公开(公告)号：CN1801620B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200510120141.8

申请日：2005-11-07

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： R·罗斯兰德 ,  H·塔迪肯 ,  U·格尔拉赫

IPC: H03K17/693 ,  H01P1/15

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/693

Abstract: 一种高频开关晶体管(100；200)包括具有衬底掺杂剂浓度的衬底(102)和与该衬底相邻的阻挡区(104)，该阻挡区(104)具有第一导电类型，其中阻挡区掺杂剂浓度比该衬底掺杂剂浓度高。而且，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的源区(108)，其包括不同于第一导电类型的第二导电类型，且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的源区掺杂剂浓度。另外，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的漏区(110)，且设置得偏离源区(108)，其包括第二导电类型且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有在源区(108)和漏区(110)之间延伸的沟道区(112)，其中沟道区(112)包括阻挡区(104)的子区域。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有绝缘区(114)，其覆盖沟道区(112)且其设置在沟道区(112)和栅电极(114)之间。这种高频开关晶体管(100；200)允许开关具有较高高频信号幅度的高频信号，如可由常规的高频开关晶体管开关的。

公开(公告)号：CN1801620A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510120141.8

申请日：2005-11-07

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： R·罗斯兰德 ,  H·塔迪肯 ,  U·格尔拉赫

IPC: H03K17/693 ,  H01P1/15

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/693

Abstract: 一种高频开关晶体管(100；200)包括具有衬底掺杂剂浓度的衬底(102)和与该衬底相邻的阻挡区(104)，该阻挡区(104)具有第一导电类型，其中阻挡区掺杂剂浓度比该衬底掺杂剂浓度高。而且，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的源区(108)，其包括不同于第一导电类型的第二导电类型，且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的源区掺杂剂浓度。另外，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的漏区(110)，且设置得偏离源区(108)，其包括第二导电类型且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有在源区(108)和漏区(110)之间延伸的沟道区(112)，其中沟道区(112)包括阻挡区(104)的子区域。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有绝缘区(114)，其覆盖沟道区(112)且其设置在沟道区(112)和栅电极(114)之间。这种高频开关晶体管(100；200)允许开关具有较高高频信号幅度的高频信号，如可由常规的高频开关晶体管开关的。