一种超低衰减大有效面积单模光纤

    公开(公告)号:CN110954985A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201911366738.9

    申请日:2019-12-26

    IPC分类号: G02B6/02 G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为8~10μm,芯层的相对折射率Δn1为-0.10~0.20%,芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层,所述的内包层半径r2为11~15μm,相对折射率Δn2为-0.15~-0.40%,所述的下陷内包层半径r3为16~50μm,相对折射率Δn3为-0.30~-0.70%,所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层,相对折射率Δn4为-0.15~-0.60%。本发明特有的粘度匹配设计:芯层为非纯硅芯,具有锗和氟共掺的特点,同时进行氯掺杂工艺,降低光纤的粘度,加速玻璃的结构弛豫,优化光纤各个部分粘度和光纤应力,实现大有效面积和超低衰减的单模光纤性能。

    一种超低衰减大有效面积单模光纤

    公开(公告)号:CN110954985B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN201911366738.9

    申请日:2019-12-26

    IPC分类号: G02B6/02 G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为8~10μm,芯层的相对折射率Δn1为‑0.10~0.20%,芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层,所述的内包层半径r2为11~15μm,相对折射率Δn2为‑0.15~‑0.40%,所述的下陷内包层半径r3为16~50μm,相对折射率Δn3为‑0.30~‑0.70%,所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层,相对折射率Δn4为‑0.15~‑0.60%。本发明特有的粘度匹配设计:芯层为非纯硅芯,具有锗和氟共掺的特点,同时进行氯掺杂工艺,降低光纤的粘度,加速玻璃的结构弛豫,优化光纤各个部分粘度和光纤应力,实现大有效面积和超低衰减的单模光纤性能。