公开(公告)号：CN105609481A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510967719.7

申请日：2015-12-21

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 杨霏 ,  郑柳 ,  王方方 ,  李玲 ,  夏经华 ,  田亮 ,  李嘉琳

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/4889

摘要： 本发明提供一种新型封装及其制造方法，所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13)，以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。所述制造方法包括：1)制作含有pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的压焊模型；2)螺旋缠绕pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的拉线形成引线。本发明新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展，大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题，有助于提高器件性能的稳定性。

公开(公告)号：CN105609481B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201510967719.7

申请日：2015-12-21

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 杨霏 ,  郑柳 ,  王方方 ,  李玲 ,  夏经华 ,  田亮 ,  李嘉琳

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/48

摘要： 本发明提供一种新型封装及其制造方法，所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13)，以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。所述制造方法包括：1)制作含有pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的压焊模型；2)螺旋缠绕pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的拉线形成引线。本发明新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展，大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题，有助于提高器件性能的稳定性。

公开(公告)号：CN105185833B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201510624450.2

申请日：2015-09-25

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 查祎英 ,  王方方 ,  田亮 ,  朱韫晖 ,  刘瑞 ,  郑柳 ,  杨霏 ,  李永平 ,  吴昊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型隐埋沟道；位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对的p型碳化硅区；沟槽栅介质；栅接触；基区接触；源接触；漏接触。本发明在沟槽栅MOSFET结构的基础上，通过反掺杂部分p阱区，以实现用于提供源和漏导电通道的隐埋沟道，避免表面电子有效迁移率低和阈值电压偏高的问题，实现常关型器件。

公开(公告)号：CN106298468A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510240413.1

申请日：2015-05-13

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司国网浙江省电力公司

发明人： 李玲 ,  杨霏 ,  田亮

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/046 ,  H01L21/0475

摘要： 本发明公开了一种SiC器件终端结构的制作方法，该法包括：在第一种导电类型离子3注入时，首先刻蚀注入掩膜2，形成刻蚀窗口，再刻蚀第二种导电类型的SiC衬底1，形成刻蚀凹槽，接着进行第一种导电类型离子3注入，形成SiC器件终端结构中第一种导电类型注入区4，该方法在采用较低离子注入能量的情况下，增大了SiC器件终端结构中离子注入区的深度，提高了器件的反向击穿电压，提高了器件性能，且工艺简单，易于实现。

公开(公告)号：CN105185833A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510624450.2

申请日：2015-09-25

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 查祎英 ,  王方方 ,  田亮 ,  朱韫晖 ,  刘瑞 ,  郑柳 ,  杨霏 ,  李永平 ,  吴昊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型隐埋沟道；位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对的p型碳化硅区；沟槽栅介质；栅接触；基区接触；源接触；漏接触。本发明在沟槽栅MOSFET结构的基础上，通过反掺杂部分p阱区，以实现用于提供源和漏导电通道的隐埋沟道，避免表面电子有效迁移率低和阈值电压偏高的问题，实现常关型器件。

公开(公告)号：CN105140283A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510449403.9

申请日：2015-07-28

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 查祎英 ,  王方方 ,  郑柳 ,  田亮 ,  吴昊 ,  朱韫晖 ,  夏经华 ,  刘瑞 ,  李永平 ,  李玲 ,  杨霏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66068

摘要： 本发明提供一种碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)功率器件及其制作方法，该器件包括：n型的碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层包含具有一定间隔的含有n型碳化硅源区的p型碳化硅区，所述漂移层上的n型碳化硅外延层，所述外延层被所述n型碳化硅区间隔，所述外延层上的氧化层，所述氧化层上的n型多晶层；自p型碳化硅区上的n型碳化硅外延区延伸至n型漂移层上的n型碳化硅外延区的n型沟道。本发明可减少经过离子注入和高温退火处理后的SiC和栅介质之间的界面态密度，减少器件的性能退化，提高沟道载流子的有效迁移率。本发明方法利用栅接触多晶层作为源离子注入掩膜，简化了碳化硅MOSFET器件的制作方法。

公开(公告)号：CN105047721A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510528204.7

申请日：2015-08-26

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 查祎英 ,  杨霏 ,  王方方 ,  李永平 ,  朱韫晖 ,  田亮 ,  吴昊 ,  夏经华

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/66068

摘要： 本发明提供一种碳化硅沟槽栅功率MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p型碳化硅区，所述p型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p型碳化硅区之间且在n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型沟道；沟槽栅介质；栅接触、源接触和漏接触。本发明在垂直双注入MOSFET结构的基础上，在沟道表面反掺杂n型掺杂杂质，以实现表面积累层，避免高能量、大剂量的离子注入及高温退火造成沟道表面积累层电子有效迁移率的降低，降低器件的性能退化，提高抗闩锁能力，本发明简化了碳化硅MOSFET器件的制作方法，适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN105047542B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201510561169.9

申请日：2015-09-06

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网安徽省电力公司

发明人： 杨霏 ,  朱韫晖 ,  郑柳 ,  田亮 ,  夏经华 ,  刘瑞 ,  张文婷 ,  吴昊 ,  李玲 ,  李永平 ,  查祎英 ,  王方方

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的碳化硅外延衬底；2)于所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述碳化硅阱区表面形成第一杂质区域；4)于所述第一杂质区域制备穿过所述第一杂质区域和所述碳化硅阱区延伸至所述外延层中的沟槽；5)于所述沟槽内表面形成初始栅极；6)氧化所述初始栅极形成栅极电介质层；7)于所述栅极电介质层上制作栅电极；8)于所述碳化硅阱区和第一杂质区域表面上形成第一接触；9)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，于沟道区域界面处形成碳聚集的现象，提高了栅极电介质层质量。

公开(公告)号：CN106611705A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510685998.8

申请日：2015-10-21

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网安徽省电力公司

发明人： 王方方 ,  郑柳 ,  杨霏 ,  李玲 ,  李永平 ,  刘瑞 ,  田亮 ,  夏经华 ,  王嘉铭

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02107 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/324

摘要： 本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：1)清洗碳化硅外延衬底；2)氧化步骤1)所述衬底；3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。本发明在传统氧化的基础上，加入磷环境下的退火，有助于提高氧化层质量，实现二氧化硅与碳化硅界面的钝化，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，提高沟道电子迁移率，减小器件的性能退化，工艺简单，适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN106611696A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510686428.0

申请日：2015-10-21

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网安徽省电力公司

发明人： 郑柳 ,  杨霏 ,  王方方 ,  李玲 ,  李永平 ,  朱韫晖 ,  夏经华 ,  田亮 ,  查祎英 ,  李嘉琳

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315

摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氮等离子体处理；3)高温下氩气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。