一种雪崩光电二极管及其制作方法

    公开(公告)号:CN117117012A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202210512345.X

    申请日:2022-05-12

    Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域,尤其涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法,该雪崩光电二极管在半绝缘衬底上至少堆叠有P型接触层、基础功能层以及N型接触层,基础功能层和N型接触层之间还设置有N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层,其中,半绝缘衬底与P型接触层的侧周形成第一台阶,P型接触层与基础功能层的侧周形成第二台阶,基础功能层、N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层的侧周依次覆盖有第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层。本发明可以降低电容,提高带宽。另外,在工艺上,可以解决腐蚀过程中钻蚀的问题,可以提高整个芯片的可靠性。

    一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构

    公开(公告)号:CN117638634A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311564077.7

    申请日:2023-11-20

    Abstract: 本发明公开一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构,方法包括:在芯片的钝化层上的P面键合区形成钝化的Pad层,所述Pad层为与金层低粘附力的介质层;在芯片上制作P面电极,所述P面电极的一部分位于所述Pad层上;基于经过钝化的Pad层与金层的低粘附力,在金丝与P面电极键合时,使金丝将P面电极位于所述Pad层上的部分拉起,且金丝与P面电极保持连接。本发明通过在P面电极键合区填充一层与金层低粘附力的介质层,通过键合工艺金丝键合时,将P电极层拉起来,相当于大大减小了P面电极金属面积,从而大大的降低了芯片电极电容。

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