866A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110078638.7

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 一种基于米勒平台持续时间的IGBT结温监测系统和方法,包括了栅极驱动芯片、信号提取与预处理电路、时间测量电路和控制器,信号提取与预处理电路的一端经时间测量电路与控制器的一端连接,控制器的另外一端与IGBT器件驱动电路的栅极驱动芯片连接,驱动芯片分别与IGBT器件和信号提取与预处理电路连接,信号提取与预处理电路是通过提取IGBT器件开通过程中栅射极电压信号中的米勒平台持续时间作为IGBT结温监测的特征参数进行初始状态设定与实时结温在线监测。本发明可实现在线监测,结温提取不影响IGBT的工作,可直接用于IGBT的结温监测与一般寿命评估,可有效解决目前IGBT结温监测技术中缺乏有效的特征参数问题。

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