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公开(公告)号:CN204754407U
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201520137953.2
申请日:2015-03-11
申请人: 国家电网公司 , 国网辽宁省电力有限公司辽阳供电公司
IPC分类号: E04H12/20
摘要: 本实用新型涉及一种工具,尤其涉及一种扎丝专用工具,属于电力安装领域。包括口字型框架,在口字型框架的两端分别设置倒T形圆孔,两个带有螺纹的活动手柄,手柄的螺纹端分别旋入口字型框架的倒T形圆孔,两端的手柄在口字型框架的口字型内分别与凸形模块和凹形模块螺纹连接,其中凸形模块突起部分带有凹槽,该凹槽与凹形模块的弧形凹面相对,形成一个空隙,用来穿扎丝。本实用新型解决了以往工具伤害扎丝及其表面镀锌层的问题,同时降低劳动强度,提高劳动效率。
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公开(公告)号:CN204514486U
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201520135670.4
申请日:2015-03-10
申请人: 国家电网公司 , 国网辽宁省电力有限公司辽阳供电公司
摘要: 本实用新型涉及一种防水罩,尤其涉及一种变压器温度插件防雨罩,属于电力安装领域。包括圆筒形罩体坐在环形底座上,所述环形底座内外圈带有凹槽,凹槽内镶嵌密封圈,将环形底座套在变压器温度插件接口上,通过内圈的密封圈密封,再将变压器温度插件插入变压器温度插件接口,用固定螺母固定,在防水罩罩体的侧面上部设置出线孔,将变压器温度插件引线从防水罩的罩体的出线孔引出,将防水罩罩体扣在环形底座上,通过镶嵌在环形底座外圈的密封圈密封。本实用新型解决了变压器油浴筒和温度插件容易冻坏的问题,提高了变压器的可靠性。
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公开(公告)号:CN106921120B
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN201510982921.7
申请日:2015-12-24
申请人: 国家电网公司 , 江苏省电力公司 , 江苏省电力公司南通供电公司 , 江苏省电力公司如皋市供电公司
IPC分类号: H02B11/127
摘要: 本发明涉及一种防脱摇柄,由套头、压套、连杆、手柄、防脱弹片组成,在连杆的一端固装有套头,另一端通过轴设有手柄,在套头内分别设有压套、防脱弹片;压套与防脱弹片的接触端为锥形结构形式;由于设有防脱弹片,从而避免了对中置手车摇进、摇出时的脱落,保证了摇进、摇出的连贯性;由于设有压套,从而方便了套头套上轴头,拔出轴头的时的方便;由于压套上设有锥形的结构形式;从而方便地将防脱弹片撑开;由于设有手柄收纳槽,在不使用时将手柄收入槽内,从而方便了整个摇柄的保存;由于简单、使用方便,所以有着很大的实用和推广价值。
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公开(公告)号:CN108761282B
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN201810347442.1
申请日:2018-04-18
申请人: 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力有限公司检修分公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 江苏省电力试验研究院有限公司
发明人: 魏旭 , 腾云 , 杨景刚 , 邓洁清 , 高山 , 贾勇勇 , 刘子全 , 赵科 , 丁然 , 谢天喜 , 陶加贵 , 李洪涛 , 刘媛 , 吴昊 , 弓新月 , 刘洋 , 陶风波 , 张量 , 卞超 , 谭婷月 , 陈双 , 钟岚 , 关为民
IPC分类号: G01R31/12
摘要: 本发明公开了一种基于机器人的超声波局部放电自动诊断系统及其方法,包括搭载在巡检机器人机械手臂上的超声波局部放电自动检测装置和与巡检机器人进行通讯的局部放电检测及诊断系统软件;超声波局部放电自动检测装置用于检测GIL/GIS设备的局放信号,通过所述巡检机器人将数据传输至局部放电检测及诊断系统软件;所述局部放电检测及诊断系统软件用于建立任务,命令巡检机器人按任务执行巡检工作,并接收巡检机器人传输的数据并进行存储、展示和诊断。本发明的自动检测装置实施智能巡(56)对比文件Pinto J-K-C等.Mobile robot for hotspot monitoring in electric powersubstation《.Transmission and DistributionConference and Exposition》.2008,1-5.
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公开(公告)号:CN107040408B
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN201710178240.4
申请日:2017-03-23
发明人: 龚小刚 , 张彩友 , 王志强 , 王红凯 , 蒋鸿城 , 叶卫 , 王以良 , 郭亚琼 , 夏威 , 吴昊 , 裘炜浩 , 沈潇军 , 谢若承 , 韦金良 , 甘文杰 , 张景明 , 冯宇 , 刘摩西
IPC分类号: H04L41/0895 , H04L41/40 , H04L41/08 , H04L41/084 , H04L41/0894 , H04L41/12 , H04L67/30 , H04L47/125 , H04L45/302 , H04L45/76
摘要: 本发明要解决SDN控制器在不同机房中的配置,同时设置一个设备使得SDN设置过程可以根据机房配置和实际运行情况进行最优化的下载。本发明基于SDN自动化设备的网络电力测试方法,其采用便携式SDN部署终端设置于基于电力测试业务的机房中,由于采用了所述方法,被隔离的机房中通过连接便携式SDN部署终端进行SDN控制器的配置,SDN控制器的配置收集所在网的状态,并根据业务的不同QoS需求获取业务的路由策略,提高流量传输的质量;另一方面SDN控制器可以综合所在网状态采用不同的网络电力测试策略,减小了调控粒度,提高了所在网进行网络电力测试的灵活性。
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公开(公告)号:CN108257858B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN201611231185.2
申请日:2016-12-28
申请人: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力公司
IPC分类号: H01L21/28 , H01L21/762 , H01L29/78
摘要: 本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化,在其外延层的上表面形成牺牲氧化层;对牺牲氧化层进行腐蚀,直至完全去除外延层上的牺牲氧化层;对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理,形成光滑的钝化表面;在光滑的钝化表面上依次淀积Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层,并对Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层构成的叠层结构进行退火,形成高k栅介质层。与现有技术相比,本发明提供的一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷,提高栅介质层的耐压能力。
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公开(公告)号:CN108257859B
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN201611238004.9
申请日:2016-12-28
申请人: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力公司
摘要: 本发明提供了一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件,所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化,在其外延层的上表面形成牺牲氧化层;对牺牲氧化层进行腐蚀,直至完全去除外延层上的牺牲氧化层;对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理,形成光滑的钝化表面;对碳化硅外延片依次进行高温干氧氧化和磷气氛下退火,在光滑的钝化表面上形成栅氧化层。与现有技术相比,本发明提供的一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件,能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷。
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公开(公告)号:CN108181599B
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201711251646.7
申请日:2017-12-01
申请人: 国网江西省电力有限公司检修分公司 , 国家电网公司
发明人: 彭淑明 , 叶爱民 , 程文星 , 鲁普天 , 宋小欣 , 周迪 , 李俊 , 蔡明 , 陈武恝 , 邓哲林 , 周铀 , 卢雨翔 , 吴颖 , 周盛 , 陈艳华 , 陶可京 , 汪旭峰 , 田国稳 , 戴斌 , 赖志刚 , 周东 , 叶荣民 , 吴昊 , 秦纪平 , 叶芃 , 何萍 , 范黎锋 , 滕安 , 朱宁
IPC分类号: G01R35/02
摘要: 一种变电站直流系统穿芯电流互感器不停电更换校核方法,所述方法引入旁路数字钳型表构成等效电流互感器,提出正确性校核判断方法,观察比较各电流值校核准确性;根据被换互感器支路运行方式,监测旁路电流与原支路电流的关系,结合正确性校核判断方法,校核互感器更换准确性;通过采用不停电更换互感器方式,弥补了停电更换互感器的不足。
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公开(公告)号:CN110704577A
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201910956870.9
申请日:2019-10-10
申请人: 国家电网公司华中分部 , 北京科东电力控制系统有限责任公司
IPC分类号: G06F16/31 , G06F16/36 , G06F16/9535 , G06F40/289 , G06Q50/06
摘要: 本发明公开了一种电网调度数据的搜索方法及系统,属于电力系统调度自动化技术领域,依托电网新一代调控系统及电网调度生产控制云平台,基于电网调度各类数据及业务特征,发明了基于相关性排序和知识图谱的电网调度数据协同搜索方法及系统,采用模糊搜索的相关性排序和基于知识图谱的精准问答两种方法,协同搜索调控云的模型、运行、文档等关联数据及服务,为调控运行人员更准确、更全面的获取调控云的数据及服务提供了便利,简化了电网事件发生时获取信息的难度,提升了调度数据搜索的全局性、高效性、便捷性,也为泛在物联网对外部用户开放业务数据服务提供了基础,能够探索调控运行领域的泛在物联网应用需求。
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公开(公告)号:CN105185833B
公开(公告)日:2020-01-03
申请号:CN201510624450.2
申请日:2015-09-25
IPC分类号: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要: 本发明提供一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法,该器件包括:n型碳化硅衬底,所述衬底上的n型碳化硅漂移层,所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区,所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区;位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型隐埋沟道;位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对的p型碳化硅区;沟槽栅介质;栅接触;基区接触;源接触;漏接触。本发明在沟槽栅MOSFET结构的基础上,通过反掺杂部分p阱区,以实现用于提供源和漏导电通道的隐埋沟道,避免表面电子有效迁移率低和阈值电压偏高的问题,实现常关型器件。
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