-
公开(公告)号：CN103872144B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410081630.6
申请日：2014-03-06
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种软快恢复二极管及其制造方法。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层，背N+缓冲区设置于N型本征区的背面，在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区，在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层，在有源区的边界处设有P型高阻区，在有源区的中心处设有P+欧姆接触层；全局寿命控制区设置于二极管的整体，覆盖二极管的所有结构层；在二极管的轴向方向上，局域寿命控制层位于P型发射区内靠近P+欧姆接触层的位置上，在二极管的垂直于轴向的方向上，局域寿命控制层位于P型发射区和P型高阻区组成的平面内。本发明通过采用全局加局域寿命控制方式，实现器件的软快恢复特性；通过增加高阻区，提高器件的抗雪崩能力。
-
公开(公告)号：CN104701153A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410853925.0
申请日：2014-12-31
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/28506
摘要： 本发明提出了一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，载片台(1)由在同一平面上的至少两块载片件组成，金属掩膜罩(2)跨放在其上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)剖面为拉长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在所述载片件上；依据设于硅片上的芯片的电极形状敷设的金属掩膜罩(2)。使用该金属电极制造装置的金属电极制造方法在蒸镀过程中，金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面，在指定的区域淀积形成厚金属电极，减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺，缩短了加工周期，降低了生成成本。
-
公开(公告)号：CN104934470B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410101546.6
申请日：2014-03-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术，具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。本发明在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂，避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程，同时可以减少一道光刻版。元胞结构中采用Spacer结构，可以避免套刻误差，确保元胞沟道的一致性，改善器件的动态特性，同时可以再省一道光刻版。本发明的工艺流程为：栅氧化→低压化学气相淀积→多晶硅注入→多晶硅光刻→多晶硅刻蚀→P阱区注入→N+注入→P+注入。从多晶硅栅的形成到P+区形成的工艺流程中，至少减少了两次光刻，大大减少了工艺步骤，节约了器件制造的工艺成本。
-
公开(公告)号：CN103872144A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410081630.6
申请日：2014-03-06
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0684 , H01L29/66143
摘要： 本发明涉及一种软快恢复二极管及其制造方法。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层，背N+缓冲区设置于N型本征区的背面，在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区，在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层，在有源区的边界处设有P型高阻区，在有源区的中心处设有P+欧姆接触层；全局寿命控制区设置于二极管的整体，覆盖二极管的所有结构层；在二极管的轴向方向上，局域寿命控制层位于P型发射区内靠近P+欧姆接触层的位置上，在二极管的垂直于轴向的方向上，局域寿命控制层位于P型发射区和P型高阻区组成的平面内。本发明通过采用全局加局域寿命控制方式，实现器件的软快恢复特性；通过增加高阻区，提高器件的抗雪崩能力。
-
公开(公告)号：CN104701153B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410853925.0
申请日：2014-12-31
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/67
摘要： 本发明提出了一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，载片台(1)由在同一平面上的至少两块载片件组成，金属掩膜罩(2)跨放在其上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)剖面为拉长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在所述载片件上；依据设于硅片上的芯片的电极形状敷设的金属掩膜罩(2)。使用该金属电极制造装置的金属电极制造方法在蒸镀过程中，金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面，在指定的区域淀积形成厚金属电极，减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺，缩短了加工周期，降低了生成成本。
-
公开(公告)号：CN104934470A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410101546.6
申请日：2014-03-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术，具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。本发明在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂，避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程，同时可以减少一道光刻版。元胞结构中采用Spacer结构，可以避免套刻误差，确保元胞沟道的一致性，改善器件的动态特性，同时可以再省一道光刻版。本发明的工艺流程为：栅氧化→低压化学气相淀积→多晶硅注入→多晶硅光刻→多晶硅刻蚀→P阱区注入→N+注入→P+注入。从多晶硅栅的形成到P+区形成的工艺流程中，至少减少了两次光刻，大大减少了工艺步骤，节约了器件制造的工艺成本。
-
公开(公告)号：CN203733809U
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201420101132.9
申请日：2014-03-06
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及一种软快恢复二极管。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层，背N+缓冲区设置于N型本征区的背面，在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区，在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层，在有源区的边界处设有P型高阻区，在有源区的中心处设有P+欧姆接触层；全局寿命控制区设置于二极管的整体，覆盖二极管的所有结构层；在二极管的轴向方向上，局域寿命控制层位于P型发射区内靠近P+欧姆接触层的位置上，在二极管的垂直于轴向的方向上，局域寿命控制层位于P型发射区和P型高阻区组成的平面内。本实用新型通过采用全局加局域寿命控制，实现器件的软快恢复特性；通过增加高阻区，提高器件的抗雪崩能力。
-
公开(公告)号：CN204424217U
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201420870469.6
申请日：2014-12-31
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285
摘要： 本实用新型提出了一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，载片台(1)中心设有方形孔，金属掩膜罩(2)跨放在所述方形孔上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)纵剖面为延长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在载片件上；硅片上设有芯片，芯片的发射极为厚金属电极，金属掩膜罩(2)依据芯片的发射极的形状制备。该金属电极制造装置，金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面，在指定的区域淀积形成厚金属电极，减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺，缩短了加工周期，降低了生成成本。
-
公开(公告)号：CN203774332U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420123728.9
申请日：2014-03-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本实用新型涉及一种IGBT芯片。所述GBT芯片包括元胞区、终端区和焊盘区；焊盘区位于元胞区中心、终端区位于元胞区周围，包围元胞区；元胞区、终端区和焊盘区均包括N型衬底、设置在N型衬底表面并行排列的场氧化层和栅氧化层、在场氧化层和栅氧化层的表面覆盖有多晶硅层、在多晶硅层的表面覆盖有层间介质ILD；本实用新型在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂，避免了传统工艺的繁琐工艺流程，同时可以减少一道光刻版。元胞结构中采用晶胞结构，可以避免套刻误差，同时可以再省一道光刻版。从多晶硅栅的形成到P+区形成的工艺流程中，至少减少了两次光刻，大大减少了工艺步骤，节约了器件制造的工艺成本。
-
公开(公告)号：CN106601826B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201510674227.9
申请日：2015-10-16
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/266
摘要： 本发明提供一种快恢复二极管及其制作方法，所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N‑层(2)，所述衬底N‑层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4)，再于所述氧化层(3)敷设有BPSG层(8)，所述有源区(5)设有金属电极(9)，所述有源区(5)周边设有电阻区(6)；所述制作方法包括：1)初始氧化；2)形成背面缓冲层；3)形成离子注入窗口；4)PN结形成；5)BPSG淀积；6)引线孔形成；7)金属电极淀积；8)形成表面钝化层；本发明方法制备的快恢复二极管，改善了反向恢复过程中电流的不均匀性，避免电流集边现象，缓解局部动态雪崩增强，提高了其抗动态雪崩能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
144 条记录 (耗时 0.087 秒)
