公开(公告)号：CN118817678A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410885828.3

申请日：2024-07-03

Applicant: 国标(北京)检验认证有限公司

Inventor： 邓巧娟 ,  刘淑凤 ,  郭荣贵 ,  付正盛 ,  贺钰 ,  杨娜 ,  易瑞麟

IPC: G01N21/84 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2202 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/42

Abstract: 本发明公开了一种集成电路用高纯金属镧溅射靶材的低温金相腐蚀方法，属于物理测试技术领域。本发明方法包括取样、磨制、配制低温冷却液、配制化学抛光/腐蚀液、低温预处理、低温抛光/腐蚀和微观组织分析的步骤。本发明截取镧靶材试样，采用不镶嵌直接研磨的方式，以无水乙醇作为磨样冷却及润滑液；在液氮/乙醇浴的低温氛围中，利用浓硫酸+乙酸+磷酸+乙二醇单乙醚+硝酸混合溶液的化学抛光及腐蚀作用，进行低温化学抛光/腐蚀，获得微观组织显示清晰、晶粒轮廓明显的镧靶材微观组织观测用样品。本发明通过低温抑制镧靶材活性及反应速率，有效解决了镧靶材化学活性高、金相抛光/腐蚀过程中表面的氧化严重及过腐蚀等问题。